結晶化機構の英語

ポリメチレン−α，ω−ジアンモンニウム型カチオンを有機構造規定剤として用いたゼオライト型の結晶化固体ＦＵ−１の調製方法例文帳に追加

METHOD FOR PREPARING ZEOLITE TYPE CRYSTALLIZED SOLID FU-1 BY USING POLYMETHYLENE-ALPHA,OMEGA-DIAMMONIUM TYPE CATION AS ORGANIC STRUCTURE-REGULATING AGENT - 特許庁

セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。例文帳に追加

The different types of raw materials differ from one another in at least one of a crystal growth condition and a crystal growth mechanism in the crystallization of the raw materials. - 特許庁

粉末状若しくは粒状の有機オリゴマー種結晶を粉体攪拌機構付装置内で流動化させた状態において、液状の同種の結晶性有機オリゴマーを該装置内に連続的又は回分的に添加し、混合分散させて該装置内で結晶体を生成させる事を特徴とする有機オリゴマー類の結晶化方法。例文帳に追加

The method for crystallizing the organic oligomer comprises fluidizing powdery or granular organic oligomer seed crystal in an apparatus equipped with a powder agitating mechanism, and in this state, adding a liquid same kind of crystalline organic oligomer into the apparatus either continuously or batchwise to effect mixing and dispersion, thus producing the objective crystalline organic oligomer. - 特許庁

また磁場機構１０は回転機構１８に回転可能に設けられており、結晶化セルの溶液に対する磁場の方向を０〜９０度の範囲で、任意の角度で変化させることができる。例文帳に追加

The magnetic field mechanism 10 is rotatably attached to a rotation mechanism 18, and can change the orientation of the magnetic field with respect to the solution of crystallized cell at any angle within the range from 0° to 90°. - 特許庁

ケイ酸塩をベースとするラメラ固体の合成方法であって、ｉ）アルカリ性金属、シリカ源、水および有機構造化剤を含む混合物が調製される混合工程と、ｉｉ）結晶固体の形成を可能にする条件下にこの混合物が維持される結晶化工程とを包含する方法。例文帳に追加

The method for synthesizing the lamellar solid based on the silicate comprises a mixing step (i) of preparing a mixture containing an alkaline metal, a silica source, water and an organic structuring agent and a crystallization step (ii) of keeping the prepared mixture under such a condition that a crystalline solid can be formed. - 特許庁

アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus with which both of reduction in the warpage of a base substrate caused by a heating mechanism and high temperature capable of achieving a high crystal growing rate can be achieved, in an aluminum-based group III nitride crystal growth apparatus. - 特許庁

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。例文帳に追加

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4. - 特許庁

アルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素を含む融液１６を保持する融液保持容器１２と、融液の加熱機構１３，１４とを具備し、ＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置であって、前記融液保持容器１２の融液１６に接する部分がタンタルであることを特徴としている。例文帳に追加

The crystal growth apparatus that grows a group III nitride crystal comprises a melt holding container 12 that holds a melt 16 containing an alkali metal, a group III metal raw material, and nitrogen and heating mechanisms 13 and 14 for heating the melt and is characterized in that that part of the container 12 which comes into contact with the melt 16 is made of tantalum. - 特許庁