そして、アンテナ用コイル装置１０に発生する浮遊容量が抑えられるため、アンテナ用コイル装置１０の自己共振周波数が高まる。例文帳に追加

Then suspension capacity generated in the coil device 10 for antenna is suppressed, so the self-resonance frequency of the coil device 10 for antenna increases. - 特許庁

そして、消去ゲート電極８は浮遊ゲート電極６に対して、制御ゲート電極７は浮遊ゲート電極６に対して、ドレイン領域４は制御ゲート電極７に対して、ソース領域３は浮遊ゲート電極６に対して、それぞれ自己整合的に形成されている。例文帳に追加

Then the erasure gate electrode 8 is formed, aligning itself with the floating gate 6, the control gate electrode 7 with the floating gate electrode 6, a drain electrode 4 with the control gate electrode 7, and a source region 3 with the floating gate 6 respectively. - 特許庁

そして、浮遊ゲート電極６は制御ゲート電極７に対して、ドレイン領域４は制御ゲート電極７に対して、ソース領域３は浮遊ゲート電極６に対して、それぞれ自己整合的に形成されている。例文帳に追加

The floating gate electrode 6 is formed aligning itself with the control gate 7, a drain region 4 with the control gate electrode 7, and a source region 3 with the floating gate electrode 6. - 特許庁

NAND型フラッシュメモリにおいて、素子分離領域107 の一対の側面部と素子領域および浮遊ゲート103,104 の各端部が自己整合状態で形成されており、隣接する浮遊ゲート相互間領域の素子分離領域の上面の一部が窪んで凹部111 となっている。例文帳に追加

In a NAND flash memory, the sides of an element isolation region 107 and the ends of an element region and floating gates 103 and 104 are formed in a self-aligned manner, and a part of the top of the element isolation region 107 is recessed to serve as a recess 111 in the mutual region of the adjacent floating gates. - 特許庁

導体損失および浮遊容量を低減して、Ｑおよび自己共振周波数の高い高周波回路に好適な多層基板インダクタを提供すること。例文帳に追加

To provide a multilayer substrate inductor that can reduce conductor loss and stray capacitance and is suitable for a high-frequency circuit with high Q and a self resonance frequency. - 特許庁

浮遊ゲート電極１１５及び制御ゲート電極１１６が、これら積層膜を自己整合的にかつ素子分離領域１０８と直行するようにエッチングして形成されている。例文帳に追加

The floating gate electrode 115 and the control gate electrode 116 are formed by etching so that these multilayer films may go direct with the element isolation region 108. - 特許庁

多層配線板に形成されるインダクタの浮遊容量を低減して自己共振周波数の低下を防止した、周波数および損失特性の良好なインダクタ内蔵多層配線板を安価に提供する。例文帳に追加

To provide at a low cost a multilayer wiring board with a built-in inductor exhibiting excellent properties of frequency and loss by which lowering of self resonant frequency is prevented by reducing floatation capacity of the inductor formed in the multilayer wiring board. - 特許庁

揚力型タービンの自己始動性を向上させることができるとともに、より安定した状態で水上を浮遊させることができる水力発電装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a hydraulic power unit capable of being improved for self-starting of a lift turbine, and floated on the water in a more stable state. - 特許庁

これらＮＡＮＤ型メモリセルユニットＮＤ１、ＮＤ２における浮遊ゲートＦＧ及び制御ゲートＣＧは、フォトレジストを用いることなく自己整合的に形成する。例文帳に追加

In each of these NAND type memory cell units ND1 and ND2, a floating gate FG and a control gate CG are formed in the manner of self-matching without using a photoresist. - 特許庁

酸化膜に比べて多結晶シリコンに対する研磨選択比に優れたＣＭＰ用スラリー及び、前記スラリーを利用してフラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲートを形成する半導体素子の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method of slurry for CMP which is superior in grinding selection ratio with respect to polycrystalline silicon compared with an oxide film, and the forming method of a semiconductor element for forming the self aligned floating gate of a flash memory element utilizing the slurry. - 特許庁

空中に浮遊しつつ、自己発光する道具であることにより、簡単に設置、移動が可能な照明装置であり、表示・宣伝用媒体であり、人々の創造性、趣味性を発揮できる素材となるものを提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting device available as a medium for display/advertisement, which can be easily installed and moved by self-emitting light while suspended in air. - 特許庁

湛水下水田に投入後水面に浮遊し、農薬活性成分を拡散し、投入地点の土壌表面には薬剤処理跡が残らず、薬効の偏りが無い水田用自己拡散型粒状農薬組成物を提供する。例文帳に追加

To obtains a self-diffusing granular agrochemical composition for paddy field floating on water surface and diffusing active agrochemical ingredients after throwing into a flooding paddy field, without remaining trace of chemical agents on the surface of soil of the throwing point and free from deviation of the drug action. - 特許庁

チャネル長方向に隣接するメモリトランジスタの間にシリコン酸化膜２０が浮遊ゲート５ａから離れた状態に形成され、制御ゲート７ａはこのシリコン酸化膜２０の間に自己整合的に埋め込まれる。例文帳に追加

A silicon oxide film 20 is formed in a state isolated from the gate 5a, in between the adjacent memory transistors in the channel longitudinal direction, and the gate 5a is filled in a self-aligned manner between the films 20. - 特許庁

農薬有効成分が自己拡散する性質を有し、従来の製剤よりも大きな形状の水面浮遊性粒状製剤において、確実に水面浮遊性が見られ、且つ、容易な散布を実現し、又、散布時に農薬の被曝がなく、発生した粉塵による周囲の作物、環境への影響がない粒状製剤を提供すること。例文帳に追加

To produce a granular formulation capable of surely exhibiting water surface floating properties and realizing easy spraying without exposure to an agrochemical at the time of spraying and without affecting surrounding crops and environments due to produced dust in the water surface floating granular formulation having properties of self-diffusing an agrochemical active ingredient and having a larger shape than that of a conventional formulation. - 特許庁

フィールド酸化膜１５上において、トレンチ部と自己整合させながら容量素子部の下部電極２０を形成することにより、下部電極２０とメモリセル部の浮遊ゲート電極６０とを同一工程で同時に形成できるようにする。例文帳に追加

By forming a lower electrode 20 of a capacitive element section self-alignedly with a trench section on a field oxide film 15, the lower electrode 20 and a floating gate electrode 60 of a memory cell section can be formed simultaneously in one and the same process. - 特許庁

浮遊拡散層型出力回路におけるｐ型第二ウエル２３とｎ型層２４を自己整合で形成することによって、ｐ型第二ウエル２３をｎ型層２４の周辺で完全に空乏化し接合周辺部分の寄生容量をなくした。例文帳に追加

A p-type second well 23 and an n-type layer 24 in a stray diffusion layer type output circuit are formed in self-alignment ways to completely deplete the p-type second well 23 around the n-type layer 24 and eliminate the parasitic capacity around the peripheral part of the junction. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板上に形成された、ゲート絶縁膜と、浮遊ゲート層となる第１の導電体３と、制御ゲート層となる第２の導電体７と、第１の導電体と前記第２の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜６と、からなる自己整合的な二層ゲート構造を有するメモリセルを含む。例文帳に追加

The non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell, having a self-aligned two-layer gate structure which includes a gate insulating film formed on a semiconductor substrate, a first conductor 3 serving as a floating gate layer, a second conductor 7 serving as a control gate layer, and an insulation film 6 for electrically insulating the first conductor and the second conductor. - 特許庁

メモリセルは、半導体基板１０１上に形成された、ゲート絶縁膜２と、浮遊ゲート層となる第１の導電体３と、制御ゲート層となる第２の導電体７と、第１の導電体と第２の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜６からなる自己整合的な二層ゲート構造を有する。例文帳に追加

The memory cell has a self-aligned two-layer gate structure which is formed on a semiconductor substrate 101 and comprises a gate insulation film 2, a first conductor 3 which becomes the floating gate layer, a second conductor 7 which becomes the control gate layer, and an insulation film 6 for electrically insulating the first conductor and the second conductor. - 特許庁

本発明は、多結晶シリコン用化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）のためのスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法に関し、より詳しくはエッチング防止膜の素子分離酸化膜に比べて多結晶シリコンに対し高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜を研磨し、フラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲート（Self Align Floating Gate）を形成する半導体素子の形成方法に関する。例文帳に追加

A slurry composition for chemical mechanical polishing for the polycrystalline silicon and the semiconductor element utilizing it are formed, by a method wherein a trench element separation film is ground with the slurry having the grinding selection ratio with respect to the polycrystalline silicon, which is higher compared with the element separation oxide film of an etching prevention film, to form the self aligned floating gate of the flash memory element. - 特許庁