表面緩和の英語

試料の表面に傷などの影響を与えずに帯電を緩和させ、その表面分析を行えるようにする。例文帳に追加

To alleviate an electrostatic charge of a specimen without being influenced by a crack or the like on the surface of the specimen, and to analyze the surface. - 特許庁

加工物の表面に離型剤を塗布するので、加工物の表面の毛細管現象が緩和し、加工物から砥石を容易に離型できる。例文帳に追加

Since parting agent is supplied to the surface of the workpiece, a capillary phenomenon on the surface of the workpiece is reduced, and the grindstone can be easily released from the workpiece. - 特許庁

鋳型内表面と鋳塊表面との間に発生するエア・ギヤップを緩和した連続鋳造用鋳型を提供する。例文帳に追加

To provide a mold for continuous casting in which an air gap generated between its inner surface and the surface of an ingot is relaxed. - 特許庁

基板表面上に緩和ＳｉＧｅ層を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層内に分離領域およびウェル打込み領域を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層上に歪みＳｉ層を形成するステップとを含むステップで、歪みＳｉＣＭＯＳ構造が形成される。例文帳に追加

The SiCMOS structure is formed by the steps which include a step where a relaxing SiGe layer is formed on a substrate surface, a step where a separation region and a well implanting region are formed in the relaxing SiGe layer, and a step where a strain Si layer is formed on the relaxing SiGe layer. - 特許庁

花粉アレルゲンの存在する物品表面や空間中に噴霧又は塗布することにより、花粉アレルギー症状を緩和する環境を提供することができる、花粉アレルギー症状緩和用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a pollen allergosis-mitigating composition which can be sprayed or coated on a pollen allergen-existing surface of an article or in a pollen allergen-existing space to give an environment for mitigating pollen allergosis. - 特許庁

向上された緩和、かなり低い欠陥密度、および改善された表面品質を有する緩和されたＳｉＧｅオンインシュレータ基板を形成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a relaxed SiGe-on-insulator substrate having improved relaxation, comparatively low defect density, and improved surface quality. - 特許庁

表面に緩和樹脂が塗布された電子素子が基板に支持され、その全体が封止樹脂にてモールドされた樹脂封止型半導体装置において、緩和樹脂と封止樹脂との界面における剥離を防止すること。例文帳に追加

To prevent the peeling generated in the interface between a relaxation resin and a sealing resin, in a resin-sealed semiconductor device wherein its electronic element having a surface coated with the relaxation resin is so supported on its substrate as to mold the whole thereof by the sealing resin. - 特許庁

さらに、歪みＳｉ膜の応力に実質的に影響を及ぼすことなく、緩和ＳｉＧｅブロックを除去して、以前緩和ＳｉＧｅブロックが占めていた表面上に第２のゲート酸化物を形成することができる。例文帳に追加

Further, by removing the relaxed SiGe block without substantially influencing the stress of the strained Si film, a second gate oxide can be formed on the surface previously occupied by the relaxed SiGe block. - 特許庁