誘起酸化膜の英語

電荷のリークが起き難く、かつ、誘電率が高いゲート酸化膜、引いてはこのようなゲート酸化膜を持つ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a gate oxide film hardly causing a leak of a charge and having a high dielectric constant and to provide, in its turn, an element having this gate oxide film. - 特許庁

シリコン基板にシリコン酸化膜を形成する工程（Ｓ１０１）と、シリコン酸化膜又はシリコン基板にチャージを誘起する処理工程（Ｓ１０３）との間に、シリコン酸化膜とシリコン基板との間の界面準位密度を低減するための水素を含む雰囲気でのアニール工程（Ｓ１０２）を備える。例文帳に追加

An annealing step (S102) in an atmosphere containing hydrogen for reducing the interface level density between a silicon oxide film and a silicon substrate is provided between a step (S101) for forming a silicon oxide film on a silicon substrate and a processing step (S103) for inducing charges in the silicon oxide film or the silicon substrate. - 特許庁

半導体基板２上に、酸化物３ｂと、酸化物３ｂに囲まれた酸化物３ｂよりバンドギャップが小さいドット状の酸化物３ａとから構成される高誘電ゲート絶縁膜３を形成し、酸化物３ａと酸化物３ｂのバンドギャップ差に起因して生じるローカルポテンシャルミニマムに電子を蓄積する。例文帳に追加

A high dielectric gate insulation film 3 comprising an oxide 3b and dotted oxides 3a which are surrounded by the oxide 3b and each of which has a narrower bandgap than that of the oxide 3b is formed on a semiconductor substrate 2, and the electrons are accumulated in a local potential minimum generated by the difference between the bandgap of the oxide 3a and that of the oxide 3b. - 特許庁

第２の絶縁膜は、高誘電率絶縁膜であるとともに、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との界面で酸化還元反応が起こるのを抑制できる量の酸素を透過する膜厚で形成される。例文帳に追加

The second insulating film is formed as a high dielectric constant insulating film with a film thickness for transmitting oxygen, whose quantity makes it possible to prevent oxidation-reduction reaction from occurring on an interface between the first insulating film and the second insulating film. - 特許庁

この方法のいくつかの局面において、薄膜酸化物層は、酸化された第２のシリコン層の上に重なり、４００℃未満の温度で、高密度プラズマ励起化学蒸着処理および誘導結合プラズマソースによって形成される。例文帳に追加

In several aspects of the method, a thin-film oxide layer is superposed on the second silicon layer oxidized and formed by a high-density plasma excitation chemical vapor deposition treatment and the inductively coupled plasma source at a temperature lower than 400°C. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁膜にシリコン酸化膜と比較して誘電率が高い物質の膜を用いる場合、シリコン表面に自然酸化膜が生成されないように、また、シリコンとゲート絶縁膜の反応に起因する酸化膜が生成されないように、更にまた、水素の影響を排除すると共に固定電荷や界面準位の発生を抑止することを可能にしようとする。例文帳に追加

To avoid forming a natural oxide film on an Si surface, avoid forming an oxide film due to the reaction of Si with a gate insulating film, and eliminate the influence of H and suppress appearance of fixed charges or interface level wherein the gate insulation film uses a film of a material having a higher dielectric constant than that of an Si oxide film. - 特許庁

室温で、マンガン酸化物膜２に３．２ｅＶ（波長にして、約０．３９μｍ；青色）のレーザー光３を照射することにより、光誘起効果による材料中のスピン秩序の変化を生起させ、前記マンガン酸化物膜２の１μｍ近傍の光の透過率・伝導率を高速で制御する。例文帳に追加

Spin order in the material is changed owing to light inductive effect by irradiation of 3.2 eV (approximately 0.39 μm in wavelength and blue in color) of laser beam 3 to the manganese oxide 2 at room temperature, so that the light transmissiveness and electrical conductivity in the vicinity of 1 μm of the manganese oxide film 2 is controlled at high speed. - 特許庁