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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 誘起酸化膜に関連した英語例文

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誘起酸化膜の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 30



例文

電荷のリークがき難く、かつ、電率が高いゲート酸化、引いてはこのようなゲート酸化を持つ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a gate oxide film hardly causing a leak of a charge and having a high dielectric constant and to provide, in its turn, an element having this gate oxide film. - 特許庁

シリコン基板にシリコン酸化を形成する工程(S101)と、シリコン酸化又はシリコン基板にチャージをする処理工程(S103)との間に、シリコン酸化とシリコン基板との間の界面準位密度を低減するための水素を含む雰囲気でのアニール工程(S102)を備える。例文帳に追加

An annealing step (S102) in an atmosphere containing hydrogen for reducing the interface level density between a silicon oxide film and a silicon substrate is provided between a step (S101) for forming a silicon oxide film on a silicon substrate and a processing step (S103) for inducing charges in the silicon oxide film or the silicon substrate. - 特許庁

半導体基板2上に、酸化物3bと、酸化物3bに囲まれた酸化物3bよりバンドギャップが小さいドット状の酸化物3aとから構成される高電ゲート絶縁3を形成し、酸化物3aと酸化物3bのバンドギャップ差に因して生じるローカルポテンシャルミニマムに電子を蓄積する。例文帳に追加

A high dielectric gate insulation film 3 comprising an oxide 3b and dotted oxides 3a which are surrounded by the oxide 3b and each of which has a narrower bandgap than that of the oxide 3b is formed on a semiconductor substrate 2, and the electrons are accumulated in a local potential minimum generated by the difference between the bandgap of the oxide 3a and that of the oxide 3b. - 特許庁

第2の絶縁は、高電率絶縁であるとともに、第1の絶縁と第2の絶縁との界面で酸化還元反応がこるのを抑制できる量の酸素を透過する厚で形成される。例文帳に追加

The second insulating film is formed as a high dielectric constant insulating film with a film thickness for transmitting oxygen, whose quantity makes it possible to prevent oxidation-reduction reaction from occurring on an interface between the first insulating film and the second insulating film. - 特許庁

例文

この方法のいくつかの局面において、薄酸化物層は、酸化された第2のシリコン層の上に重なり、400℃未満の温度で、高密度プラズマ励化学蒸着処理および導結合プラズマソースによって形成される。例文帳に追加

In several aspects of the method, a thin-film oxide layer is superposed on the second silicon layer oxidized and formed by a high-density plasma excitation chemical vapor deposition treatment and the inductively coupled plasma source at a temperature lower than 400°C. - 特許庁


例文

半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁にシリコン酸化と比較して電率が高い物質のを用いる場合、シリコン表面に自然酸化が生成されないように、また、シリコンとゲート絶縁の反応に因する酸化が生成されないように、更にまた、水素の影響を排除すると共に固定電荷や界面準位の発生を抑止することを可能にしようとする。例文帳に追加

To avoid forming a natural oxide film on an Si surface, avoid forming an oxide film due to the reaction of Si with a gate insulating film, and eliminate the influence of H and suppress appearance of fixed charges or interface level wherein the gate insulation film uses a film of a material having a higher dielectric constant than that of an Si oxide film. - 特許庁

室温で、マンガン酸化2に3.2eV(波長にして、約0.39μm;青色)のレーザー光3を照射することにより、光効果による材料中のスピン秩序の変化を生させ、前記マンガン酸化2の1μm近傍の光の透過率・伝導率を高速で制御する。例文帳に追加

Spin order in the material is changed owing to light inductive effect by irradiation of 3.2 eV (approximately 0.39 μm in wavelength and blue in color) of laser beam 3 to the manganese oxide 2 at room temperature, so that the light transmissiveness and electrical conductivity in the vicinity of 1 μm of the manganese oxide film 2 is controlled at high speed. - 特許庁

シリコン基板の表面を比較的厚く酸化して、表面に光導波路となる石英を形成させる際、酸化積層欠陥を因とするパーティクルまたは凹状ピットが石英上に少ない高品質な光導波路基板を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an optical waveguide substrate of high quality in which particles or recessed pits caused by an oxidation- induced lamination defect are few on a quartz film when the quartz film becoming an optical waveguide is formed on the surface by oxidizing the surface of a silicon substrate relatively thick. - 特許庁

エチレンスルフィトもしくはその導体により負極22に安定な被が生成されると共に、炭酸エステル導体により正極21でこる電解液の酸化分解反応が抑制される。例文帳に追加

A stable film is formed on the negative electrode 22 by ethylene sulfite or its derivative, and oxidation decomposition reaction of the electrolytic solution occurring at the positive electrode 21 is suppressed by the carbonate derivative. - 特許庁

例文

アルカリ金属酸化物を含有する鉛フリー低融点ガラスからなる電体層の焼成時での透明導電の着色を惹きこすことなく、発光効率の低下を回避可能な薄配線層を提供する。例文帳に追加

To provide a thin wiring layer capable of avoiding deterioration of luminous efficiency without causing coloring of a transparent conductive film during baking of a dielectric layer made of lead-free glass of a low melting point containing alkaline metal oxide. - 特許庁

例文

また、第一の薄17上に第二の薄18を成する第二の成工程は、酸化ガスの含有率が高い第二のスパッタガス雰囲気で行われるので、酸素原子が補完され、第二の薄18を構成する電体材料に酸素欠損がこらず、その結晶性が崩れない。例文帳に追加

On the other hand, a second film forming process for forming a second thin film 18 on the first thin film 17 is carried out under a second spatter gas atmosphere, high in the contents of the oxidizing gas, whereby oxygen atom is supplemented and oxygen missing will not be caused in the dielectric material constituting the second thin film 18, thereby causing no collapse of crystallinity thereof. - 特許庁

表示装置用フィルター50aが、ナノサイズの金属微粒子が酸化物粒子の表面に付着した構造を有し、金属/酸化物界面で特定波長帯の光を選択的に共鳴吸収する表面プラズモン共鳴現象がされる。例文帳に追加

A filter film 50a for a display device has such a structure that metal fine particles of a nanometer size are deposited on the surfaces of oxide particles and that the surface plasmon resonance to selectively absorb light in a specified wavelength band by resonance is induced on the metal/oxide interface. - 特許庁

下部電極形成後、強電体を形成する熱処理プロセスを行った際に、強電体にIrの酸化物で構成される析出物が多数生じ、この析出物はキャパシタの下部電極と上部電極とを短絡してキャパシタのリーク電流を大きくし、その結果容量の低下、動作電流の増大を引きこす。例文帳に追加

To manufacture a reliable ferroelectric capacitor having small leakage current with a good yield. - 特許庁

多孔質11の材料としては、酸化物、窒化物及び炭化物の内の少なくとも1つを含むセラミックス、又は熱型相分離法により製造したポリオレフィンを用いる。例文帳に追加

Ceramics containing at least one of an oxide, nitride and carbide, polyolefin prepared by the heat-induced phase separation method are used as a material of porous membrane 11. - 特許庁

光蓄電電極1に光が照射されると、光触媒粒子1bにおいて電子及び正孔が励され、これらが電解液と導電性高分子1aとの間に酸化還元反応を発する。例文帳に追加

When the photoelectric storage electrode 1 is irradiated with light, electrons and holes are excited in the photocatalyst particles 1b, they induce an oxidation-reduction reaction between an electrolytic solution and the conductive polymer film 1a. - 特許庁

表面プラズモン共鳴または局在プラズモン共鳴をし得る構造の光学デバイスの特性が、金属酸化により劣化することを防止する。例文帳に追加

To prevent the characteristics of an optical device, which has a structure capable of inducing surface plasmon resonance or local plasmon resonance, from being deteriorated by the oxidation of a metal film. - 特許庁

欠陥がされ難くかつ水素や水分の耐性が強い金属酸化物をゲート絶縁として用いたMIS型電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an MIS field effect transistor using metallic oxide the defect of which is not caused easily and which resists hydrogen and water as a gate insulating film, and to provide a method for manufacturing the transistor. - 特許庁

半導体装置にされるチャージが要因とされるシリコン酸化の劣化を防止し、特性及び信頼性の高い半導体装置を製造することを可能にする。例文帳に追加

To fabricate a semiconductor device excellent in characteristics and reliability by preventing deterioration of a silicon oxide film due to charges being induced in the semiconductor device. - 特許庁

配線抵抗を上昇させることなく、電体焼成時におけるCu配線の酸化を抑制し、配線脇に残存する泡を因とした耐圧不良を回避可能な保護を提供する。例文帳に追加

To provide a protective film which can avoid breakdown voltage failures, caused by bubbles remaining aside of an interconnection by suppressing the oxidation of Cu interconnections, at baking of dielectrics without causing increase in the interconnection resistances. - 特許庁

多孔質シリカの焼成(形成)後に機械的強度を向上させる処理が不要で、かつ、下層への酸素の透過に因する下層の金属酸化や下層の有機電率の増加を抑制することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has no need of improving the mechanical strength after baking (forming) a porous silica film, and suppresses the oxidation of a lower layer metal film and the increase of the dielectric constant of a lower layer organic film due to the permeation of oxygen to the lower layer. - 特許庁

HSG形成を利用したキャパシタの製造方法で、電体薄の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化と一緒にHSGシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりHSG粒剥がれが発生して電極短絡がこる。例文帳に追加

To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation. - 特許庁

電体分離酸化14の表面への高温ポリシリコン層16の成長後、エッチング面が荒れにくいアルカリエッチによって、シリコンウェーハ10の裏面に回り込んだ高温ポリシリコン、裏面突16aを除去する。例文帳に追加

A high temperature polysilicon layer 16 is grown on the surface of a dielectric separate oxide film 14, and then a high temperature polysilicon spreading over the rear of a silicon wafer 10 and a rear projection 16a are removed by alkaline etching which hardly roughens an etched surface. - 特許庁

このため、ペアリングトランジスタ間では上述のアンテナ比が同一となり、プラズマ処理に際し、第6の金属配線層15aおよび15bの側面からゲート酸化2aおよび2bに加えられるプラズマダメージも両トランジスタ間で同一に設定される。例文帳に追加

Thereby, the above antenna ratios become the same between the pairing transistors, and plasma-caused damages made from the sides of the sixth metal- wiring layers 15a, 15b to the gate oxide films 2a, 2b can be also set the same between both of the transistors. - 特許庁

光源装置において、副反射鏡の反射面131の表層近傍に電体多層60の一部として酸化チタン63が形成されていることにより、光源ランプから放射される紫外線を含む光束によって光触媒反応がされるので、副反射鏡の反射面131に付着した有機物等の塵埃が分解され、除去される。例文帳に追加

In this light source device, since a photocalytic reaction is induced by the light flux containing ultraviolet emitted from a light source lamp because a titanium oxide film 63 is formed near a reflecting surface 131 of a sub reflecting mirror as a part of a dielectric multilayered film 60, dust such as an organic substance adhering to the reflecting surface 131 of the sub reflecting mirror is decomposed and removed. - 特許庁

人工骨材料がプラスチックのようなものであっても表面に水酸基を有する金属酸化を、高い接着強度で製することによって、これを生体内環境に設置するとリン酸カルシウム類の核形成をするような生体活性を有する被および該被を使用した複合材料を提供する。例文帳に追加

To provide a film being a hydroxyl-containing metal oxide film and having such bioactivity as to induce the formation of nuclei of a calcium phosphate when it is formed on the surface of an artificial bone material (even a plastic) with high bonding strength to form a product and the product is embedded in an environment within the living body and to provide a composite material using the film. - 特許庁

高可視光透過率および高断熱性を有するとともに高温高湿環境下に長期間放置してもAg酸化凝集して生じる斑点状の欠陥及び電体因する微少欠陥の発生を抑制し、しかも同じガス組成でも成可能なコストパフォーマンスに優れた高耐久性の熱線反射ガラスを得ること。例文帳に追加

To provide a heat-reflective glass on which a film having excellent cost-performance and high durability is formed even with the well-known gas composition having a high transparence, high heat-insulation property, without any spot defect caused by the oxidative coagulation of Ag film nor microdefect caused by dielectric film even after leaving in a hot and humid atmosphere for a long time. - 特許庁

本発明の課題は、希土類元素を含む希土類酸化物、希土類窒化物、または、希土類酸窒化物を電極間絶縁やブロック絶縁として用いる場合、後熱工程に因する質劣化を抑制し結晶化や電率低下を回避して、セル動作特性の良好な不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory having proper cell operation characteristics, by suppressing impairment of film quality resulting from a post-heating process, when a rare earth oxide, a rare earth nitride or a rare earth oxinitride containing a rare earth element is employed as an inter-electrode insulating film or a block insulating film, thereby avoiding crystallization or deterioration in the permittivity. - 特許庁

チャンバー15内に反応性ガスを導入し、その反応性ガスを励してプラズマを発生させることにより活性種およびイオンを生成し、チャンバー内に配置した基板14の表面に酸化を介して形成された高融点金属薄を、レジストパターンをマスクとして用いてドライエッチングする方法において、プラズマ源として、導結合プラズマ(ICP)を用いる。例文帳に追加

In the method for dry etching which by using the metallic film of a high melting point formed through an oxide film on the surface of a substrate 14 arranged in a chamber by introducing reactant gas in the chamber 15 and energizing the reactant gas to generate plasma to generate active species and ions with a regist pattern as a mask, an induction coupled plasma(ICP) is used as a plasma source. - 特許庁

光学媒体3中に設けられた光路2より金属酸化物の微結晶を含む非線形光学薄1に信号光を斜入射し、該非線形光学薄に可視励光を照射し、全反射現象をすることにより信号光の反射・透過挙動を制御して信号光をスイッチングする光スイッチにおいて、該非線形光学薄の屈折率の温度係数と該非線形光学薄に接する該光学媒体の屈折率の温度係数との差を15×10^−6/℃以下にする。例文帳に追加

The optical switch makes signal light be obliquely incident on the nonlinear optical thin film 1 containing microcrystal of metal oxide from an optical path 2 provided in an optical medium 3, irradiates the nonlinear optical thin film with visible exciting light, and induces a total reflection phenomenon to control reflection/transmission behavior of the signal light, thereby switching the signal light. - 特許庁

例文

本発明は、形成温度の高い金属酸化物を電体層とする薄コンデンサを、電子回路を構成する部材に損傷を与えることなく内蔵することで、高周波信号を伝送する際の電源ノイズ等に因した信号エラーの発生を抑制し、高品質・高信頼性を有する電子回路及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an electronic circuit of high quality and reliability together with its manufacturing method by incorporating a thin-film capacitor, with a metal oxide of high forming temperature as a dielectrics layer, without damaging a member constituting the electronic circuit so that a signal error caused by power-source noise and the like when a high-frequency signal is transmitted is suppressed from occurring. - 特許庁

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