Boundary currentとは 意味・読み方・使い方

A boundary condition setting part 140 successively sets boundary conditions in the active-material interface for the diffusion equation of the diffusion estimation part 100 on the basis of the estimated battery current density I(t).例文帳に追加

境界条件設定部１４０は、推定された電池電流密度Ｉ（ｔ）に基づいて、拡散推定部１００の拡散方程式の活物質界面での境界条件を逐次設定する。 - 特許庁

A phase difference between a current frame phase and a frame phase before a segment boundary is measured, and a width or a phase of a timing signal in a forecasting period on the segment boundary is adjusted based on the result of the measurement.例文帳に追加

現在のフレーム位相と、セグメント境界の前のフレーム位相との位相差を計測し、該計測結果に基づいてセグメント境界の予測期間のタイミング信号の幅または位相を調整する。 - 特許庁

A reference point Pb in a display range is set according to a vertical positional relationship between a current position Po of the excavator and the upper boundary line La or the lower boundary line Lb.例文帳に追加

掘削機械の現在位置Ｐｏと、上部境界線Ｌａあるいは下部境界線Ｌｂとの上下方向の位置関係によって、表示範囲の基準点Ｐｂが設定される。 - 特許庁

Because those designated Fudo-son statues have been relocated due to various circumstances such as that some temples became abolished or consolidated subsequent to the Meiji era, it can be said that the current addresses have lost their original role as kekkai (boundary between the sacred and worldly spaces).発音を聞く 例文帳に追加

現在の住所は、明治以降、廃寺、統合などで不動尊が移動しているので本来の結界の役を失ったといってよい。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To avoid a grain boundary in the direction perpendicular to current in crystallization due to laser annealing in a manufacturing process of a policrystalline silicon FET.例文帳に追加

多結晶シリコンＴＦＴの製造プロセス中でレーザーアニールによる結晶化における電流と垂直方向の粒界の生成を回避する。 - 特許庁

Thus, leakage current flowing through the crystal grain boundary of the niob pentoxide is reduced to realize a high permittivity and low temperature crystallization.例文帳に追加

それにより、五酸化ニオブの結晶粒界を流れるリーク電流を低減し、高誘電率化と低温結晶化を実現する技術を提供する。 - 特許庁

To effectively reduce the internal resistance of a capacitor by reducing contact resistance at the boundary between a current collector and an active material.例文帳に追加

集電体と活物質層との界面における接触抵抗を低下させることにより、キャパシタの内部抵抗を効果的に低下させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing reverse current in a boundary region between a diode region and an IGBT region.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間の境界領域における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁