DIETHYL ZINCとは 意味・読み方・使い方

To provide a diethyl zinc composition that improves the heat stability of diethyl zinc used for a polymerization catalyst, a reagent in organic synthesis, a starting material for producing a zinc oxide thin film by an MOCVD method and the like, and that is excellent in heat stability so that metallic zinc particles are not deposited even over long-term handling.例文帳に追加

重合触媒や有機合成試薬およびＭＯＣＶＤ法等による酸化亜鉛薄膜製造原料や等に使用されるジエチル亜鉛の熱安定性を向上させ，長期間取り扱っても金属亜鉛粒子が析出しない熱安定性に優れたジエチル亜鉛組成物を提供する。 - 特許庁

There are provided in a reaction tube 4 to be heated by a heater 5, a supply port 11a of a diethyl zinc supply injector 11 for supplying diethyl zinc to the reaction tube 4 and a supply port 12a of a AsH_3 supply injector 12 for supplying AsH_3.例文帳に追加

ヒータ５により加熱される反応管４内には、この反応管４内にジエチル亜鉛を供給するジエチル亜鉛供給インジェクター１１の供給口１１ａと、ＡｓＨ_3を供給するＡｓＨ_3供給インジェクター１２の供給口１２ａが設けられる。 - 特許庁

The transparent conductive layer is a film containing at least diethyl zinc or dimethylzinc as a source of zinc, and zinc oxide (ZnO) produced by a low-pressure CVD method using water or alcohol of a carbon number of 1 to 5 as a source of oxygen.例文帳に追加

また、前記透明導電層が、少なくとも亜鉛源としてジエチル亜鉛、又はジメチル亜鉛、及び、酸素源として水、又は炭素数１〜５のいずれかのアルコールを用いて減圧ＣＶＤ法により作製された酸化亜鉛（以下、ＺｎＯ）を含む膜である事を特徴とする。 - 特許庁

To provide a composition to be applied which is based on a partial hydrolysate of an organic zinc compound such as diethyl zinc and from which a zinc oxide thin film having average transmittance to visible light of ≥80% and low volume resistivity is prepared.例文帳に追加

ジエチル亜鉛等の有機亜鉛化合物の部分加水分解物をベースとした組成物から、可視光線に対して８０％以上の平均透過率と低体積抵抗率を有する酸化亜鉛薄膜を調製できる塗布用の組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of preparing a zinc oxide thin film, which has an average transmittance of 80% or more for visible light and a low volume resistivity, from a composition based on a partial hydrolyzate of an organic zinc compound such as diethyl zinc, and also to provide an antistatic thin film or the like using this method.例文帳に追加

ジエチル亜鉛等の有機亜鉛化合物の部分加水分解物をベースとした組成物から、可視光線に対して８０％以上の平均透過率と低体積抵抗率を有する酸化亜鉛薄膜を調製方法、この方法を用いて帯電防止薄膜等を提供する。 - 特許庁

The supply port 11a and the supply port 12a are provided within a temperature areas where diethyl zinc and AsH_3 are thermally decomposed, and are set on the lower side of a set position at the lowermost end of a GaAs wafer 1 arranged above and and below.例文帳に追加

この供給口１１ａと供給口１２ａは、ジエチル亜鉛とＡｓＨ_3が加熱分解され得る温度領域内で、かつ、上下方向に並べてセットされるＧａＡｓウェハー１の最下端のセット位置より下側に設けられる。 - 特許庁

In the forming method of p-type telluride zinc by reacting zinc material gas, telluride material gas and doping gas through an organic metal vapor phase growth method, dimethyl zinc is supplied as the zinc material gas, diethyl tellurium is supplied as the tellurium gas and triethyl arsenide is supplied as the doping gas to grow.例文帳に追加

有機金属気相成長法によって亜鉛原料ガス、テルル原料ガスおよびドーピングガスを反応させてｐ型のテルル化亜鉛を形成する方法において、亜鉛原料ガスとしてジメチル亜鉛、テルル原料ガスとしてジエチルテルル、およびドーピングガスとしてトリエチル砒素を供給して成長させる。 - 特許庁

In epitaxial growth of a p-type compound semiconductor film to which zinc is doped, an Sb-containing raw material (for example, trisdimethylaminoantimony; TDMASb) in a supply amount within a predetermined range is supplied together with a zinc-containing raw material (for example, diethyl zinc; DEZn) so as to increase an amount of incorporation of zinc into the compound semiconductor film (for example, InGaAs film).例文帳に追加

亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 - 特許庁