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EB in aとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 海老名
「EB in a」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 184件
To provide a method of forming a proper resist pattern by EB (electron beam) direct lithography and proper circuit pattern thereafter in a manufacturing process of semiconductor devices, etc., using the EB (electron beam) direct lithography, which coats the entire substrate uniformly with an EB (electron beam) direct lithography resist even in the presence of electrodes having a gold layer and wirings on the substrate.例文帳に追加
EB(電子線)直接描画を用いる半導体装置等の製造プロセスにおいて、基板上に金(Au)層を有する電極、配線が存在しても基板全体に均一にEB直接描画用レジストが塗布でき、EBの直接描画による良好なレジストパターン形成、その後の良好な回路パターンの形成を可能とした方法を提供する。 - 特許庁
To provide a culturing container for developing an embryoid (EB), developing the EB having a high quality from an embryonic stem cell (ES cell) easily in a good efficiency, and to provide a method for producing the same and a method for developing the EB.例文帳に追加
ES細胞から、効率よく、容易に質の高いEB体を形成することのできる胚様体形成用培養容器と、その製造方法、及び胚様体の形成方法を提供する。 - 特許庁
Since an Eb/N0 measuring instrument 206 measures Eb/N0 by using demodulation data synthesized by a synthesis part 204, more accurate Eb/N0 measurement can be performed even in a deteriorated receiving environment.例文帳に追加
Eb/N0測定器206は、合成部204により合成された後の復調データを用いてEb/N0測定を行うので、劣化した受信環境下においても、より精度の高いEb/N0測定が可能となる。 - 特許庁
To consistently secure stable cleaning property in a drum (EB) whose wear rate is low.例文帳に追加
磨耗レートが低いドラム(EB)に対して、終始にわたり安定したクリーニング性を確保する。 - 特許庁
In a stage where processing at a high-voltage side electrode sufficiently is performed, the input side of a high-voltage relay S is connected to a third grid, and the output side thereof is connected to the grounding side of a constant voltage power source Eb.例文帳に追加
高圧側電極の処理が十分に為された段階で、第3グリッドに高圧リレーS の入力側を接続し、出力側を定電圧電源Ebの接地側に接続する。 - 特許庁
In the case that the likelihood is a threshold value A or below, a reference Eb/I0 is increasingly updated immediately (step 105).例文帳に追加
ゆう度がしきい値A以下の場合、すぐに基準Eb/I0を上げるように更新する(ステップ105)。 - 特許庁
A round base plate 11 having a resist for electron beam lithography is rotated in the X direction, then an electron beam EB scans it radially (Y direction) from Y1 to Y2.例文帳に追加
電子ビーム描画用レジスト12を有する円形基板11をX方向に回転させながら、電子ビームEBを基板径方向(Y方向)にY1からY2まで走査させる。 - 特許庁
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「EB in a」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 184件
In a lithographic operation, generally various adjustment/ correction operations are performed for the EB lithographic system 5, and then the EB lithographic data (pattern) stored in the pattern memory 8 are drawn.例文帳に追加
描画に際しては、一般的には、EB描画装置5の各種の調整・較正作業を実施した後に、パターンメモリ8に格納されているEB描画データ(パターン)を描画する。 - 特許庁
Simultaneous attack by a player plane P and allied planes Fa, Fb and Fc, four planes in total, against enemy facilities Ea, Eb, Ec and Ed is executed in a game for executing a prescribed target action by a player character in collaboration with other characters.例文帳に追加
該ゲームでは、プレーヤ機P及び僚機Fa,Fb,Fcの合計4機が敵施設Ea,Eb,Ec,Edを同時に攻撃する同時攻撃を遂行する。 - 特許庁
To provide an EB (electron beam) transfer mask which can be easily manufactured and which can suppress deterioration in the accuracy of drawing a pattern due to the spatial charge effect, resist heating or the like caused during the EB transfer in the process of forming an EB transfer mask data composed of complementary masks.例文帳に追加
コンプリメンタリーマスクで構成されるEB(電子線)転写マスクデータの作成において、EB転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なEB転写マスクを提供する。 - 特許庁
To provide a wiring structure for semiconductor device in which observations by means of an EB taster can be performed easily.例文帳に追加
EBテスタによる観測が容易な構成を備えた、半導体装置の配線構造を提供する。 - 特許庁
To provide a film-forming method which can form a film with high accuracy in a shortened process period of time, and to provide an EB-PVD apparatus.例文帳に追加
高精度で、かつ、工程期間短くして、成膜を可能とする成膜方法およびEB−PVD装置を提供する。 - 特許庁
To perform a low temperature control even in a positioning device installed in an environment such as an EB exposure device where a Peltier element cannot be used.例文帳に追加
EB露光装置などペルチェ素子が利用できない環境に設置される位置決め装置においても、低温の温度制御を可能にする。 - 特許庁
This paperboard has 1.2-1.5 (Eb/Es) value where a bend elastic constant Eb is measured from a taper rigidity Ms measured in the travel direction in winding by JIS P8125 and a linear elastic constant Es is measured in the travel direction in winding.例文帳に追加
巻き取りの走行方向で測定したJIS P8125によるテーバーこわさMsから計算される曲げ弾性率Ebを、巻き取りの走行方向で測定した引張り弾性率Esで除したEb/Esの値が、1.2以上かつ1.5以下である板紙。 - 特許庁
A deflection part 13 deflecting the electron beam EB is arranged in a beam formation electrode 12 accelerating an electron emitted from the filament 11 and forming an electric field generating the electron beam EB so that the electron beam EB is protruded on the emission side beyond an opening part.例文帳に追加
フィラメント11より放出された電子を加速して電子ビームEBを生成する電界を形成するためのビーム形成電極12に、その開口部よりも電子ビームEBが射出する側に突出するように、電子ビームEBを偏向するデフレクション部13を設ける。 - 特許庁
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