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Ge of anとは 意味・読み方・使い方
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Wiktionary英語版での「Ge of an」の意味 |
geofan
出典:『Wiktionary』 (2025/05/01 17:33 UTC 版)
動詞
- Alternative form of ġiefan
- late 9th century, Old English Martyrology
-
Him mon brōhte gold tō ġefe, on þǣm wæs ġetācnod þæt hē wæs sōð cyning. Ōðer him brōhte reċels, on þǣm wæs ġetācnod þæt hē wæs sōð god. Sē þridda him brōhte myrran þā wyrt, on þǣm wæs ġetācnod þæt hē wæs dēadlīċ mon, ond þæt hē þurh his ānes dēað ealle ġelēaffulle men ġefrēode fram ēċum dēade.
- On man brought gold to give to him, which signified that he was a true king. The second brought him incense, which signified that he was the true god. The third brought him the myrrh-plant, which signified that he was a mortal man, and that through his death alone, he freed all faithful men from eternal death.
-
- late 9th century, Old English Martyrology
Conjugation
「Ge of an」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 285件
This negative electrode material consists of an amorphous phase of Si and/or Ge, or of this amorphous phase and a solid solution or a phase of intermetallic compound of Si and/or Ge.例文帳に追加
Siおよび／またはGeの非結晶質相、またはこれとSiおよび／またはGeの固溶体または金属間化合物の相とからなる負極材料。 - 特許庁
To form an excellent Ge oxide film on a boundary surface of a Ge substrate and an insulating film.例文帳に追加
Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁
Thus, a substitution of a Ge atom to a Ga atom position and a suppression of generation of an N vacancy are sufficiently executed, and hence an activity as a toner of an impurity Ge atom can be improved.例文帳に追加
これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。 - 特許庁
To form a Ge oxide film on a surface of a Ge substrate without generating an in-film deficit.例文帳に追加
膜中欠損を生じさせることなくＧｅ基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁
In a bipolar transistor using an SiGe mixed crystal layer as a base, the Ge compsns. of an emitter-base junction region and base-collector junction region which is adjacent the base layer are made higher than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加
SiGe混晶層をベースに用いたバイポーラトランジスタにおいて、ベース層に隣接するエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くした構造。 - 特許庁
A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加
前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁
Then, the substrate is heated to form an (Ni_1-xPt_x)Ge thin film made of three elements, e.g. Ni, Pt and Ge on the Ge substrate.例文帳に追加
その後、熱処理を加えることによって、Ｇｅ基板上にＮｉ、Ｐｔ、Ｇｅの三元素からなる（Ｎｉ_1-xＰｔ_x）Ｇｅ薄膜が形成された。 - 特許庁
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「Ge of an」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 285件
Shearing stress of the Ge island 2 is distributed over an inclined side surface and a periphery of a top surface of the Ge island 2, and dislocation of the Ge island 2 can be moved to the side surface and the periphery of the top surface of the Ge island 2.例文帳に追加
ここでは、Ｇｅアイランド２の剪断応力が、Ｇｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁に分布し、Ｇｅアイランド２の転位をＧｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁まで移動させることができる。 - 特許庁
The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.例文帳に追加
高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁
To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加
Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce a contact resistance of a contact formed on an n-type Ge.例文帳に追加
ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。 - 特許庁
An impurity as an acceptor is any one of C, Si, Ge, and Sn.例文帳に追加
そのアクセプタとしての不純物としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかを用いる。 - 特許庁
The composite material is formed of an element of one or more kinds selected from Cu, Si, and Ge as an additive and a remainder using a silver alloy formed of Ag and an impurity as a metal matrix.例文帳に追加
Cu,Si,及びGeから選択される1種類以上の元素を添加元素とし、残部がAg及び不純物からなる銀合金を金属マトリクスとする複合材料である。 - 特許庁
By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加
このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁
This health apparatus is constituted of a sintered alloy containing 3-15 mass% of Ge and a remaining part of which is an alloy of Ti and Ge and an inevitable impurity.例文帳に追加
健康器具をＧｅ：３〜１５質量％を含み、残部がＴｉまたはＴｉとＧｅとの合金および不可避不純物である焼結合金により構成する。 - 特許庁
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