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M N Oとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 MNOとは、移動体通信を行う回線網を自社で持ち、通信サービスを提供する通信事業者のことである。、移動通信事業者、MNO、移動体通信事業者、エム‐エヌ‐オー
「M N O」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 65件
R-O-(PO)_m-(EO)_n-H (1), and R1-O-[(PO)_x/(EO)_y]-SO3M (2).例文帳に追加
R−O−(PO)m−(EO)n−H(1)R1−O−[(PO)x/(EO)y]−SO3M(2) - 特許庁
The glycogen synthase kinase 3β inhibitor comprises a compound represented by the general formula: S=C=N-(CH_2)_n-S(O)_m-R (wherein, R is a lower alkyl group; m is 1 or 2; and n is an integer of 2-10) as an active ingredient.例文帳に追加
一般式:S=C=N-(CH_2)_n-S(O)_m-R(Rは低級アルキル基、mは1または2、nは2〜10の整数である)で表される化合物を有効成分とすることを特徴とする。 - 特許庁
and branch type compound (D) expressed by the following general formula wherein R1, R2, R3 represents either of ethylene or 1, 2-propylene group and total sum of m, n, o is 2≤m+n+o≤8.例文帳に追加
(上記式中、R^1、R^2、R^3はエチレン、1,2−プロピレン基のいずかであり、m、n、oの総和が2≦m+n+o≦8である。) - 特許庁
The composition of oxygen that is introduced into the gate insulating film is controlled to satisfy (X)m(Y)1-m(N)n(O)q(m, n) as a function of the composition n of nitrogen and the composition m of the transition metal, and the gate insulating film comprising a metal oxide including nitrogen is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加
ゲート絶縁膜中に導入する酸素の組成を、窒素の組成nおよび遷移金属の組成mの関数として、 (X)m(Y)1-m(N)n(O)q(m,n)を満たすように制御し、半導体基板上に、窒素を含む金属酸化物から成るゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁
The lubricant of the lubricating layer 53 of the head slider 50 is represented by -(CF2-CF20)n-(CF2-0)m- in its main chain structure and has a structure whose end group is AM system.例文帳に追加
ヘッドスライダ50の潤滑層53の潤滑剤は、主鎖構造が -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m- であり、末端基がAM系である構造を有するものである。 - 特許庁
The lubricant of the lubricating layer 43 of the hard disk 40 is represented by -(CF2-CF20)n-(CF2-0)m- in its main chain structure and has a structure whose end group is Zdol system.例文帳に追加
ハードディスク40の潤滑層43の潤滑剤は、主鎖構造が -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m- であり、末端基がZdol系である構造を有するものである。 - 特許庁
m=5-40 mol%, n=10-60 mol%, o=1-10 mol% and p=5-50 mol%.例文帳に追加
m=5〜40モル%、n=10〜60モル%、o=1〜10モル%、及び、p=5〜50モル%である。 - 特許庁
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「M N O」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 65件
This polycarbodiimide-based block copolymer is represented by formula (1): X-[-(A)m-(B)n-]o-X.例文帳に追加
式(I) X−[−(A)_m−(B)_n−]_o−X (I)、 で示されるポリカルボジイミドベースのブロックコポリマー。 - 特許庁
In the formula (1), R1, R2 and R3 each represents a hydrogen atom, and m, n and o are natural numbers 0-100.例文帳に追加
[式(1)中、R1、R2及びR3は水素原子、m、n及びoは0〜100の自然数を示す] - 特許庁
The magnetic films 7, 8 are formed, for example, of an Fe-M-O film or an Fe-M-N film, and the insulating films 6a, 6b, 6c are formed, for example, of an SiO_2 film.例文帳に追加
磁性膜7,8は例えば、Fe−M−O膜、Fe−M−N膜、絶縁膜6a,6b,6cは例えばSiO_2膜で形成できる。 - 特許庁
In formula (II), X^11 is SO_2-O or CO-O and M^11 is a hydrogen atom or an n^11-valent metal atom; and n^11 is an integer of 1-6.例文帳に追加
一般式(II)中、X^11はSO_2−OまたはCO−Oを表し、M^11は水素原子またはn^11価の金属原子を表し、n^11は1〜6の整数を表す。 - 特許庁
For n active nodes (200), m standby nodes (300) of different characteristics (in terms of CPU performance, I/O performance, communication performance, and the like) are prepared.例文帳に追加
n個の実行系ノード200に対して異なる特性(CPU性能、I/O性能、通信性能など)をもつm個の待機系ノード300を用意しておく。 - 特許庁
In the formula, X denotes C^1, N, O atoms, M denotes C, N atoms, Y denotes C, N atoms, Z denotes C, N atoms, A and B denote carbon cycles or heterocyles of 5 to 6 members, and Me denotes iridium, platinum, and osmium.例文帳に追加
(式中、XはC^1,N,O原子を,MはC,N原子を,YはC,N原子を,ZはC,N原子を,AおよびBは5〜6員の炭素環または複素環を,Meはイリジウム,プラチナ,オスミウムを表わす) - 特許庁
C_nH_2n+1-O-C_mH_2m+1... (1) [wherein, (n) is 1 or 2; (m) is an integer of ≥4].例文帳に追加
C_nH_2n+1−O−C_mH_2m+1 …(1)(式中、nは1または2であり、mは4以上の整数を表す。) - 特許庁
The non-magnetic materials D are sorted into the metal- concentrated M, O, Q and the resin-concentrates N, P, R by a jigging sorter.例文帳に追加
非磁性物Dは、ジグ選別機により金属濃縮物M、O、Qと樹脂濃縮物N、P、Rに選別する。 - 特許庁
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