MOSFET characteristicとは 意味・読み方・使い方

To provide a spin MOSFET which turns a spin reversely in a low current density and whose output characteristic caused by the reversal of the spin is large.例文帳に追加

低電流密度でスピン反転し、かつスピン反転による出力特性が大きなスピンＭＯＳＦＥＴを提供することを可能にする。 - 特許庁

To accurately measure Id-Vg characteristic when using a pseudo MOSFET for evaluating an SOI substrate, and to minimize the influence over aging for obtaining a value with superior producibility.例文帳に追加

擬似ＭＯＳＦＥＴを用いてＳＯＩ基板を評価するときにＩｄ−Ｖｇ特性を精度良く測定できる。 - 特許庁

To prevent the characteristic variations of an MOSFET (gate oxide film thickness=Tox1) in a first nMOS integrated circuit in a semiconductor device and the characteristic variations of the MOSFET (gate oxide film thickness=Tox2≠Tox1) of a second nMOSFET integrated circuit in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置内の第１のｎＭＯＳ集積回路内のＭＯＳＦＥＴ（ゲート酸化膜厚＝Ｔｏｘ１）の特性ばらつきと、半導体装置内の第２のｎＭＯＳＦＥＴ集積回路のＭＯＳＦＥＴ（ゲート酸化膜厚＝Ｔｏｘ２≠Ｔｏｘ１）の特性ばらつきとを防止すること。 - 特許庁

To provide a ground switch circuit that uses an inexpensive MOSFET to change over ground and non-ground and has a high shielding characteristic during non-ground and a very appropriate ground characteristic during ground.例文帳に追加

安価なＭＯＳＦＥＴを用いて接地と非接地を切り替える接地スイッチ回路において、非接地時には高い遮断特性を有し、接地時には非常に良好な接地特性を有する接地スイッチ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein impairment of transistor characteristic can be prevented and deterioration of yield can be restrained in a semiconductor device which has an MOSFET formed on a strained silicon layer on a silicon germanium layer.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層上の歪みシリコン層上に形成されたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、トランジスタ特性の劣化を防止でき、歩留まりの低下を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To realize an output circuit by which the dispersion of output MOSFET of IC and the dispersion of characteristic impedance in a transmission line are coped with and the output impedance is optimized.例文帳に追加

ＩＣの出力ＭＯＳＦＥＴのバラツキや伝送線の特性インピーダンスのバラツキに対処し、その出力インピーダンスを最適化しうる出力回路を実現する。 - 特許庁

In reflux, the potentials of the control electrode and the SBD electrode are controlled not to flow the current into a parasitic diode of the MOSFET and to make the current flow into the SBD to improve the recovery characteristic.例文帳に追加

還流時には、ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードに電流が流れないように制御電極とＳＢＤ電極の電位を制御して、ＳＢＤに電流が流れるようにし、リカバリ特性を向上させる。 - 特許庁

To restrain characteristic changes due to hot carriers, while a high current capability is being maintained, and to prevent a reduction in a junction capacitance and drop in the drain breakdown strength in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴにおいて、高い電流能力を保ちつつ、ホットキャリアによる特性変動の抑制と接合容量の低減及びドレイン耐圧の低下の防止を図る。 - 特許庁