「MOSFET characteristic」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device suppressed in a crystal defect in an n-type MOSFET while keeping a characteristic of a p-type MOSFET, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴの特性を維持したまま、ｎ型ＭＯＳＦＥＴにおける結晶欠陥を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a trench gate type power MOSFET having a small element characteristic index Ron/Qgd and high avalanche resistance.例文帳に追加

素子特性指標Ｒｏｎ・Ｑｇｄの値が小さく、且つ、アバランシェ耐量が大きいトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To provide a spin MOSFET which turns a spin reversely in a low current density and whose output characteristic caused by the reversal of the spin is large.例文帳に追加

低電流密度でスピン反転し、かつスピン反転による出力特性が大きなスピンＭＯＳＦＥＴを提供することを可能にする。 - 特許庁

To accurately measure Id-Vg characteristic when using a pseudo MOSFET for evaluating an SOI substrate, and to minimize the influence over aging for obtaining a value with superior producibility.例文帳に追加

擬似ＭＯＳＦＥＴを用いてＳＯＩ基板を評価するときにＩｄ−Ｖｇ特性を精度良く測定できる。 - 特許庁

To prevent the characteristic variations of an MOSFET (gate oxide film thickness=Tox1) in a first nMOS integrated circuit in a semiconductor device and the characteristic variations of the MOSFET (gate oxide film thickness=Tox2≠Tox1) of a second nMOSFET integrated circuit in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置内の第１のｎＭＯＳ集積回路内のＭＯＳＦＥＴ（ゲート酸化膜厚＝Ｔｏｘ１）の特性ばらつきと、半導体装置内の第２のｎＭＯＳＦＥＴ集積回路のＭＯＳＦＥＴ（ゲート酸化膜厚＝Ｔｏｘ２≠Ｔｏｘ１）の特性ばらつきとを防止すること。 - 特許庁

To provide a ground switch circuit that uses an inexpensive MOSFET to change over ground and non-ground and has a high shielding characteristic during non-ground and a very appropriate ground characteristic during ground.例文帳に追加

安価なＭＯＳＦＥＴを用いて接地と非接地を切り替える接地スイッチ回路において、非接地時には高い遮断特性を有し、接地時には非常に良好な接地特性を有する接地スイッチ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein impairment of transistor characteristic can be prevented and deterioration of yield can be restrained in a semiconductor device which has an MOSFET formed on a strained silicon layer on a silicon germanium layer.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層上の歪みシリコン層上に形成されたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、トランジスタ特性の劣化を防止でき、歩留まりの低下を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To realize an output circuit by which the dispersion of output MOSFET of IC and the dispersion of characteristic impedance in a transmission line are coped with and the output impedance is optimized.例文帳に追加

ＩＣの出力ＭＯＳＦＥＴのバラツキや伝送線の特性インピーダンスのバラツキに対処し、その出力インピーダンスを最適化しうる出力回路を実現する。 - 特許庁

In reflux, the potentials of the control electrode and the SBD electrode are controlled not to flow the current into a parasitic diode of the MOSFET and to make the current flow into the SBD to improve the recovery characteristic.例文帳に追加

還流時には、ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードに電流が流れないように制御電極とＳＢＤ電極の電位を制御して、ＳＢＤに電流が流れるようにし、リカバリ特性を向上させる。 - 特許庁

To restrain characteristic changes due to hot carriers, while a high current capability is being maintained, and to prevent a reduction in a junction capacitance and drop in the drain breakdown strength in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴにおいて、高い電流能力を保ちつつ、ホットキャリアによる特性変動の抑制と接合容量の低減及びドレイン耐圧の低下の防止を図る。 - 特許庁

When inspecting a characteristic of the output terminal 5 which outputs a constant voltage, a gate voltage of the N-channel MOSFET is controlled, thereby enabling its drain current to be equal to load current in the inspection condition of the output terminal.例文帳に追加

定電圧を出力する出力端子５の特性検査時において、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を制御して、そのドレイン電流を出力端子の検査条件の負荷電流と等しくすることができる。 - 特許庁

In the booster part 10; a reverse-flow blocking diode 3 is formed by a SiC diode, and a MOSFET 4 has a switching frequency characteristic and on-resistance which are equivalent to those of the reverse-flow blocking diode 3.例文帳に追加

昇圧部１０において、逆流阻止ダイオード３はＳｉＣダイオードで形成され、ＭＯＳＦＥＴ４は、逆流阻止ダイオード３と同程度のスイッチング周波数特性及びオン抵抗を有している。 - 特許庁

An electric characteristic of a MOSFET is measured by making a probe terminal 15 contact to the terminal contact portion 12 of the measurement terminal 10, and making the probe terminal contact to the gate electrode and the source electrode.例文帳に追加

測定用端子１０の端子接触部１２にプローブ端子１５を接触させるとともに、ゲート電極およびソース電極にプローブ端子を接触させて、ＭＯＳＦＥＴの電気的特性を測定する。 - 特許庁

To provide a MOSFET driving circuit of which the output load fluctuation characteristic is improved and the external parts of which can be inexpensive by changing the constitution of a charging pump circuit and intermittently operating it.例文帳に追加

チャージポンプ回路の構成を変更し、且つ間欠動作させることで、出力負荷変動特性を改善すると共に、外付け部品を安価なもので済むＭＯＳＦＥＴ駆動回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a TFT, which is completely separated by insulating films, has no parasitic MOSFET at the tip parts of a separated semiconductor layer and has a small dispersion in its characteristic.例文帳に追加

絶縁膜により完全に分離されたＴＦＴにおいて、分離された半導体層の端部に寄生ＭＯＳＦＥＴを生じさせず、特性ばらつきの小さいＴＦＴを提供すること。 - 特許庁

To provide a technique for manufacturing a MOSFET device of 0.05 μm or smaller in size having a super halo doping profile, which provides an excellent short channel characteristic.例文帳に追加

優れた短チャネル特性を提供するスーパー・ハロ・ドーピング・プロフィルを持つ、０．０５μｍ以下のＭＯＳＦＥＴデバイスを製作する技法を提供すること。 - 特許庁

The compensation circuits 8, 9 arithmetically operate to approximate a temperature characteristic of an on resistance Ron of the MOSFET 1 to approximate straight lines corresponding to first and second temperature ranges, respectively, and change inclinations thereof.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１のオン抵抗Ｒｏｎの温度特性を第１および第２の温度領域のそれぞれに対応した近似直線で近似し、傾きを変えるように補正回路８、９で演算処理する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device provided with an MIM type capacitor by which the degradation of MOSFET characteristic can be suppressed and the defusion of oxidizing impurities in a base insulation film to a lower electrode can also be suppressed.例文帳に追加

ＭＩＭ型のキャパシタを備える半導体装置の製造方法であって、ＭＯＳＦＥＴの特性低下を抑制しつつ、下地絶縁膜中の酸化性不純物の下部電極への拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide a method which improves a characteristic deterioration caused by carbon, sub-oxide or dangling bond included in an inter-electrode insulating film of a capacity for use in a gate insulating film of a MOSFET or a memory device and enhances a characteristic of the insulating film.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜やメモリーデバイスに用いられる容量の電極間絶縁膜中に含まれるカーボン、サブオキサイド、ダングリングボンド等に起因する特性劣化を改善し、絶縁膜の特性を向上させる方法を提供する。 - 特許庁

To improve electric characteristics and device performance by improving an interface characteristic between a high-K dielectric film and a metal gate in a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。 - 特許庁

When the pad oxide layer is combined with the gate insulator of high permittivity, low overlap capacity, short channel length and superior device characteristic can be realized, as compared with an MOSFET device which is formed by using a normal complementary metal oxide film semiconductor(CMOS) method.例文帳に追加

パッド酸化物層は、高誘電率のゲート絶縁体と組み合わされると、普通の相補形金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）方法を用いて形成されるＭＯＳＦＥＴデバイスに比べて、低オーバーラップ容量，短チャネル長，および良好なデバイス性能を生じる。 - 特許庁

To provide a highly efficient DC power supply device reducing loss of a diode by utilizing the characteristic of low on-resistance of MOSFET to the most, along with a refrigeration cycle device equipped with the same, and an air conditioner and a refrigerator mounted with the same.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗の特性を最大限に利用することでダイオードにおける損失を低減し、高効率な直流電源装置、これを備えた冷凍サイクル装置、並びに、これを搭載した空気調和機及び冷蔵庫を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor element, having a satisfactory characteristic by removing a carbon cluster which is generated in a MOS interface in the thermal oxidation operation of a carbide semiconductor substrate and which lowers the mobility of, e.g. a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit device that is provided with a delay circuit having a prescribed delay time without being affected by factors such as power supply voltage fluctuation, temperature fluctuation and dispersion in a characteristic of a MOSFET or with an oscillation circuit using the delay circuit.例文帳に追加

電源電圧変動、温度の変動及びＭＯＳＦＥＴの特性のバラツキなどの要因に影響されないで一定の遅延時間を持つ遅延回路又はそれを用いた発振回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of avoiding nitrogen from being delivered to a boundary between a gate insulating film and a silicon substrate, thereby being capable of preventing the characteristic of the device from being deteriorated in the case of manufacturing a thin silicon nitride oxide film that is a gate insulating film of a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜であるシリコン窒化酸化膜の薄膜化において、窒素をゲート絶縁膜とシリコン基板の界面に導入しないようにし、デバイス特性劣化の防止が可能な半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a highly efficient DC power supply device reducing loss in a diode by utilizing a characteristic of low on-resistance of a MOSFET to the most, to provide a refrigeration cycle device equipped with the same, and to provide an air conditioner and a refrigerator mounting the same.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗の特性を最大限に利用することでダイオードにおける損失を低減し、高効率な直流電源装置、これを備えた冷凍サイクル装置、並びに、これを搭載した空気調和機及び冷蔵庫を得る。 - 特許庁

To solve a problem wherein, when an electric characteristic of an SOI wafer is evaluated by a pseudo-MOSFET, and a gate voltage is applied through a BOX layer, a current flows on a surface of an SOI layer in the case where a depletion layer does not reach the surface of the SOI layer, and an SOI/BOX layer interface can not be evaluated.例文帳に追加

Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴによってＳＯＩウェーハの電気特性を評価する際、ＢＯＸ層を通じてゲート電圧を印加した際、空乏領域がＳＯＩ層表面にまで届いていない場合、ＳＯＩ層表面で電流が流れてしまい、ＳＯＩ／ＢＯＸ層界面の評価が不可能になってしまう。 - 特許庁