意味 | 例文 (7件) |
PiQとは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「PiQ」の意味 |
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PIQ
human | 遺伝子名 | PIQ |
同義語(エイリアス) | KIAA0036; SLSN5; IQCB1; OK/SW-cl.85; NPHP5; IQ calmodulin-binding motif containing 1; Nephrocystin-5; IQ calmodulin-binding motif-containing protein 1; IQ motif containing B1 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q15051 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:9657 | |
その他のDBのID | HGNC:28949 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「PiQ」を含む例文一覧
該当件数 : 7件
Thereby, it is possible to prevent water and humidity out of circumference from permeating into the PIQ film 9b.例文帳に追加
これにより、周囲からの水分や湿気がPIQ膜9bへ浸透するのを防ぐ。 - 特許庁
Then, a second organic film 23 constituted of PIQ is formed on the second insulating film 22.例文帳に追加
次いで、第2の絶縁膜22上に、PIQよりなる第2の有機膜23を形成する。 - 特許庁
At least a surface of Au film 13 and the proximity of an opening in a protective film 11 are covered with a protective film 14 made of organic material such as polyimideamide (PEAI) or polyimide (PIQ).例文帳に追加
ポリイミドアミド(PEAI)もしくはポリイミド(PIQ)などの有機系材料で構成される保護膜14によって、少なくともAu膜13の表面および保護膜11における開口部近傍を覆う。 - 特許庁
The base metal BLM of a CCB bump 5 is formed on a surface protection film 10 where an inorganic insulating film 10a and a PIQ film 10b are stacked, and the fuse 8 which constitutes part of the redundancy circuit is formed only on the inorganic insulating film 10a.例文帳に追加
CCBバンプ5の下地金属BLMは、無機絶縁膜10aおよびPIQ膜10bが積層された表面保護膜10の上層に形成し、冗長回路の一部を構成するヒューズ8は、無機絶縁膜10a上のみに形成する。 - 特許庁
A first organic film 21 constituted of PIQ is formed on a semiconductor substrate 12 having a hole element area 14, whose surface is covered with a first insulating film 20 constituted of a silicon oxide film, and a second insulating film 22 constituted of silicon nitride film is formed.例文帳に追加
ホール素子領域14を備え、表面がシリコン酸化膜からなる第1の絶縁膜20で覆われた半導体基体12上に、PIQよりなる第1の有機膜21を形成し、次いで、シリコン窒化膜よりなる第2の絶縁膜22を形成する。 - 特許庁
After a metallic layer 8a, which constitutes a part of a foundation metal BLM for a CCB bump, is processed by using a resist pattern 13 as a mask, a hydrophobic fluoride layer 12 is formed by plasma processing using fluorine gas in a surface of a PIQ film 9b while leaving the resist pattern 13.例文帳に追加
CCBバンプ用の下地金属BLMの一部を構成する金属層8aをレジストパターン13をマスクとして加工した後、レジストパターン13を残したままPIQ膜9bの表面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理によって、疎水性のフッ化物層12を形成する。 - 特許庁
PIQ 30 and a resist 31 are applied from the surface, and prescribed domains of the first semiconductor layer 21 and the insulating layer 22 are removed from the back surface, to thereby expose the second semiconductor layer 23 in a domain where the moving part 1 and the fixed electrodes 6, 7 are formed.例文帳に追加
表面からPIQ30及びレジスト31を塗布し、裏面より第1の半導体層21および絶縁層22の所定領域を除去して可動部1と固定電極6、7を形成する領域において第2の半導体層23が露出させる。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「PiQ」の意味 |
PiQ
出典:『Wikipedia』 (2010/10/24 23:32 UTC 版)
1
Atach Tatuq
百科事典
2
IQ motif containing B1
遺伝子名称
3
NPHP5
遺伝子名称
4
Nephrocystin-5
遺伝子名称
5
OK/SW-cl.85
遺伝子名称
6
SLSN5
遺伝子名称
9
IQCB1
遺伝子名称
10
KIAA0036
遺伝子名称
|
意味 | 例文 (7件) |
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Text is available under Creative Commons Attribution-ShareAlike (CC-BY-SA) and/or GNU Free Documentation License (GFDL). Weblio英和・和英辞典に掲載されている「Wikipedia英語版」の記事は、WikipediaのPiQ (改訂履歴)の記事を複製、再配布したものにあたり、Creative Commons Attribution-ShareAlike (CC-BY-SA)もしくはGNU Free Documentation Licenseというライセンスの下で提供されています。 |
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