Region IVとは 意味・読み方・使い方

A source/drain region is adjacent to the channel and includes a group-IV region formed of a doped group-IV semiconductor material selected from the group consisting essentially of silicon, germanium, and combinations thereof.例文帳に追加

ソース/ドレイン領域はチャネルに隣接し、本質的に、シリコン、ゲルマニウム、及び、それらの組み合わせからなる群から選択されるドープされたIV族半導体材料から形成されるIV族領域を含む。 - 特許庁

Subject to Part IV, this Ordinance applies to the Government and the Offices set up by the Central People's Government in the Hong Kong Special Administrative Region.発音を聞く 例文帳に追加

第IV部に従うことを条件として，本条例は政府及び香港特別行政区の中央人民政府が設立した省庁に適用する。 - 特許庁

The transistor-type ferroelectric memory includes a IV semiconductor layer 10, an oxide semiconductor layer 20 formed on the IV semiconductor layer 10, a ferroelectric layer 30 formed on the oxide semiconductor layer 20, a gate electrode 40 formed on the ferroelectric layer 30, and a source region 12 and a drain region 14 which are formed on the IV semiconductor layer 10.例文帳に追加

本発明にかかるトランジスタ型強誘電体メモリは、IV族半導体層１０と、前記IV族半導体層１０の上方に形成された酸化物半導体層２０と、前記酸化物半導体層２０の上方に形成された強誘電体層３０と、前記強誘電体層３０の上方に形成されたゲート電極４０と、前記IV族半導体層１０に形成されたソース領域１２およびドレイン領域１４と、 を含む。 - 特許庁

Dopant of IV valence is implanted in the region of the semiconductor substrate 10 beneath the opening 22 and the region beneath the opening 24.例文帳に追加

半導体基板１０のうち開口２２の下部に位置する領域および開口２４の下部に位置する領域の双方に、IV価の不純物が注入されている。 - 特許庁

Group IV elements except the silicon are included in the interface region IA1 between the impurity regions 22, 24 and the silicide layers 32, 34, and the group IV elements have the peak of a concentration distribution in the interface region IA1.例文帳に追加

前記不純物層２２，２４と前記シリサイド層３２，３４との界面領域ＩＡ１にシリコン以外の４族元素を含み、該４族元素は前記界面領域ＩＡ１において濃度分布のピークを有する。 - 特許庁

A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4.例文帳に追加

絶縁性基板１上に多結晶ＩＶ族半導体層２を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にＩＶ族元素或いは希ガス元素３のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したＩＶ族半導体層４のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純物５をイオン注入する。 - 特許庁

To obtain a stabilized threshold level by forming the first region of a gate electrode of first and second group IV elements of different kind and forming a second region of the first group IV element thereby preventing impurities doped into the gate electrode from leaking to the channel region side.例文帳に追加

MISFETのゲート電極にドーピングされた不純物のチャネル形成領域側への漏れを防止し、また不純物の濃度を全域にわたって充分に確保し、安定した閾値電圧を得ることができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁