Si anとは 意味・読み方・使い方

An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁

To correct phase defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film of the blanks of an EUVL mask.例文帳に追加

EUVLマスクのブランクスのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正する。 - 特許庁

The surface of iron powder is covered with an oxide film composed of Si-based oxide in which the atomic number ratio between Si and Fe satisfies the following relation: Si/Fe≥0.8.例文帳に追加

鉄粉の表面に、SiとFiの割合が原子数比でSi／Fe≧0.8を満足するSi系酸化物からなる酸化膜を被覆する。 - 特許庁

An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁

A slab steel having a C content: C [wt.%] of 0.08 to 0.55, an Si content: Si [wt.%] of 0.02 to 0.60; and an Mn content: Mn [wt.%] of 0.3 to 1.5 is used as an object.例文帳に追加

C含有量C[wt%]を0.08〜0.55とし、Si含有量Si[wt%]を0.02〜0.60とし、Mn含有量Mn[wt%]を0.3〜1.5とするスラブ鋼を対象とする。 - 特許庁

An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加

n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加

Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁

The program information is generated by an SI/EPG data generator 17.例文帳に追加

SI/EPGデータジェネレータ１７は、番組情報を生成する。 - 特許庁