VDDRとは 意味・読み方・使い方

To a source of this PMOS transistor TR1, a memory cell MC is connected for supplying a boosted voltage VDDR for a leading operation.例文帳に追加

このＰＭＯＳトランジスタＴＲ１のソースには、リード動作用の昇圧電圧ＶＤＤＲが供給されるメモリセルＭＣが接続されている。 - 特許庁

VDD and VDDR pacing (atrial synchronized, ventricular inhibited pacing) are implemented via a single standard ventricular pacing lead 14 (unipolar or bipolar) and preferably a subcutaneous electrode array 13 (SEA).例文帳に追加

単一標準心室ペーシングリード１４、皮下電極アレイ１３介して、ＶＤＤ及びＶＤＤＲペーシング（心房同期心室抑制ペーシング）を実施する。 - 特許庁

Each power supply wiring that supplies the power supply voltages Vddr, Vddg, Vddb to the pixel circuit 400 is provided independently according to the kinds of color filters.例文帳に追加

電源電圧Ｖｄｄｒ、Ｖｄｄｇ、Ｖｄｄｂを画素回路４００に供給する電源配線は、カラーフィルタの種類に応じて独立して設けられている。 - 特許庁

Meanwhile, at the stop of operation, an NMOS transistor TR2 is turned on, so that the back gate voltage VDDRRX of the PMOS transistor TR1 has same potential as that of the boosted voltage VDDR.例文帳に追加

一方、動作停止時には、ＮＭＯＳトランジスタＴＲ２がオンし、ＰＭＯＳトランジスタＴＲ１のバックゲートの電圧ＶＤＤＲＸを、昇圧電圧ＶＤＤＲと同電位にする。 - 特許庁

Each of the pixel circuits 400 contains OLED elements with the same luminescent color, and receives power supply voltages Vddr, Vddg, Vddb to drive OLED elements contained by each.例文帳に追加

画素回路４００の各々は、発光色が同じＯＬＥＤ素子を包含し、電源電圧Ｖｄｄｒ、Ｖｄｄｇ、Ｖｄｄｂを受けて各自が包含するＯＬＥＤ素子を駆動する。 - 特許庁

A pixel circuit 400A applies the voltage corresponding to the supply power source voltages Vddr, Vddg, and Vddb to the OLED element and passes the current corresponding to the supply gradation signals X1 to Xn to the OLED element.例文帳に追加

画素回路４００Ａは供給電源電圧Ｖｄｄｒ，Ｖｄｄｇ，Ｖｄｄｂに応じた電圧をＯＬＥＤ素子に印加し、供給階調信号Ｘ１〜Ｘｎに応じた電流をＯＬＥＤ素子に流す。 - 特許庁

When the charge pump operations stops (during standby condition), all capacitor node drive voltages of the charge pump circuit 1 is fixed to the voltage nearer to the potential VDDR of the boosting node.例文帳に追加

チャージポンプ動作の停止時（スタンド・バイ状態時）には、チャージポンプ回路１の各キャパシタノードの駆動電圧が、全て昇圧ノードの電位ＶＤＤＲに近い方の電圧に固定される。 - 特許庁

In a resume standby mode, when a leak kind determination circuit 7 determines that the component of leak current includes much gate leak and much substrate leak, a VDDR regulator 5 generates a power supply voltage VDDR of a first voltage level which is lower than a power supply voltage VDD and supplies this power supply voltage as a power supply voltage VDDR1 to an SRAM module 12 via a changeover switch 9.例文帳に追加

レジュームスタンバイモードにおいて、リーク種判定回路７はリーク電流の成分がゲートリークと基板リークが多いと判断すると、ＶＤＤＲレギュレータ５は電源電圧ＶＤＤよりも低い第１の電圧レベルの電源電圧ＶＤＤＲを生成し、切り替えスイッチ９を介して、電源電圧ＶＤＤＲ１としてＳＲＡＭモジュール１２に供給する。 - 特許庁