a GSとは 意味・読み方・使い方

a feeling is a simple and undecomposable mental state- G.S.Brett発音を聞く 例文帳に追加

感覚とは単純で、分析ができない精神状態である−G.S.ブレット - 日本語WordNet

Then the current value I_DS of the TFT has a little variation in hte saturaged current value I_DS of the TFT with V _DS, and is only by V_GS.例文帳に追加

すると、該ＴＦＴの電流値Ｉ_DSは、Ｖ_DSによってほとんど変化せず、Ｖ_GSのみによって定まる。 - 特許庁

By relieving the stress, the fluctuation of V_gs(off) characteristic is eliminated, and a transistor conforming to specifications can be provided.例文帳に追加

応力が緩和すればＶ_gs(off)特性の変動が解消されるので、規格値に合ったトランジスタを提供できる。 - 特許庁

JEAC 4111-2009 is a revision of JEAC 4111-2003 which was prepared with reference to 50-C-Q, and thus conforms to GS-R-3.例文帳に追加

JEAC 4111-2009は、50-C-Qを参考にして作成されたJEAC 4111-2003の改訂規程であり、GS-R-3の品質保証の要求事項に準拠している。 - 経済産業省

When the valve 84 is changed over to an A-direction, the switching gas Gs is directly supplied a branching part 92 but, when the valve 84 is changed over to a B-direction, the switching gas Gs is passed through a first resistance pipe 81 and the gas pressure of the branching part 92 is lowered.例文帳に追加

バルブ８４をA方向に切り換えた場合には、スイッチングガスGsは分岐部９２に直接供給されるが、バルブ８４をB方向に切り換えた場合には、スイッチングガスGsが第１抵抗管８１を通過することにより、分岐部９２のガス圧が低下する。 - 特許庁

Dephase gradient magnetic fields Gs, Gp, 3-3 are applied in a time section (4).例文帳に追加

時間区間（４）で、ディフェーズ用傾斜磁場Ｇｓ、Ｇｐ、３−３を印加する。 - 特許庁

When the pixel transistors GT(G) and GT(B) of pixels GS(G) and GS(B) are turned on and a pixel transistor GT(R) is turned off (namely, in a writing period of the pixels GS(G) and GS(B)), on the other hand, a source line SL(R) is precharged through a precharge transistor PT(R).例文帳に追加

反対に、画素ＧＳ（Ｇ），ＧＳ（Ｂ）の画素トランジスタＧＴ（Ｇ），ＧＴ（Ｂ）がオンし、画素トランジスタＧＴ（Ｒ）がオフしている時に（つまり、画素ＧＳ（Ｇ），ＧＳ（Ｂ）の書き込み期間）、プリチャージトランジスタＰＴ（Ｒ）を通してソース線ＳＬ（Ｒ）のプリチャージを行う。 - 特許庁

Regarding the component for a machine structure in which at least a part comprises a hardened layer by induction hardening, the relation between the average grain size GS (μm) of old austenite grains in the hardened layer and the stress concentration coefficient α in the part subjected to the induction hardening satisfies the inequality GS≤11-2×α (wherein, α≥1.5).例文帳に追加

少なくとも一部分に高周波焼入れによる硬化層を有する機械構造用部品において、該硬化層における旧オーステナイト粒の平均粒径GS（μm）と前記高周波焼入れを施した部位の応力集中係数αとの関係を式GS≦11−2×α（ただしα≧1.5）に従うものとする。 - 特許庁