al-Yとは 意味・読み方・使い方

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1).例文帳に追加

半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層２上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層３から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。 - 特許庁

The oxynitride particle boundary phase 4 comprises a crystal phase containing MnSiN2, at least one element 13 of aluminum(Al), yttrium(Y), and silicon(Si), and an amorphous phase 14 containing manganese(Mn), oxygen(O), and nitrogen(N).例文帳に追加

酸窒化物粒界相４にはMnSiN_2を含む結晶相１２と、アルミニウム（Al），イツトリウム（Y ），珪素（Si）の内の少くとも１つの元素１３と、マンガン（Mn），酸素（O ），窒素（N ）を含む非晶質相１４とが含まれる。 - 特許庁

The method of making the CBN material is carried out by mixing TiC_xN_y (x+y=1) with Al, heating the mixture at about 900°C under vacuum to react a part of Al and crushing the mixture to form a binder material.例文帳に追加

ＴｉＣｘＮｙ（ｘ＋ｙ＝１）とＡｌを混合し、真空中で約９００℃で加熱してＡｌの一部を反応させ、粉砕してバインダー材料を形成する。 - 特許庁

BROAD-SPECTRUM AL(1-X-Y)INYGAXN LIGHT EMITTING DIODE AND SOLID WHITE LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

広域スペクトルＡｌ（１−ｘ−ｙ）ＩｎｙＧａｘＮ発光ダイオードおよび固体白色発光デバイス - 特許庁

This fluorescent substance is characterized by having the composition formula: (Sr1-x-y, Mgx, Cay)TiO3: Pr, Al and having a [(x)+(y)] value of 0.001 to 0.05.例文帳に追加

蛍光体は、組成式を（Ｓｒ_１−ｘ−ｙ，Ｍｇ_ｘ，Ｃａ_ｙ）ＴｉＯ__３：Ｐｒ，Ａｌとするもので、ｘ＋ｙの値を０．００１〜０．０５の範囲としている。 - 特許庁

To provide a broad-spectrum Al(1-x-y)InyGa_xN LED, comprising: a substrate, a buffer layer, an N-type cladding layer, at least one quantum dot emitting layer, and a P-type cladding layer.例文帳に追加

基板、バッファー層、Ｎ型クラッド層、少なくとも１つの量子ドット放出層およびＰ型クラッド層を備える広域スペクトルAl_(1-x-y)In_yGa_xN LEDを提供すること。 - 特許庁

It is preferable that in the dielectric film, the composition ratio x of Al and the composition ratio y of Ti satisfy the relation of 7≤[x/(x+y)]×100≤35.例文帳に追加

誘電体膜においてＡｌの組成比ｘ及びＴｉの組成比ｙが、７≦［ｘ/（ｘ＋ｙ）］×１００≦３５なる関係を満たすものが好ましい。 - 特許庁