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主な意味様々な容量単位
音節bbl.

bblの
変形一覧

名詞:bbls(複数形)

研究社 新英和中辞典での「bbl」の意味

bbl.

音節bbl.
略語barrel(s).


「bbl」を含む例文一覧

該当件数 : 19



例文

A benzimidazobenzophenanthroline ladder (BBL) polymer represented by formula (1) is used as the electrode material.例文帳に追加

以下の式で表される、ベンズイミダゾベンゾフェナントロリンラダー(BBL)ポリマーを電極材料とする。 - 特許庁

Source: Created from RIETI BBL documents (held on March 23, 2012), documents released from institutions, and press releases, etc.例文帳に追加

資料: RIETI BBL 資料(2012 年3 月23 日開催)、各機関公表資料、報道発表等から作成。 - 経済産業省

A sense amplifier 2 is connected to the pair of bit lines BL, BBL.例文帳に追加

ビット線対BL,BBLにセンスアンプ2が接続される。 - 特許庁

A sense amplifier circuit 2 is connected to the bit lines BL, BBL.例文帳に追加

ビット線BL,BBLにはセンスアンプ回路2が接続される。 - 特許庁

First, bit lines BL, bBL and sense amplifier nodes SA, bSA are pre-charged separately.例文帳に追加

まず、ビット線BL,bBLとセンスアンプノードSA,bSAを別々にプリチャージする。 - 特許庁

The read circuit 12 has a detection circuit 121 that is connected to one of the pair of divided bit lines BBL, /BBL and adopts a one-side bit line read system.例文帳に追加

読み出し回路12は、分割ビット線対BBL、/BBLのいずれか一方に接続され片側ビット線読み出し方式を採用する検知回路121を備えている。 - 特許庁

例文

The first and second bit lines, BL and bBL, have the bit line twisted structure, and the first and second bit lines, BL and bBL, are replaced with each other in a block selector region BS.例文帳に追加

第1及び第2ビット線BL,bBLは、ビット線ツイスト構造を有し、かつ、第1及び第2ビット線BL,bBLの入れ替えは、ブロックセレクタ領域BSで行われる。 - 特許庁

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Eゲイト英和辞典での「bbl」の意味

bbl.

音節bbl.
略語

機械工学英和和英辞典での「bbl」の意味

BBL (basic business language)

EDR日英対訳辞書での「bbl」の意味

bbl

クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「bbl」の意味

遺伝子名称シソーラスでの「bbl」の意味

Wiktionary英語版での「bbl」の意味

BBL

別の表記

発音

IPA(key): /biː biː ɛl/

名詞

BBL (複数形 BBLs)

  1. Brazilian butt lift.

「bbl」を含む例文一覧

該当件数 : 19



例文

The current source load 4 is composed of PMOS transistors QP1, QP2 provided between the pair of bit lines BL, bBL and a power terminal VCC, and an inverter 14 controlling them by an inversion potential of the pair of bit lines BL, bBL.例文帳に追加

電流源負荷4は、ビット線BL,bBLと電源端子VCCの間に設けられたPMOSトランジスタQP1,QP2と、これらをビット線BL,bBLの反転電位により制御するインバータI4により構成した。 - 特許庁

A pair of bit lines BL, /BL is divided for each of, for example, 16 memory cells MCi (i=0-15), and one column is composed for each pair of divided bit lines BBL, /BBL.例文帳に追加

ビット線対BL、/BLは、たとえば16個のメモリセルMCi(i=0〜15)毎に分割されており、この分割された分割ビット線対BBL、/BBL毎に1カラムを構成している。 - 特許庁

A sense amplifier (SA) 2 has a first sense node BLSA and a second sense node BBLSA connected to the pair of bit lines BL, BBL.例文帳に追加

センスアンプ(SA)2は、対をなすビット線BL,BBLに接続される第1及び第2のセンスノードBLSA,BBLSAを有する。 - 特許庁

Both ends N11, N12 of the cell block MCB0 are connected to a pair of bit lines BL, BBL through selection gates Q10, Q11.例文帳に追加

セルブロックMCB0の両端N11,N12は、それぞれブロック選択ゲートQ10,Q11を介してビット線対BL,BBLに接続される。 - 特許庁

A pair of bit lines BL and bBL of a memory cell array 1 are connected to a sense amplification circuit 2 via a transfer gate 4.例文帳に追加

メモリセルアレイ1のビット線対BL,bBLはトランスファゲート4を介してセンスアンプ回路2に接続される。 - 特許庁

A memory cell array 1 has a ferroelectric capacitor of which one end is connected to bit lines BL, BBL via a transistor and the other end is connected to plate lines PL, BPL.例文帳に追加

メモリセルアレイ1は、トランジスタを介して一端がビット線BL,BBLに、他端がプレート線PL,BPLに接続される強誘電体キャパシタを持つ。 - 特許庁

The terminal N1 is connected to the bit lines BBL, BL through block selection transistors BST0, BST1, the terminal N2 is connected to plate lines BPL, PL, a gate of each cell transistor is connected to a word line WL.例文帳に追加

端子N1はブロック選択トランジスタBST0,BST1を介してビット線BBL,BLに接続され、端子N2はプレート線BPL,PLに接続され、各セルトランジスタTのゲートがワード線WLに接続される。 - 特許庁

例文

It further includes a bit line contact 13 formed on the active area 11 opposite to the MTJ element 12 of the gate electrode; a bit line BL, connected to the MTJ element 12 and formed in the first direction; and a bit line bBL connected with the bit line contact 13 and formed in the first direction.例文帳に追加

さらに、ゲート電極のMTJ素子12と反対側のアクティブエリア11上に形成されたビット線コンタクト13と、MTJ素子12に接続され、第1方向に形成されたビット線BLと、ビット線コンタクト13に接続され、第1方向に形成されたビット線bBLとを備える。 - 特許庁

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