depletion layer capacityとは 意味・読み方・使い方

To measure not only accurate surface potential in the measurement of KFM but also a change in the electric capacity of a depletion layer in the measurement of SCM by efficiently applying voltage only to a semiconductor layer or a metal layer being a measuring target.例文帳に追加

効率的に電圧を測定対象である半導体層または金属層のみに印加して、ＫＦＭ測定では正確な表面電位を測定し、ＳＣＭ測定では高感度な空乏層の電気容量変化を測定する。 - 特許庁

On this capacity variable substrate a dielectric layer 2 is formed between a wiring conductor 3 and a ground layer 4, and its dielectric constant is made variable by producing a depletion layer 10 in this dielectric layer 2, thus forming a semiconductor 12 that can adjust the parasitic capacity, which is parasitic on the wiring conductor 3.例文帳に追加

配線導体３とグランド層４との間に誘電体層２が形成され、この誘電体層２に、空乏層１０を生成することにより誘電率を可変して配線導体３に寄生する寄生容量を調整可能な半導体素子１２を形成したことを特徴とする容量可変基板。 - 特許庁

The concentration distribution in a p-clad layer is measured by finding the relation between the reverse bias voltage and the depletion layer capacity immediately below the Schottky electrode 108.例文帳に追加

逆バイアス電圧とショットキ電極１０８直下の空乏層容量との関係を求めることにより、Ｐクラッド層中の不純物濃度分布を測定する。 - 特許庁

To provide a high-capacity nonaqueous electrolyte secondary battery improved in a cycle characteristic by preventing depletion of an electrolyte in a negative electrode mix layer in a later stage of a charge-discharge cycle.例文帳に追加

充放電サイクルの後期における負極合剤層中での電解液の枯渇を防止して、高容量でしかもサイクル特性が向上した非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

Here, a depletion layer is made at the interface (that is, the P-N junction face) between the n-type silicon substrate 101 and a p-type epitaxial film 102, so the parasitic capacity C8 and C9 in the vicinity of this interface becomes very small, therefore, the composite capacity of the noise propagation passage at large becomes small.例文帳に追加

ここで、Ｎ型シリコン基板１０１とＰ型エピタキシャル薄膜１０２との界面（すなわちＰＮ接合面）には、空乏層が形成されるので、この界面付近の寄生容量Ｃ_8 ，Ｃ_9 は非常に小さくなり、このためノイズ伝搬経路全体の合成容量も小さくなる。 - 特許庁

If the collector voltage Vce is increased, since a depletion layer 21 reaches the trench bottom 5a and the two areas are insulated, and since only the capacity of the gate insulating film 6a at the other area side is measured, the capacity value is considerably decreased.例文帳に追加

そして、コレクタ電圧Ｖ_ＣＥを大きくした場合、空乏層２１がトレンチ底部５ａに到達し、２つの領域が絶縁されるため、一方の領域側のゲート絶縁膜６ａの容量のみが測定されるため、容量値が大きく低下する。 - 特許庁

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current.例文帳に追加

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。 - 特許庁

The method also comprises the step of extracting the grain boundary fault from a potential and carrier density obtained from the capacity-voltage measurement, and a current-voltage measurement by using a depletion layer approximation at the boundary, drift diffusion equation and thermo-ionic emission equation.例文帳に追加

容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。 - 特許庁