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gallium atomとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ガリウム原子
「gallium atom」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
Any of a compound of a group III atom and a nitrogen atom such as aluminum nitride, boron nitride, aluminum boron nitride, aluminum gallium nitride and boron gallium nitride, boron carbon nitride and diamond is used for the semiconductor thin film.例文帳に追加
前記半導体薄膜として窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウムホウ素、窒化アルミニウムガリウム、窒化ホウ素ガリウムなどのIII族原子と窒素原子の化合物、窒化ホウ素炭素、ダイヤモンドのいずれを用いる。 - 特許庁
The oxide sintered compact essentially comprises gallium, indium and oxygen, contains more than 65 atom% but less than 100 atom% gallium based on the total amount of metal elements and has density of ≥5.0 g/cm^3.例文帳に追加
酸化物焼結体は、主としてガリウム、インジウム、および酸素からなり、前記ガリウムを全金属元素に対して65原子%を超えて100原子%未満含有し、その密度は5.0g/cm^3以上である。 - 特許庁
Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate.例文帳に追加
基板上に予形成された窒化ガリウム(0001)表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Nとガリウム原子Gaとの供給比を1:2以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Nとガリウム原子Gaとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。 - 特許庁
A low resistivity transparent conductor is a transparent conductor made from zinc oxide, indium oxide, and gallium oxide, where the low resistivity transparent conductor cuts out oxygen, has an element concentration of 0.5 to 1.5 atom% indium and an element concentration of 0.5 to 3.5 atom% gallium, and has a residual of zinc.例文帳に追加
酸化亜鉛、酸化インジウム及び酸化ガリウムからなる透明導電体であり、酸素を除き、インジウムの元素濃度が0.5〜1.5原子%、ガリウムの元素濃度が0.5〜3.5原子%であり、残余が亜鉛であることを特徴とする低抵抗率透明導電体。 - 特許庁
The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3.例文帳に追加
ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/(Ga+In)が0.001〜0.12であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が80原子%以上であり、In_2O_3のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁
The hydrogen generating alloy comprises a tin-gallium alloy containing 93 atom% or less tin (not inclusive of 0 atom%), and at least one kind of a metallic element selected from a group of metallic elements having lower standard electrode potential than gallium (for example, aluminum, magnesium, silicon, and zinc) in an amount of 0.1 mass% or more with respect to the total volume of the tin-gallium alloy.例文帳に追加
スズ含有量が93原子%以下(0原子%を含まず)のスズ−ガリウム合金に、標準電極電位がガリウムより低い金属元素(例えば、アルミニウム、マグネシウム、シリコン、亜鉛)からなる群から選ばれた少なくとも1種の金属元素を、前記スズ−ガリウム合金基準にて合計量で0.1質量%以上添加してなる水素発生用合金。 - 特許庁
The discharging electrode 20 includes: a substrate for discharging electrode 1; and a surface layer 12 which is arranged on the surface of the substrate for discharging electrode 1 and contains oxygen and gallium and in which the content of oxygen is ≥15 atom% and ≤55 atom%.例文帳に追加
放電電極用基体1と、前記放電電極用基体1の表面に設けられた、酸素とガリウムとを含み酸素の含有量が15原子%以上55原子%以下である表面層12と、を有する放電電極20である。 - 特許庁
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「gallium atom」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
An oxide sintered body is characterized in that gallium is solid-solved in indium oxide, the atomic ratio of Ga/(Ga+In) is 0.05-0.08, the content ratio of indium and gallium to the total metal atoms is ≥80 atom%, and the oxide sintered body has an In_2O_3 bixbyite structure.例文帳に追加
ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/(Ga+In)が0.05〜0.08であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が80原子%以上であり、In_2O_3のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁
The oxide sintered compact is an oxide sintered compact mainly consisting of gallium, indium, and oxygen or an oxide sintered compact mainly consisting of gallium and oxygen, wherein the compact contains gallium in a proportion of 35 to 100 atom% based on the total metal atoms, contains no metallic phase, and has a density of 3.4 to 5.5 g/cm^3.例文帳に追加
主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる酸化物焼結体、あるいは、主としてガリウムおよび酸素からなる酸化物焼結体であり、ガリウムが全金属原子に対して35原子%〜100原子%の割合で含まれ、金属相が含まれず、密度が3.4g/cm^3以上5.5g/cm^3以下である酸化物焼結体とする。 - 特許庁
The conductive oxide is a crystalline conductive oxide, and contains indium, gallium, zinc, oxygen and nitrogen while the concentration of nitrogen is ≥7×10^19(atom/cc).例文帳に追加
導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が7×10^19(atom/cc)以上であることを特徴とする。 - 特許庁
The laminated structure is provided with a backing plate, an alloy thin film which is formed on the backing plate and comprises an alloy of indium and gallium whose concentration is 1.0-30 atom%, and the indium target formed on the alloy thin film.例文帳に追加
積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、ガリウム濃度が1.0〜30at%であるインジウムとガリウムとの合金薄膜、及び、合金薄膜上に形成されたインジウムターゲットを備える。 - 特許庁
The gas shielding film 100 includes: a resin film substrate 102; and an amorphous gallium oxide film 104 that is formed on the resin film substrate and containing hydrogen of 0.1-30 atom%.例文帳に追加
樹脂フィルム基材102と、樹脂フィルム基材102の表面に形成され、含有量0.1原子%以上30原子%以下の水素を含み、かつ非晶質の酸化ガリウム膜104と、を有するガス遮蔽フィルム100である。 - 特許庁
The nonaqueous electrolyte composition contains electrolyte salt, nonaqueous solvent, oxalate complex salt having, as a central ion or a central atom, one kind selected from a group consisting of boron, aluminum, gallium, phosphorus, arsenic and antimony, and a sulfone derivative.例文帳に追加
非水電解質組成物は、電解質塩と、非水溶媒と、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、リン、ヒ素及びアンチモンから成る群より選ばれたいずれか1種を中心イオン又は中心原子とするオキサラト錯体塩と、スルホン誘導体を含有する。 - 特許庁
The oxide sintered body which is made of indium oxide whose crystal structure is substantially a bixbyite structure, has a gallium atom solid-dissolved in the indium oxide and has an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.10 to 0.15, is used as a target material for sputtering.例文帳に追加
結晶構造が、実質的にビックスバイト構造を示す酸化インジウムからなり、前記酸化インジウムにガリウム原子が固溶しており、原子比Ga/(Ga+In)が0.10〜0.15である酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲット材とする。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor includes, in this order: a substrate 1; a photosensitive layer 2; and a protective layer 3 including oxygen and gallium, the protective layer 3 including a first region 31 and a second region 32 that is present closer to the substrate 1 than the first region 31 and has an atom number ratio [oxygen/gallium] larger than that in the first region 31.例文帳に追加
基体1と、感光層2と、酸素及びガリウムを含有する保護層3あって、外周面側に存在する第1の領域31、及び、前記第1の領域31よりも前記基体1に近い側に存在し、前記第1の領域31に比べて原子数比〔酸素/ガリウム〕が大きい第2の領域32を有する保護層3と、をこの順に有する電子写真感光体である。 - 特許庁
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