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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和対訳 > hexagonal crystal systemの意味・解説 

hexagonal crystal systemとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 六方晶系

Weblio英和対訳辞書での「hexagonal crystal system」の意味

hexagonal crystal system

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「hexagonal crystal system」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 45



例文

HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE SINGLE CRYSTAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

六方晶系ウルツ鉱型単結晶、その製造方法、および六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板 - 特許庁

The crystal system of a unit cell of the organometallic complex belongs to a hexagonal crystal system.例文帳に追加

この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が六方晶系に属する。 - 特許庁

Crystal system (crystal structure) of the sodium cobaltate is hexagonal system, monoclinic system, or orthorhombic system.例文帳に追加

また、上記コバルト酸ナトリウムの結晶系(結晶構造)は、六方晶系、単斜晶系または斜方晶系である。 - 特許庁

A crystal system of a unit cell of the organometallic complex belongs to a hexagonal system.例文帳に追加

この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が六方晶系に属する。 - 特許庁

HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE COMPOUND SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME例文帳に追加

六方晶系ウルツ鉱型化合物単結晶及びその製造方法 - 特許庁

The resultant crystal is confirmed to be the single crystal of a hexagonal system having a bore of 51 mm and height of about 6 mm.例文帳に追加

得られた結晶の口径は51mmで、高さは6mm程度であり、六方晶系の単結晶であることが確認された。 - 特許庁

例文

To provide a high purity and uniform hexagonal system wurtzite type single crystal useful as a substrate for various devices.例文帳に追加

各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。 - 特許庁

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ウィキペディア英語版での「hexagonal crystal system」の意味

Hexagonal crystal system

出典:『Wikipedia』 (2010/12/29 11:50 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用

「hexagonal crystal system」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 45



例文

The insulating layer 7 is enhanced in thermal conductivity through a heat treatment, or has a hexagonal system crystal structure.例文帳に追加

この絶縁層7は熱処理によって熱伝導率が高められているか、六方晶系の結晶構造を有する。 - 特許庁

In the carbonaceous material for electrode active substances for the electric double-layer capacitor, the ratio of a rhombic crystal system to a hexagonal system structure existing in a crystal structure is 20% or higher.例文帳に追加

結晶構造中に存在する六方晶系構造に対する菱面体晶系構造の割合が20%以上である、電気二重層キャパシタの電極活物質用炭素質材料。 - 特許庁

The laminating temperature of the buffer layer, the p-type group III nitride semiconductor crystal layer of cubic system and the n-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system is optimized.例文帳に追加

上記緩衝層、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。 - 特許庁

The ingot 3 formed of a hexagonal-system group III nitride crystal is cut using the wire series 21 consisting of wires 22.例文帳に追加

ワイヤ22によって構成されたワイヤ列21を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴット3を切断する。 - 特許庁

A mixture of lithium content metal oxide containing at least nickel (Ni) and having a hexagonal crystal system (crystal system which belongs to space group R3m) and lithium content manganese oxide having an orthorhombic crystal system (crystal system which belongs to space group Pmmn) is used as a positive electrode active material.例文帳に追加

正極活物質として、少なくともニッケル(Ni)を含有しかつ結晶系が六方晶系(空間群R3mに帰属される結晶系)であるリチウム含有金属酸化物と、結晶系が斜方晶系(空間群Pmmnに帰属される結晶系)であるリチウム含有マンガン酸化物との混合物を用いる。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor element such as an LED which is superior in characteristics such as light emitting intensity, by constituting a laminated structure constituted of a group III nitride semiconductor crystal layer in which crystal system is regulated in hexagonal system on a cubic system substrate, such as Si single crystal.例文帳に追加

Si単結晶等の立方晶基板上に、結晶系が六方晶系に統制されたIII族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築し、発光強度等の特性に優れたLED等の化合物半導体素子を得る。 - 特許庁

Crystal island 1, 1' is a crystal (hexagonal system, a=0.776 nm and c=0.562 nm) of α-Si3N4 and c-axis of the crystal island 1 extends along Si[011] direction and a-axis thereof extends along Si[100] direction.例文帳に追加

結晶島1、1’はα−Si_3 N_4 (六方晶系、a=0.776nm、c=0.562nm)結晶であり、結晶島1のc軸はSi〔011〕方位に沿っており、a軸はSi〔100〕方位に沿っている。 - 特許庁

例文

Further, on the boundary surface of at least the Mg crystal grain and the grain-boundary crystallized material, a relative angle α between the normal line vector at the base surface of hexagonal-system of the Mg crystallized grain and the normal line vector at the base surface of hexagonal-system of the grain-boundary crystallized material, is 88-92°.例文帳に追加

また、少なくともMg結晶粒と粒界晶出物との界面において、Mg結晶粒の六方晶系底面の法線ベクトルと粒界晶出物の六方晶系底面の法線ベクトルとの相対角度αが88°〜92°である。 - 特許庁

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hexagonal crystal systemのページの著作権
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Text is available under Creative Commons Attribution-ShareAlike (CC-BY-SA) and/or GNU Free Documentation License (GFDL).
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