「hexagonal crystal system」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The resultant crystal is confirmed to be the single crystal of a hexagonal system having a bore of 51 mm and height of about 6 mm.例文帳に追加

得られた結晶の口径は５１ｍｍで、高さは６ｍｍ程度であり、六方晶系の単結晶であることが確認された。 - 特許庁

To provide a high purity and uniform hexagonal system wurtzite type single crystal useful as a substrate for various devices.例文帳に追加

各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。 - 特許庁

The insulating layer 7 is enhanced in thermal conductivity through a heat treatment, or has a hexagonal system crystal structure.例文帳に追加

この絶縁層７は熱処理によって熱伝導率が高められているか、六方晶系の結晶構造を有する。 - 特許庁

In the carbonaceous material for electrode active substances for the electric double-layer capacitor, the ratio of a rhombic crystal system to a hexagonal system structure existing in a crystal structure is 20% or higher.例文帳に追加

結晶構造中に存在する六方晶系構造に対する菱面体晶系構造の割合が20％以上である、電気二重層キャパシタの電極活物質用炭素質材料。 - 特許庁

The laminating temperature of the buffer layer, the p-type group III nitride semiconductor crystal layer of cubic system and the n-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system is optimized.例文帳に追加

上記緩衝層、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。 - 特許庁

The ingot 3 formed of a hexagonal-system group III nitride crystal is cut using the wire series 21 consisting of wires 22.例文帳に追加

ワイヤ２２によって構成されたワイヤ列２１を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴット３を切断する。 - 特許庁

A mixture of lithium content metal oxide containing at least nickel (Ni) and having a hexagonal crystal system (crystal system which belongs to space group R3m) and lithium content manganese oxide having an orthorhombic crystal system (crystal system which belongs to space group Pmmn) is used as a positive electrode active material.例文帳に追加

正極活物質として、少なくともニッケル（Ｎｉ）を含有しかつ結晶系が六方晶系（空間群Ｒ３ｍに帰属される結晶系）であるリチウム含有金属酸化物と、結晶系が斜方晶系（空間群Ｐｍｍｎに帰属される結晶系）であるリチウム含有マンガン酸化物との混合物を用いる。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor element such as an LED which is superior in characteristics such as light emitting intensity, by constituting a laminated structure constituted of a group III nitride semiconductor crystal layer in which crystal system is regulated in hexagonal system on a cubic system substrate, such as Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶等の立方晶基板上に、結晶系が六方晶系に統制されたIII族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築し、発光強度等の特性に優れたＬＥＤ等の化合物半導体素子を得る。 - 特許庁

Crystal island 1, 1' is a crystal (hexagonal system, a=0.776 nm and c=0.562 nm) of α-Si3N4 and c-axis of the crystal island 1 extends along Si[011] direction and a-axis thereof extends along Si[100] direction.例文帳に追加

結晶島１、１’はα−Ｓｉ_3 Ｎ_4 （六方晶系、ａ＝０．７７６ｎｍ、ｃ＝０．５６２ｎｍ）結晶であり、結晶島１のｃ軸はＳｉ〔０１１〕方位に沿っており、ａ軸はＳｉ〔１００〕方位に沿っている。 - 特許庁

Further, on the boundary surface of at least the Mg crystal grain and the grain-boundary crystallized material, a relative angle α between the normal line vector at the base surface of hexagonal-system of the Mg crystallized grain and the normal line vector at the base surface of hexagonal-system of the grain-boundary crystallized material, is 88-92°.例文帳に追加

また、少なくともＭｇ結晶粒と粒界晶出物との界面において、Ｍｇ結晶粒の六方晶系底面の法線ベクトルと粒界晶出物の六方晶系底面の法線ベクトルとの相対角度αが８８°〜９２°である。 - 特許庁

A substrate layer which is composed of a (002)-oriented hexagonal crystal system metal and an antiferromagnetic layer, which is formed on the substrate layer constitute this direction of magnetization controlled film.例文帳に追加

（００２）配向した六方晶系金属からなる下地層と、上記下地層上に形成された反強磁性層とからなる磁化方向制御膜である。 - 特許庁

In a wafer having a hexagonal system or zinc blend crystal structure, multiple semiconductor optoelectronic devices are formed in an array of nonrectangular dies.例文帳に追加

六方晶系または閃亜鉛鉱結晶構造をもつウエハにおいて、数多くの半導体光電子装置が非長方形のダイのアレイに形成される。 - 特許庁

A monoaxially oriented film is formed on a substrate and a polymerizable rod liquid crystal which exhibits a higher order smectic phase is coated thereon to form a thin film, and the thin film is oriented and then polymerized at a temperature which shows its liquid crystal phase having a hexagonal crystal system.例文帳に追加

基板上に一軸配向膜を形成し、その上に高次のスメクチック相を呈する重合性棒状液晶を塗布して薄膜化し、配向させた上で六方晶秩序を有する液晶相温度で重合させる。 - 特許庁

The surface acoustic wave device comprises a single crystal substrate 1, a buffer layer 2 composed of a crystal film formed on the single crystal substrate 1, and a piezoelectric thin film 3 having crystal structure of a trigonal or hexagonal system formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１と、この単結晶基板１上に形成された結晶膜からなるバッファー層２と、バッファー層２上に形成された六方晶系または三方晶系の結晶構造を有する圧電薄膜３とを備えてなる表面弾性波素子。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate is characterized by comprising the steps of: crystal growing a nitride semiconductor layer on one major face of the single crystal substrate having a crystal structure of a hexagonal system; and eroding and removing the single crystal substrate by etching.例文帳に追加

六方晶系の結晶構造を有する単結晶基板の一主面上に、窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、前記単結晶基板をエッチングにより浸蝕させて除去する工程とを経ることを特徴とする半導体基板の製造方法とする。 - 特許庁

After a substrate body 1 having a crystal 2 consisting of a hexagonal system gallium nitride semiconductor and a marker structure 3 is prepared, the substrate body 1 is cut along a plane intersecting the marker structure 3 to form a hexagonal system gallium nitride semiconductor wafer 5 having a first marker 7.例文帳に追加

六方晶系窒化ガリウム半導体からなる結晶体２とマーカー構造物３とを有する基板体１を準備した後に、マーカー構造物３に交差する平面に沿って基板体１を切断して、第１のマーカー７を有する六方晶系窒化ガリウム半導体ウエハ５を形成する。 - 特許庁

The casing member for the fuel cell has a nitrided layer Ms having hexagonal system crystal structure on the surface of a substrate M comprising transition metal or alloy of transition metal.例文帳に追加

燃料電池用ケーシング部材は、遷移金属又は遷移金属の合金からなる基材Ｍの表面に、立方晶の結晶構造を有する窒化層Ｍｓを備える。 - 特許庁

The invention relates to the blue fluorescent substance for display device comprising zinc sulfide fluorescent substance having a hexagonal crystal system and 1.0-4.0 μm of average particle diameter and having silver and aluminum as activator.例文帳に追加

本発明の表示装置用青色発光蛍光体は、平均粒径が１．０〜４．０μｍの銀およびアルミニウムを付活剤とする六方晶系硫化亜鉛蛍光体からなる。 - 特許庁

The powder particles formed by spraying has magnetoplumbite type hexagonal system crystal structure whose basic composition is expressed by SrO.nFe2O3 (5.0≤n≤6.5), and exhibit superior magnetic characteristics.例文帳に追加

噴霧によって生成される粉末粒子は、その基本組成がＳｒＯ・ｎＦｅ_2Ｏ_3（５．０≦ｎ≦６．５）で表現されるマグネトプランバイト型六方晶構造を有しており、優れた磁気特性を発揮する。 - 特許庁

The fluid passing member for the fuel cell has a nitrided layer Ms having hexagonal system crystal structure on the surface of a substrate M comprising a transition metal or a transition metal alloy.例文帳に追加

燃料電池用流体通過部材は、遷移金属又は遷移金属の合金からなる基材Ｍの表面に、立方晶の結晶構造を有する窒化層Ｍｓを備える。 - 特許庁

The method for producing the compound semiconductor single crystal comprises growing an Al_xGa_yIn_1-(x+y)N (0≤x≤1; 0≤y≤1; x+y≤1) single crystal of a hexagonal system, where the growing direction of the single crystal is changed at least in two steps of the thickness direction and the lateral direction.例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法は、六方晶系のＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-(x+y)Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）単結晶の育成過程において、その単結晶の成長方向が少なくとも厚み方向と横方向の２段階に変更されることを特徴とする。 - 特許庁

In this mixed conductive ceramic for oxygen separation comprising the multiple oxide, the multiple oxide is represented by the chemical formula: LaxSra-xCoO3-y, wherein 0<x, y≤0.1 and 0.9<a<1.1, and has a hexagonal crystal system.例文帳に追加

化学式、Ｌａ_x Ｓｒ_a-x ＣｏＯ_3-y （０≦０．１，０．９＜ａ＜１．１）で表され、かつ、結晶系が立方晶系である複合酸化物と、該複合酸化物からなる酸素分離用混合伝導性セラミックス。 - 特許庁

To solve a problem that a hexagonal system has a crystal orientation different from that of zinc blend and fringes of equal thickness can not be observed when it is set at an angle of 45° with respect to a ring.例文帳に追加

六方晶の場合は従来の閃亜鉛鉱とは異なる結晶方位を有しており、従来のように、リングに対して４５°の角度とした場合には、等厚干渉縞は観察できない。 - 特許庁

The thermoelectric material is a single alloy having an Al-Mn-Si-based hexagonal system crystal structure, and contains 20-40 at% of Al, 20-40 at% of Mn, and 30-50 at% of Si.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｎ−Ｓｉ系の六方晶系結晶構造を有する単一合金であり、Ａｌを２０〜４０ａｔ％、Ｍｎを２０〜４０ａｔ％、Ｓｉを３０〜５０ａｔ％含むことを特徴とする。 - 特許庁

The additive for the polyester resin contains an inorganic compound that has a crystal system selected from hexagonal system, isometric system, tetragonal system, trigonal system, and rhombic system; and at least one of the lattice constants of 7 to 15 angstroms in the axes a, b, and c; the polyester resin, the polyester resin composition containing the additive, and the method for producing the composition are contained in this invention.例文帳に追加

結晶系が六方晶系、立方晶系、正方晶系、三方晶系または斜方晶系のいずれかであり、ａ軸、ｂ軸、ｃ軸の少なくとも１つの格子定数が７〜１５オングストロームである無機化合物を含有するポリエステル樹脂用添加剤、並びにポリエステル樹脂、及び該添加剤を含有するポリエステル樹脂組成物及びその製造法。 - 特許庁

An SiC single crystal with the same polytype as a substrate is epitaxially grown by introducing a raw material gas having an atom number ratio of carbon atoms to silicon atoms (C/Si ratio) of not less than 0.20 and less than 0.75 into the (0001) Si plane of a hexagonal system SiC single crystal substrate.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．２０以上０．７５未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

This phosphor 1 for a display device is prepared by incorporating a first activator and a second activator into a phosphor matrix comprising zinc sulfide having a crystal structure mainly consisting of a hexagonal system.例文帳に追加

表示装置用蛍光体１は、六方晶を主体とする結晶構造を有する硫化亜鉛からなる蛍光体母体中に、第１の付活剤および第２の付活剤を含有させた硫化亜鉛蛍光体からなる。 - 特許庁

The ceramic polycrystal body 4 has a crystal structure of triclinic, monoclinic, orthorhombic, tetragonal, trigonal or hexagonal system, an average particle size of 5 to 50 μm, and a linear transmissivity of ≥8%.例文帳に追加

セラミックス多結晶体４は、三斜晶、単斜晶、斜方晶、正方晶、三方晶又は六方晶の結晶構造を有し、結晶の平均粒径が５μｍ以上かつ５０μｍ以下であり、直線透過率が８％以上である。 - 特許庁

The purpose can be attained by forming a conductive surface nitride layer of hexagonal GaN system crystal using a GaP substrate so that thermal stability can be attained even at a temperature (1000°C or above) required for epitaxial growth of GaN and hexagonal GaN required for high efficiency element can be fabricated.例文帳に追加

ＧａＮを気相成長させるのに必要な温度（１０００℃以上）でも熱的安定性が獲得でき、また、高効率素子を作製するために六方晶のＧａＮが成長できるようにＧａＰ基板を用いて表面が六方晶ＧａＮ系結晶でなり、導電性を有する表面窒化層を形成することにより上記課題が解決できる。 - 特許庁

Energy level of band gap is shifted between the 6H-SiC substrate 11 and the 3C-SiC thin film 12 due to difference of the crystal structure (hexagonal system and cubic system) wherein the conduction band of the substrate 11 is higher than that of the thin film 12 and the valence band of the substrate 11 is also higher than that of the thin film 12.例文帳に追加

６Ｈ—ＳｉＣの基板１１と３Ｃ—ＳｉＣの薄膜１２は、その結晶構造（六方晶系と立方晶系）の相違によりバンドギャップのエネルギレベルがずれており、伝導帯は薄膜１２より基板１１が高く、価電子帯も薄膜１２より基板１１が高い。 - 特許庁

To provide a quartz substrate with a zinc oxide thin film suitable for growing a good quality hexagonal system nitride semiconductor crystal such as GaN, which has heat resistant properties so that micro cracks are not generated on the zinc oxide thin film, even if it is heated to a temperature of 700-900°C at the time of the growth of the semiconductor crystal.例文帳に追加

ＧａＮなどの良質な六方晶系の窒化物半導体結晶を成長させるのに適した、ＺｎＯ薄膜付き石英基板において、半導体結晶成長時に ７００〜９００ ℃の温度に加熱されても、ＺｎＯ系薄膜にマイクロクラックが発生しないよう、耐熱性を改善する。 - 特許庁

The single crystal indium nitride nanotubes of a wurtzite type hexagonal system are produced by heating a mixture of an indium oxide powder and carbon nanotubes in a reaction furnace, such as a horizontal quartz tubular furnace, at 1,100±50°C for 1.5-2 h after reducing pressure while allowing nitrogen gas to flow.例文帳に追加

酸化インジウム粉末とカーボンナノチューブの混合物を横型石英管状炉などの反応炉中で、減圧にした後、窒素ガスを流しながら、1100±50℃に1.5〜2時間加熱することにより、ウルツ鉱型六方晶系の単結晶の窒化インジウムナノチューブを製造する。 - 特許庁

In the hexagonal system wurtzite type compound single crystal represented by AX (A is a positive element and X is a negative element) obtained by performing crystal growth with respect to at least m surface from a columnar seed crystal, concentrations of a divalent metal and a trivalent metal among other than the positive element A are ≤10 ppm and also dispersion of their concentrations are not more than 100% respectively.例文帳に追加

柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 - 特許庁

In this manufacturing method, baking can be carried out at a lower temperature compared to the well-known manufacturing method for barium titanate having a crystal structure of a hexagonal system, which makes it easier to manufacture a thin-film capacitor causing little change in electrostatic capacity due to the temperature change.例文帳に追加

また、上記の製造方法によれば、六方晶系の結晶構造を有するチタン酸バリウムの公知の製造方法と比較して低温で焼成が可能となるため、温度変化による静電容量の変化が小さい薄膜コンデンサをより容易に作製することができる。 - 特許庁

The intermediate plate for the fuel cell interposed between the anode separator and the cathode separator constituting a fuel cell separator is made of a substrate of transition metal or alloy of the transition metal, and has a nitrided layer 103 having hexagonal system crystal structure, on the surface layer.例文帳に追加

燃料電池セパレータを構成するアノードセパレータとカソードセパレータとの間に挟持された燃料電池用中間板において、立方晶の結晶構造を有する窒化層１０３を表面層に形成した、遷移金属又は遷移金属の合金の基材からなる燃料電池用中間板である。 - 特許庁

The soft magnetic material includes a plurality of composite magnetic particles 30 having metal magnetic particles 10 and insulating coatings 20 surrounding surfaces of the metal magnetic particles 10, aromatic polyetherketone resin 40, and inorganic lubricant 50 having metallic soap in a particulate shape with mean particle diameters of 2.0 μm or less and/or a crystal structure of a hexagonal system.例文帳に追加

軟磁性材料は、金属磁性粒子１０と、金属磁性粒子１０の表面を取り囲む絶縁被膜２０とを有する複数の複合磁性粒子３０と、芳香族ポリエーテルケトン樹脂４０と、平均粒径２．０μｍ以下の微粒子状の金属石鹸および／または六方晶系の結晶構造を有する無機潤滑剤５０とを備える。 - 特許庁

In this organic electroluminescence element, a carrier transfer layer is formed by doping a Lewis acid compound to a smectic liquid crystal compound having a hexagonal system order degree, and a protective layer having the carrier transfer capability of the same kind as the carrier transfer layer, and composed of an organic compound different in carrier conductivity is formed between the carrier transfer layer and a light emitting layer.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、六方晶秩序度を有するスメクチック液晶化合物に、ルイス酸性化合物をドーピングしてキャリア輸送層を形成し、さらに、該キャリア輸送層と発光層との間に、該キャリア輸送層と同種キャリア輸送能を有し且つキャリア伝導性の異なる有機化合物からなる保護層を形成する。 - 特許庁

The separator 3 for the fuel cell obtained by nitriding the surface of a substrate 10 comprising alloy containing a transition metal element selected from Fe, Cr, Ni, and Mo has a nitrided layer 11 having hexagonal system crystal structure in the depth direction from the surface 10a of the substrate 10, and the substrate 10 contains nitrogen in an interface region 10b between the substrate 10 and the nitrided layer 11.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＭｏの中から選ばれた遷移金属元素を含む合金からなる基材１０の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池用セパレータ３であって、基材１０の表面１０ａから深さ方向に立方晶の結晶構造を有する窒化層１１を備え、基材１０は窒化層１１との界面領域１０ｂに窒素を含有する。 - 特許庁

The crystal system of a double oxide of lithium and cobalt, synthesized by granulating and burning the mixed powder of lithium compound and cobalt compound with molar ratio Li/Co ranging from 0.98 to 1.005, is hexagonal.例文帳に追加

リチウム化合物とコバルト化合物を、Ｌｉ／Ｃｏモル比で０．９８から１．００５の範囲で混合した混合粉を、造粒成形し、焼成することにより、合成されたリチウムコバルト複酸化物であって、六方晶型を有し、ＣｕＫα線による粉末Ｘ線回折図形において、（００３）結晶面の回折強度Ｉ（００３）と、（１０４）結晶面の回折強度Ｉ（１０４）との比が、２．０≦Ｉ（００３）／Ｉ（１０４）≦４．０である。 - 特許庁