indirect semiconductorとは 意味・読み方・使い方

In place of a conventional direct transition semiconductor laser, there is employed a laser using an indirect transition semiconductor as an active layer material and is made a light source for reproduction.例文帳に追加

従来の直接遷移型半導体レーザに代えて、間接遷移型半導体を活性層材料とした間接遷移型半導体レーザを用いて、再生用の光源とする。 - 特許庁

The electron source is an indirect transition semiconductor composed of semiconductor material in which exciton binding energy is great, wherein the electron source forms an active layer by the indirect transition semiconductor, with ≥10% generation efficiency for free exciton with an electrode carrying out active layer current injection and converts a free exciton to a free electron in a negative electron affinity force surface formed in an active layer or in an active region to carry out continuous discharging.例文帳に追加

本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。 - 特許庁

Thereby, the piezoresistance coefficient in an end edge 67 of the membrane 17 can be made smaller than that in the central part of the membrane 17, regarding a series of semiconductor films consisting of the indirect heat resistance 12 and the lead parts 55 and 60.例文帳に追加

これにより、傍熱抵抗１２およびリード部５５、６０からなる一連の半導体膜に関して、メンブレン１７の端縁６７におけるピエゾ抵抗係数を、メンブレン１７の中央部におけるピエゾ抵抗係数よりも小さくできる。 - 特許庁

To solve the problem that, since an indirect TCXO obtained by one-chip integrating a semiconductor temperature sensor together with a temperature compensation voltage generating circuit and an oscillation circuit has a low sensor sensitivity, an amplifier circuit of the sensor output is provided, and hence the phase noise characteristics of the TCXO is deteriorated.例文帳に追加

半導体温度センサを温度補償電圧発生回路、発振回路と共に１チップＩＣ化した間接型ＴＣＸＯは、センサ感度が低いため、センサ出力の増幅回路を設けるので、ＴＣＸＯの位相雑音特性が劣化する。 - 特許庁

To allow indirect observation under the condition where a desired voltage is impressed to a diffusion area of a sample surface part observed actually, without affected by sample structure, when a state of a local depletion layer in the diffusion area of a semiconductor sample is observed by an SCM.例文帳に追加

半導体試料の拡散領域の局所的な空乏層の状態をSCM により観察する際、試料構造の影響を受けることなく、実際に観察している試料表面部の拡散領域に所望の電圧を印加した状態で間接的に観察することを可能にする。 - 特許庁

This device is a semiconductor device of a SDRAM, a delay circuit 1 setting delay quantity of a control signal, input data, and output data is inserted in an input stage and an output stage of a memory circuit consisting of direct peripheral circuits and indirect peripheral circuits to reduce skew of the control signal, input data, and output data for a clock signal in accordance with shape of a package and word constitution.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭの半導体装置であって、メモリアレイと、この直接周辺回路、間接周辺回路からなるメモリ回路の入力段、出力段に、パッケージ形状と語構成に応じて、クロック信号に対する制御信号、入力データ、出力データのスキューを低減するために、制御信号、入力データ、出力データの遅延量を設定する遅延回路１が挿入されている。 - 特許庁