間接遷移の英語

高効率間接遷移型半導体紫外線発光素子例文帳に追加

HIGH-EFFICIENCY INDIRECT TRANSITION SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT - 特許庁

従来の直接遷移型半導体レーザに代えて、間接遷移型半導体を活性層材料とした間接遷移型半導体レーザを用いて、再生用の光源とする。例文帳に追加

In place of a conventional direct transition semiconductor laser, there is employed a laser using an indirect transition semiconductor as an active layer material and is made a light source for reproduction. - 特許庁

本来、間接遷移型の化合物半導体であるリン化硼素に関して、キャリアの再結合効率を向上させた直接遷移的な再結合挙動を呈するリン化硼素系半導体層を提供する。例文帳に追加

To provide a boron phosphide based semiconductor layer exhibiting direct transition recombination behavior, in which recombination efficiency of carriers is enhanced with regard to indirect transition compound semiconductor, i.e., boron phosphide. - 特許庁

間接遷移型の半導体を用いた場合でも、単一の電子の転送により単一の光子が生成できるようにする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can produce a single photon by transition of a single electron even when an indirect transition type semiconductor is used. - 特許庁

空間データ同士が隣接し、かつ、人が遷移可能である（ドアがあるなど）場合、その点を空間接合点としリンクデータを関連づける。例文帳に追加

When the space data sets exist adjacently, and a person transits (a door is present for example), its point is linked with a link data set as a space junction point. - 特許庁

絶縁膜２と、この絶縁膜２に接しかつ圧縮歪みを有する間接遷移型半導体からなる第１の半導体領域（領域４ｂ）と、絶縁膜２上に第１の半導体領域（領域４ｂ）を挟むようにして接するとともに第１の半導体領域（領域４ｂ）とは異なる圧縮歪みを有しかつ間接遷移型半導体からなる第２および第３の半導体領域（領域４ｃ）とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor quantum well structure comprises an insulating film 2, a first semiconductor region 4b which contacts the insulating film 2 and is formed of indirect transition semiconductor with compressive strain, and second and third semiconductor regions 4c which contact the first semiconductor region 4b so as to sandwich therebetween, have compressive strain different from that of the first semiconductor region 4b, and are formed of indirect transition semiconductor. - 特許庁

本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。例文帳に追加

The electron source is an indirect transition semiconductor composed of semiconductor material in which exciton binding energy is great, wherein the electron source forms an active layer by the indirect transition semiconductor, with ≥10% generation efficiency for free exciton with an electrode carrying out active layer current injection and converts a free exciton to a free electron in a negative electron affinity force surface formed in an active layer or in an active region to carry out continuous discharging. - 特許庁