intermediate control electrodeとは 意味・読み方・使い方

The second insulating film contains a lowermost layer (A) disposed just above the charge accumulation layer, an uppermost layer (C) disposed just under the control gate electrode and an intermediate layer (B) disposed between the lowermost layer (A) and the uppermost layer (C).例文帳に追加

第２絶縁膜は、電荷蓄積層の直上に配置される最下層（Ａ）、制御ゲート電極の直下に配置される最上層（Ｃ）、及び、最下層（Ａ）と最上層（Ｃ）との間に配置される中間層（Ｂ）を含む。 - 特許庁

An intermediate electrode 44a being the side of one end of a capacitor 81 is connected with a second power supply system 71 branched from the first power supply system 70 so as to be directly applied with the drive potential from the control board 60.例文帳に追加

コンデンサ８１の一端側である中間電極４４ａは、第１給電系統７０から分岐した第２給電系統７１と接続されており、制御基板６０から直接駆動電位が付与される。 - 特許庁

On a second interlayer insulating film 30, a first wiring 33a connected to the control gate electrode 24 and a second wiring 33b connected to the intermediate electrode 22 of the ferrodielectric FET are arranged, thereby forming a wiring layer 33 connected to the gate electrodes 14 of the CMOS.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３０の上に、制御ゲート電極２４に接続される第１の配線３３ａと、強誘電体ＦＥＴの中間電極２２に接続される第２の配線３３ｂとを有し、ＣＭＯＳのゲート電極１４に接続される配線層３３を形成する。 - 特許庁

The metal gate electrode having a structure in which a work function control layer 5 containing N etc., an intermediate layer 6 containing Si or Al, and a low resistance layer 7 of MoN layer etc. are laminated through a gate insulating film 4 is formed on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上に、ゲート絶縁膜４を介して、Ｎ等を含有する仕事関数制御層５、ＳｉまたはＡｌを含んだ中間層６、およびＭｏＮ層等の低抵抗層７が積層された構造を有するメタルゲート電極を形成する。 - 特許庁

To provide an exhaust emission control device that can prevent plasma discharge from being rebounded after hitting against a wall coming into contact with an electrode on the upstream side in an exhaust gas flowing direction of a honeycomb structure to improve an introduction rate of plasma in an intermediate space of the honeycomb structure.例文帳に追加

プラズマ放電がハニカム構造体の排ガス流れ方向の上流側の電極と接する壁に当たって跳ね返ることを防止できて、ハニカム構造体内の中空間へのプラズマの導入率を向上し得る排ガス浄化装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device having a switching circuit including an FET provided on a semiconductor layer on an insulating layer comprises: a first gate electrode and a second gate electrode provided in juxtaposition in a direction toward a drain region from a source region between the source region and the drain region of the FET; and a control terminal electrically connected to the intermediate region between the first gate electrode and the second gate electrode.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、絶縁膜の上の半導体層に設けられたＦＥＴを含むスイッチ回路を有する半導体装置であって、前記ＦＥＴのソース領域とドレイン領域との間に、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向に並んで設けられた第１のゲート電極および第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の中間領域に電気的に接続された制御端子と、を備える。 - 特許庁

In the control method for three electrode arc welding for conducting welding by feeding three wires from one welding torch 4 insulated from one another, three wires are arranged in series on the welding line, a lump formed between a front travel wire 1A and a rear travel wire 1B by the arc force of the rear travel wire 1B is suppressed by the arc force of an intermediate wire 1C.例文帳に追加

１つの溶接トーチ４から互いに電気的に絶縁された３本のワイヤを送給して溶接を行う３電極アーク溶接制御方法において、３本のワイヤを溶接線上に直列に配置し、後行ワイヤ１Ｂのアーク力によって先行ワイヤ１Ａと後行ワイヤ１Ｂとの間に形成される湯だまり瘤を中間ワイヤ１Ｃのアーク力によって抑制する３電極アーク溶接制御方法である。 - 特許庁