ion sputteredとは 意味・読み方・使い方

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31.例文帳に追加

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。 - 特許庁

Since the dielectric body consisting of ceramic having plasma resistance is installed between the cathode and the anode, the organic substance sputtered by the RIE (Reactive Ion Etching) is prevented from being stuck on the anode side.例文帳に追加

カソードとアノード間にプラズマ耐性を有したセラミックなどからなる誘電体が設置されていることで、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によりスパッタされた有機物がアノード側に付着することを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a sample preparation method for a microsampling operation using a focused ion beam, which prevents substances sputtered by and which prevents sample processing from adhering to a sample surface.例文帳に追加

集束イオンビームを用いたマイクロサンプリングにおいて、試料加工の妨げとなる、スパッタリングされた物質の試料表面への付着を防止する試料の作製方法を提供する。 - 特許庁

At that time, since the sputtered particles (b) are not magnetized, they are deposited uniformly on the anode 7, without being affected by a magnetic field E formed in the ion chamber 3.例文帳に追加

その際、スパッタ粒子ｂは磁性を有していないので、スパッタ粒子ｂはイオン化室３に形成された磁場Ｅの影響を受けることなくアノード７上に一様に堆積する。 - 特許庁

The composite target materials are successively sputtered by using a common ion gun 2 so that vitreous films with the refractive index varying stepwise can be successively deposited on the surface of a substrate 3 with high accuracy.例文帳に追加

共通のイオンガン２で、前記複合ターゲット材料毎に順にスパッタすることで、基板３の表面に、屈折率が段階的に変化するガラス質の膜を高精度な膜厚で順次積層できる。 - 特許庁

Since the scattering plate 11 in the ion trap 9 has a corrugated plate shape, the incident angle of a part of the ions made incident on the scattering plate 11 is made shallow, and the scattering plate 11 is made hard to be sputtered.例文帳に追加

イオントラップ９の散乱板１１は波板状となっているので、散乱板１１に入射するイオンの一部はその入射角が浅くなり、散乱板１１はスパッタされにくくなる。 - 特許庁

The target having the composition contains at least trivalent Fe, Li, and PO_4 is used, and the target is sputtered by an ion such as a rare gas (for example an argon gas), thereby obtaining a thin film of iron lithium phosphate containing trivalent Fe.例文帳に追加

３価のＦｅと、Ｌｉと、ＰＯ_４と、を少なくとも含む組成のターゲットを用い、希ガス（例えばアルゴン）等のイオンでターゲットをスパッタリングすることにより、３価のＦｅを含むリン酸鉄リチウムの薄膜を得る。 - 特許庁

By this constitution, even if an ion particle 118 collides against the surface of the support 10, particularly an end surface 74, at film deposition treatment and resultingly particles 124 and 126 of a film 90 are sputtered from the end surface 74, the sputtered particles 124 and 126 do not redeposit on the surface of the object 20 to be treated.例文帳に追加

この構成によれば、成膜処理時に、イオン粒子１１８が支持具１０の表面、特に先端面７４、に衝突することによって当該先端面７４から被膜９０の粒子１２４および１２６が叩き出されたとしても、この叩き出された粒子１２４および１２６が被処理物２０の表面に再付着することはない。 - 特許庁