limit of growthとは 意味・読み方・使い方

When the growth temperature T_W is not lower than 690°C and lower than 750°C, the lower limit of growth speed V_G is given by the following formula V_G=α2×T_W+β2.例文帳に追加

成長温度Ｔ_Ｗが摂氏６９０度以上７５０度以下の温度であるとき、成長速度Ｖ_Ｇの下限は、以下の式Ｖ_Ｇ＝α２×Ｔ_Ｗ＋β２で与えられる。 - 特許庁

When a growth temperature T_W is not lower than 640°C and lower than 710°C, an upper limit of growth speed V_G is given by a following formula V_G=α1×T_W+β1.例文帳に追加

成長温度Ｔ_Ｗが摂氏６４０度以上７１０度未満の温度であるとき、成長速度Ｖ_Ｇの上限は、以下の式Ｖ_Ｇ＝α１×Ｔ_Ｗ＋β１で与えられる。 - 特許庁

The instability of meniscus in the growth of single crystal is improved by using a small amount of B2O3 6 having an amount to cover a gap of a contact part of a PBN container 7 and a GaAs single crystal 5 as a lower limit and such an amount as to expose part of the surface of a GaAs single crystal to an atmosphere as an upper limit.例文帳に追加

下限をＰＢＮ容器７とＧａＡｓ単結晶５との接触部の隙間を覆う量とし、上限をＧａＡｓ単結晶５の上面の一部が露出する程度の量とした少量のＢ_2 Ｏ_3 ６を使用することにより、単結晶成長時のメニスカスの不安定性が改善される。 - 特許庁

It is completely natural to also think of values that cannot be measured by GDP, etc., as objectives of economic policy.Additionally, even if we limit our outlook to economic growth itself, the questions of what to assume as the objective of economic growth and how to measure it should be decided by the people.例文帳に追加

GDP等では計測できない価値を含めて、経済政策の目標として考えて いくことは当然であるし、かつ、経済成長それ自体に限ってみても、目標としての経済成長として何を想定 しそれをいかに測るかは、国民としての意思決定によるべきものである。 - 経済産業省

The billet is then worked at a temperature below the γ' solvus temperature of the superalloy so as to form a worked article wherein the billet is worked so as to maintain strain rates above a lower strain rate limit to control average grain size and below an upper strain rate limit to avoid critical grain growth.例文帳に追加

ビレットを次いで、超合金のγ′ソルバス温度未満の温度で加工して加工品を形成するが、その際、歪速度が平均結晶粒径を制御するための下限歪速度を超え、しかも臨界結晶粒成長を避けるための上限歪速度未満に維持されるようにビレットを加工する。 - 特許庁

To provide a substrate for epitaxial growth which can limit a handling position of the substrate by tweezers, etc., to a very restricted portion of a substrate rim part, and thereby can drastically suppress an area of contamination, etc., due to substrate handling.例文帳に追加

ピンセット等による基板のハンドリング位置を基板周縁部のごく限られた一部分に制限でき、もって基板ハンドリングに伴う汚染等の領域を大幅に抑制可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。 - 特許庁

In the method for pulling a single crystal, when the impurity concentration in a melt 4 exceeds an upper limit value, a seed crystal part 7 is formed at the lower end of a single crystal 5 being pulled, and then, the growth of the single crystal 5 is stopped once.例文帳に追加

単結晶引上げ方法において、溶融液４の不純物濃度が上限値を超えたら引き上げされている単結晶５下端に種結晶部７を形成させた後、単結晶５育成を一旦停止する。 - 特許庁

On the formation of the GaInP epitaxial layer, it is grown at or higher a critical growth rate which is the lower limit of the rate at which the GaInP epitaxial layer can grow in a mirror-finished state.例文帳に追加

ＧａＩｎＰエピタキシャル層の形成に際しては、ＧａＩｎＰエピタキシャル層が鏡面状態で成長しうる速度の下限である臨界成長速度以上で成長させる。 - 特許庁