multi-valued fieldとは 意味・読み方・使い方

To provide a multi-valued information recording/reproducing device capable of recording a multi-value without using many near-field probes by dissolving the subject that a recording mark is not microminiaturized because of an optical diffraction limit.例文帳に追加

この発明は、光の回折限界により記録マークを微小化できないという課題を解決し、多数の近接場プローブを用いずに多値記録できる多値情報記録・再生装置を提供しようとするものである。 - 特許庁

To provide a data input circuit with a small chip area that uses a few numbers of magnetic field detection circuits so as to attain setting of many data with a few number of the magnetic field detection circuits and adopts multi-valued magnetic flux density applied to the magnetic field detection circuits without the need for provision of electrode terminals for signal inputs.例文帳に追加

磁界検出回路を使用することにより、信号入力の為の電極端子を設けることなく、また印加する磁束密度を多値化して、少ない磁界検出回路で多数のデータ設定を可能とし、チップ面積の小型化を実現する。 - 特許庁

Light intensity when the near-field light reaches the recording surface side of the recording medium 9 is changed by ON/OFF control of respective mechanical shutters 23a-23d, and multi-valued recording is performed onto the recording medium 9.例文帳に追加

この近接場光が記録媒体９の記録面側に到達する際の光強度は、各メカニカルシャッタ２３ａ〜２３ｄのＯＮ／ＯＦＦ制御によって可変され、記録媒体９に対して多値記録を行うことができる。 - 特許庁

The wireless installation 10 detects n pieces of first field intensity, corresponding to n first electric waves received from the wireless installation 30 and makes multi-valued the n pieces of first field intensity by the use of n/k thresholds determined for each of k pieces of first field intensity which are a part of the n pieces of first field intensity detected to generate a private key Ks1.例文帳に追加

そして、無線装置１０は、無線装置３０から受信したｎ個の第１の電波に対応するｎ個の第１の電波強度を検出し、その検出したｎ個の第１の電波強度の一部であるｋ個の第１の電波強度ごとに決定されたｎ／ｋ個のしきい値を用いてｎ個の第１の電波強度を多値化し、秘密鍵Ｋｓ１を生成する。 - 特許庁

Plural anti-fuse elements F1, F2 are provided in a memory cell, and the gates of field effect transistors of the anti-fuse elements F1, F2 are connected with each other, so that one ends of the anti-fuse elements F1, F2 are connected in common to node A and the memory cell is multi-valued.例文帳に追加

メモリセルに複数のアンチヒューズ素子Ｆ１、Ｆ２を設け、各アンチヒューズ素子Ｆ１、Ｆ２の電界効果トランジスタのゲートを互いに接続することで、アンチヒューズ素子Ｆ１、Ｆ２の一端をノードＡに共通に接続し、メモリセルを多値化する。 - 特許庁