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n atmosphere
「n atmosphere」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 69件
The N-MAA crystal having little caking properties is obtained by subjecting a crystalline N-MAA to exposing treatment to an atmosphere containing an acidic gas or a basic gas.例文帳に追加
結晶状N-MAA を、酸性ガスまたは塩基性ガスを含む雰囲気下に曝露処理し、固結性の小さい N-MAA結晶を得る。 - 特許庁
To provide a novel n-type organic semiconductor material that ensures easy handling in the atmosphere.例文帳に追加
大気中での取り扱いの容易な新たなn型の有機半導体材料を提供する。 - 特許庁
The crystalline N-MAA having substantially free from the aldehyde-like smell is held and stored in the atmosphere containing the acidic gas or the basic gas.例文帳に追加
実質的にホルムアルデヒド様臭がない結晶状N-MAA を、酸性ガスまたは塩基性ガスを含む雰囲気下に保持して貯蔵する。 - 特許庁
Although a cavity N hermetically sealed by the bonding is formed, the cavity N has an atmosphere of nitrogen gas (inert gas).例文帳に追加
この接合により気密封止されたキャビティNが形成されるが、当該キャビティNは窒素ガス(不活性ガス)雰囲気としている。 - 特許庁
A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加
拡散炉内で、P型またはN型シリコン基板に、N型またはP型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁
Mg diffuses in the n^--GaN layer 11 for activation when subjected to thermal treatment for three hours at 900°C in an ammonia atmosphere.例文帳に追加
次に、アンモニア雰囲気中で900℃、3時間、熱処理を行うと、Mgがn^- −GaN層11中に拡散し、同時に活性化する。 - 特許庁
By the above agitation process, a nitrogen component (N_2 or N) in the atmosphere is always sufficiently captured in the mixture flux.例文帳に追加
この様な攪拌処理によって、雰囲気中の窒素成分(N_2またはN)が混合フラックス中に常時十分に取り込まれる。 - 特許庁
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「n atmosphere」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 69件
The manufacturing method comprises preparing an alloy material containing the ThMn_12 type crystal phase, and heating and keeping the alloy material under a pressurized atmosphere containing N to nitride it.例文帳に追加
ThMn_12型結晶相を含む合金素材を作製し、Nを含む加圧雰囲気下において合金素材を加熱保持する窒化処理を施す。 - 特許庁
The n-type conductive film and the p-type conductive film are formed by rapidly heating the organic zinc oxide film in a predetermined atmosphere.例文帳に追加
前記有機酸化亜鉛膜を、所定の雰囲気中で急速に加熱することによりn型導電膜およびp型導電膜を形成する方法。 - 特許庁
An N-purging box 100 has shutters 120, 122 for making a low- oxygen concn. atmosphere in the interior.例文帳に追加
窒素パージボックス100は、シャッタ120,122を備えており、内部が低酸素濃度雰囲気とされる。 - 特許庁
When the n-side electrode is provided on the n-type conductive substrate, first of all, the n-type conductive substrate is irradiated with plasma in an atmosphere of a chlorine-based compound gas containing Si to form an ion irradiation layer on the n-type conductive substrate (an irradiation step, a step S52).例文帳に追加
n側電極をn型導電性基板上に設けるときには、まず、n型導電性基板にSiを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してn型導電性基板にイオン照射層を形成する(照射工程、ステップS52)。 - 特許庁
The heat treatment is conducted under the non-oxidizing and non-nitriding atmosphere, and at this time the heat treatment is conducted under the atmosphere of dopant being mixed so that the n-type drift region 2 can be kept at the desired density.例文帳に追加
この熱処理は、非酸化性かつ非窒化性雰囲気下で行うが、このとき、n型ドリフト領域2が所望の濃度に維持されるように、ドーパントが混入された雰囲気下にて、熱処理する。 - 特許庁
The atmosphere to come into contact with a blue light-emitting phosphor constituting a phosphor particle layer 3 contains argon (Ar) and neon (Ne), and when the mole fraction of argon (Ar) is made A, and the mole fraction of neon is made N, the atmosphere is made that A/(A+N)≥0.04 is obtained.例文帳に追加
蛍光体粒子層3を構成する青色発光蛍光体に接する雰囲気を、アルゴン(Ar)とネオン(Ne)とを含み、かつ、アルゴン(Ar)のモル分率をAとし、ネオンのモル分率をNとすると、A/(A+N)≧0.04となる雰囲気とする。 - 特許庁
A photocatalyst substance film 12 comprising Sn-O-N and Zn-O-N is formed on a base 10 by means of sputtering using SnO2 and ZnO as a target in nitrogen atmosphere.例文帳に追加
基板10上に、窒素雰囲気におけるSnO_2やZnOをターゲットとしたスパッタリングにより、Sn−O−NやZn−O−Nからなる光触媒物質膜12を形成する。 - 特許庁
Here, Martens hardness of the first buffer layer itself measured under an atmosphere of 20°C and 50% relative humidity is set up to be 0.1-70 N/mm^2, and Martens hardness of the second buffer layer itself is set up to be 100-500 N/mm^2.例文帳に追加
そして、20℃、50%相対湿度の雰囲気下で測定した第1緩衝層単独のマルテンス硬度が0.1〜70N/mm^2、第2緩衝層単独のマルテンス硬度が100〜500N/mm^2に設定されている。 - 特許庁
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