patterning upとは 意味・読み方・使い方

To provide a halftone phase shift mask blank and a halftone phase shift mask having proper chemical resistance and light resistance and ensuring accurate pattern drawing without a charge-up phenomenon on patterning a resist film by electron beam lithography.例文帳に追加

耐薬品性、耐光性が良好で、レジスト膜に対して電子線描画してパターニングする際にも、チャージアップせずに正確なパターン描画ができるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

The light-shielding film 3 is made of a material, having conductivity of such a degree that charge-up phenomenon is not induced when patterning the resist film 4 by electron beam drawing, and the film is formed to cover the exposed portion 5 and the phase shift film 2.例文帳に追加

遮光膜３は、レジスト膜４を電子線描画しパターニングする際にチャージアップしない程度に導電性を有する材料であり、露出部５及び位相シフト膜２を覆うように形成されている。 - 特許庁

A plate-like member 3 is stuck on a support base board 1 via an adhesive layer 2, and plural cross-sectional pattern members 31, 32 and 33 are collectively formed by performing patterning up to penetrating through the plate-like member 3 by using a photolithography method.例文帳に追加

支持基板１上に接着層２を介して板状部材３を貼り付け、フォトリソグラフィー法を用いて板状部材３を貫通するまでパターニングして複数の断面パターン部材３１，３２，３３を一括して形成する。 - 特許庁

On the occasion of the patterning, the resin layer 102 is etched up to the bottom electrode 13a, so that resin forming the resin layer 102 does not substantially remain on the surface of the bottom electrode 13a facing the spaces 14a.例文帳に追加

該パターニングにあたり、液媒収容空間１４ａに面する下部電極１３ａの表面上に樹脂層１０２を構成する樹脂が実質的に残存しないように樹脂層１０２を下部電極１３ａまでエッチングする。 - 特許庁

An Al wiring is obtained by subjecting a multi-filmed Al layer made up of an Al film 2a of pure Al and an AlOx film 2b formed on the film 2a and made of Al containing oxygen elements to a photolithograpical patterning process.例文帳に追加

純粋なＡｌによって構成されるＡｌ膜２ａと、その上層に積層された酸素元素を含むＡｌによって構成されるＡｌＯ_x 膜２ｂとからなる多層Ａｌ層３をフォトリソグラフィーによってパターニングし、Ａｌ配線を得る。 - 特許庁

This forms a charge shield layer 250 which overlies exposed portion of a pattern 230 of the charge capture layer exposed, and after forming a gate layer 500 which fills up a recessed member, a gate layer 500 is treated by spacer etching and processed by patterning with a gate 501 of spacer formation.例文帳に追加

これにより露出した電荷捕獲層のパターン２３０の露出部分上を覆う電荷遮断層２５０を形成し、リセスされた部位を充填するゲート層５００を形成した後、ゲート層５００をスペーサエッチングしてスペーサ形態のゲート５０１でパターニングする。 - 特許庁

To provide a cold cathode and its manufacturing method that enable to control the orientation of a field emission electron source capable of decreasing the operating drive voltage and the degree of vacuum of operation and to build up a cold cathode structure having a large-area wherein patterning in a desired shape can be made.例文帳に追加

動作駆動電圧、動作真空度が低減可能な電界放出電子源を配向制御することができ、所望の形状にパターニングできる大面積冷陰極構造の構築を可能にする冷陰極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charge transfer element to which alignment residual in patterning process at the time of formation does not lead to the variation in the photodetecting area of a photoelectric converter, and to provide its manufacturing method when configuring the image pick-up part of, for example, a solid state image sensor.例文帳に追加

例えば固体撮像素子の撮像部を構成した場合に、作製時のパターニング工程における位置合わせ誤差が光電変換部の受光領域の面積のばらつきにつながらない電荷転送素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁