per cとは 意味・読み方・使い方

c. The number of blinking per minute shall be 120 or more.発音を聞く 例文帳に追加

ｃ　明滅の一分間の明滅回数は、百二十以上であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A heat conductivity λ and a thermal capacity C per unit area are then determined.例文帳に追加

熱伝導率λ及び単位体積あたり熱容量Ｃを求める。 - 特許庁

For instance, when the charge for Masuseki C is 36,800 yen, the cost is 9,200 yen per person if the masuseki is occupied by four.発音を聞く 例文帳に追加

例えば3万6800円の枡席Cを、4人で使えば一人当たり9200円になる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

First, its temperature is raised from an ambient temperature up to a baking temperature (450°C to 550°C) of the first stage at a temperature-raising speed of 0.5 to 15°C per min. to be kept there for 1 to 10 hours.例文帳に追加

まず室温より昇温速度０．５〜１５℃／ｍｉｎで１段目の焼成温度（４５０℃〜５５０℃）まで昇温を行い、１〜１０時間保持する。 - 特許庁

In this latest benchmark, the server achieved the highest transaction rate (52,117 tpmC) in history with the amazingly low cost of $81 per tpmC.発音を聞く 例文帳に追加

最新のベンチマークで,このサーバーは,史上最高のトランザクション速度(52,117 tpmC)を,tpm(transactions per minute)C当たり81ドルという驚異的低コストで達成した． - コンピューター用語辞典

(c) Where the unit rate of the reward for the business per session or per hour, or any other unit rate of the reward has been specified, such unit rate発音を聞く 例文帳に追加

ハ　一回当たり又は一時間当たりの業務に対する報酬の単価その他の報酬の単価が定められている場合には、その単価 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In the method (I), a member fragment of 10 mg is heated from 35°C to 500°C, at a temperature increase rate of 10°C per minute, whole letting air through at a rate of 200 ml per minute by a thermogravimetric and differential thermal measurement apparatus to measure weight reduction.例文帳に追加

方法（Ｉ）：部材の破砕片１０ｍｇを用いて熱重量・示差熱測定装置により空気２００ｍｌ／分流通下、昇温速度１０℃／分で３５℃から５００℃まで加熱し重量減を測定。 - 特許庁

A gallium nitride-based compound semiconductor crystal (for example GaN) is epitaxially grown on the single-crystal substrate (for example NdGaO_3 single-crystal substrate), and then the substrate is cooled down under a condition that the temperature lowering rate is ≤5°C per minute, preferable the temperature lowering rate is ≤2°C per minute (for example 1.3°C per minute).例文帳に追加

単結晶基板（例えば、ＮｄＧａＯ_3単結晶基板）上に窒化ガリウム系化合物半導体（例えば、ＧａＮ）の結晶をエピタキシャル成長させた後、降温速度を毎分５℃以下、好ましくは毎分２℃以下（例えば毎分１．３℃）の条件で冷却するようにした。 - 特許庁