rapid etchingとは 意味・読み方・使い方

Etching is rapidly advanced to be centralized in the direction of <100> which is the direction of thickness of the silicon substrate 10, and when the sacrifice layer 2 is exposed, rapid etching is stopped (b).例文帳に追加

シリコン基板１０の厚さ方向である＜１００＞方向に集中して急速にエッチングが進み、犠牲層２が露出すると急速なエッチングは停止する（ｂ）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an inkjet recording head which improves a yield through a rapid decrease of the probability of cracking of an etching stopping layer during the formation of an ink supply port using anisotropic etching and permitting high definition printing.例文帳に追加

異方性エッチングを使ったインク供給口形成時のエッチングストップ層の割れの確率が飛躍的に低下して歩留まりが向上し、高品位な印字が可能なインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern by which the difference in etching shapes caused by the pattern density can be eliminated, and which is excellent in rapid response to the variation of the etching shift amount or the like and is at low cost.例文帳に追加

パターン形成方法に関し、パターン疎密に依るエッチング形状の差を解消することが可能であり、また、エッチングシフト量の変動などに対して即応性に優れ、且つ、低コストのパターン形成方法を提供しようとする。 - 特許庁

To obtain a lead-free glass composition for a plasma display panel barrier, which is lead oxide-free, environment-friendly, rapid in a etching ratio, and capable of forming the highly precise barrier.例文帳に追加

酸化鉛を含まず環境親和的で，エッチング率が速い，高精細の隔壁を形成可能なプラズマディスプレイパネル隔壁用無鉛ガラス組成物を提供する。 - 特許庁

In the method of rapid thermal processing (RTP) of a silicon substrate, a very low partial pressure of reactive gas is used to control etching and growth of oxides on the silicon surface.例文帳に追加

シリコン基板の高速昇降温処理（ＲＴＰ）の方法において、非常に低い分圧の反応性ガスを使用してシリコン表面上でのエッチングおよび酸化膜の成長を制御する。 - 特許庁

To simplify the device and reduce the cost by increasing the utilization efficiency of negative ions in plasma thereby enabling rapid etching even of an etch-resistant material such as ferroelectric material or precious metal.例文帳に追加

プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。 - 特許庁