rotating-crystal methodとは 意味・読み方・使い方

In the method, mixing of CO into a sealant melt is accelerated by supplying CO gas into a high pressure pulling furnace 11, then rotating an accommodated liquid raw material and a liquid sealant by rotating a crucible 12 and agitating the sealant melt by an agitation tool 21 before pulling the GaAs single crystal after a crystal raw material has been melted.例文帳に追加

結晶原料が融解した後、ＧａＡｓ単結晶を引き上げる前に、高圧引上げ炉１１内にＣ０ガスを供給し、るつぼ１２を回転することにより収容された液体原料と液体封止剤とを回転させ、攪拌治具２１によって封止剤融液を攪拌することにより、封止剤融液に対するＣＯの混入を促進する。 - 特許庁

To solve the following problem; in the case of introducing a method for comparing camera outputs while rotating the polarizing direction of a polarization liquid crystal filter at deciding the polarization component to be removed, the influence is given to a photographed image.例文帳に追加

除去すべき偏光成分を決定する際に、偏光液晶フィルタの偏光方向を回転させながらカメラ出力を比較する方式を採ると、撮影画像がその影響を受ける。 - 特許庁

The method for grinding a silicon carbide single crystal includes a process that allows an opening of a hollow cylindrical grindstone 30 to contact a growth surface opposed to a seed crystal side of the silicon carbide single crystal 10 formed by sublimation process and a process that cuts the silicon carbide single crystal 10 by rotating the hollow cylindrical grindstone 30 and lowering the hollow cylindrical grindstone in the seed crystal direction.例文帳に追加

昇華法により形成された炭化ケイ素単結晶１０の種結晶側に対向する成長面に対して中空円筒状砥石３０の開口部を接触させる工程と、 上記中空円筒状砥石３０を回転させると共に上記中空円筒状砥石を上記種結晶方向に下降させて上記炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程と、を含むことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の研削方法。 - 特許庁

A silicon single crystal is manufactured by a CZ method under the conditions that the rotation speed of the crucible is controlled to ≤4 min^-1 and that the single crystal is pulled while an inert gas introduced into a growing apparatus to pass over the silicon melt surface is blown to the melt surface to produce a rotating flow along the surface of the single crystal.例文帳に追加

（１）ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、るつぼの回転速度を４ｍｉｎ^-1以下とし、かつ育成装置内に導入しシリコン融液表面を通過する不活性ガスが単結晶の表面に沿った旋回流となるよう融液表面に吹きつけつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 - 特許庁

In a method for producing the highly doped silicon single crystal by pulling the single crystal from a molten material which contains dopant and is held in a rotating crucible, growth fluctuations during the pulling of the single crystal are limited to an amount of -0.3 to 0.3 mm/min.例文帳に追加

回転する坩堝内に存在する、ドーパントを含有する溶融液から単結晶を引き上げることにより、高濃度にドーピングされたシリコン単結晶を製造する方法において、単結晶引上時の成長変動が−０．３ｍｍ／ｍｉｎ〜０．３ｍｍ／ｍｉｎとなるように制限することを特徴とする、高濃度にドーピングされたシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

The sealing agent for the liquid crystal dripping method, applicable to the substrate by the printing method, has a viscosity of 5-150 Pa s when measured by setting the rotating speed of a probe to 1 rpm using an E-type viscometer at 25°C.例文帳に追加

印刷方式により基板に塗布することができる滴下工法用シール剤であって、２５℃においてＥ型粘度計を用いてプローブ回転数を１ｒｐｍに設定して測定したときの粘度が５〜１５０Ｐａ・ｓである液晶滴下工法用シール剤。 - 特許庁

To provide a polishing method of a color filter for a liquid crystal display for uniformly polishing a color filter surface even if a glass substrate is the large area by eliminating a peripheral velocity difference occurring when rotating and polishing the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板を回転して研磨する際に発生する周速差をなくし、ガラス基板が大面積であっても、カラーフィルタ表面を均一に研磨することのできる液晶表示装置用カラーフィルタの研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The surface reforming method for the light metal features in that a probe 7 rotating with a high speed is pressed to the surfaces 10, 20 approximately orthogonal to the longitudinal axis direction of the crystal grain of the light metal to reform the metallographic structure.例文帳に追加

軽合金の結晶粒子の長軸方向と略直交する表面１０、２０に高速回転するプローブ７を押し当てて表面部１１の金属組織を改質することを特徴とする軽合金の表面改質方法。 - 特許庁