vacuum sinteringとは 意味・読み方・使い方

A discharge plasma sintering device 6 is provided with a vacuum chamber 8 arranging a sintering unit 7 at the inside, an upper punch electrode 10 and a lower punch electrode 11 provided above and below the vacuum chamber 8 and arranged across the sintering unit 7 and a power source 12 impressing pulse power to the sintering unit 7 through these electrodes.例文帳に追加

この放電プラズマ焼結法を行う放電プラズマ焼結装置６は、焼結ユニット７を内部に配設している真空チャンバ８と、この真空チャンバ８の上下に設けられ焼結ユニット７を間に挟んで配設された上部パンチ電極１０及び下部パンチ電極１１と、これら電極を介して焼結ユニット７にパルス電力を印加する電源部１２とを備えている。 - 特許庁

When the magnetostrictive material with a polycrystal structure is produced by a powder metallurgical process, sintering is performed in a vacuum for a prescribed period.例文帳に追加

粉末冶金法により多結晶構造の磁歪材料を製造するに際し、所定期間真空下で焼結を行う。 - 特許庁

It is preferable that the sintering is performed under condition at 590 to 635°C in a vacuum or in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

焼結条件としては、真空中または不活性ガス雰囲気中で５９０〜６３５℃の温度で行うことが望ましい。 - 特許庁

The substrate for high integrity electrode is provided by adjusting the thickness by laminating the green sheets, carrying out sintering by a vacuum heat pressure sintering process with the above as material, this laminating and repeating sintering, further by a ceramics substrate the lamination holding, making high density by calcining and sintering at high temperature, and coating an electrolyte layer and an electrode layer by screen printing on the surface and sintering.例文帳に追加

該グリーンシートを積層して厚さを調整し、これを素材として真空熱圧焼結プロセスにより焼結し、これを積層して焼結するプロセスを繰り返し、さらにセラミック基板で挟持して、仮焼、高温度焼結して高密度化し、表面にスクリーン印刷等により、電解質層、電極層を塗布して焼結することにより高度整合性電極用基板とする。 - 特許庁

After that, the unsintered compact is charged to a sintering furnace, and its temperature is raised to 1,200°C at a temperature rising rate of 10°C per minute in a vacuum.例文帳に追加

その後、未焼成の成形体を焼成炉に入れ、真空下毎分１０℃の昇温速度で１２００℃まで昇温させた。 - 特許庁

The tantalum carbide sintered compact is obtained by sintering tantalum carbide powder having a purity of ≥99 mass% and a mean grain size of ≤3 μm under the conditions where sintering pressure is ≥20 MPa, sintering temperature is 1,600 to 2,300°C, and sintering time is ≥30 min in an inert gas atmosphere or in a vacuum atmosphere of ≤30 Pa.例文帳に追加

本炭化タンタル焼結体は、純度が９９質量％以上で平均粒径が３μｍ以下の炭化タンタル粉末を不活性ガス雰囲気または３０Ｐａ以下の真空雰囲気下で、焼結圧力が２０ＭＰａ以上で焼結温度が１６００℃以上２３００℃以下で焼結時間が３０分間以上の条件で焼結することにより得られる。 - 特許庁

This is attained by performing defatting and sintering processes of the binder in a vacuum sintering furnace as a single process (One-Step), and a device for forming a complicated shape by an insert (a placed core) and removing it by solvent.例文帳に追加

これらは、バインダーと真空焼結炉内でのプロセスである脱脂、焼結を一つの工程内（Ｏｎｅ−Ｓｔｅｐ）で行う事と、複雑な形状はインサート（置き中子）し、それを溶媒で除去する装置。 - 特許庁

The optical device is obtained by sintering the molded body of the ceramic particle at 1,100-1,500°C under vacuum of ≤10^-1 Pa.例文帳に追加

前記セラミックス粒子の成形体は１１００℃以上１５００℃以下の温度で１０^−１Ｐａ以下の真空中にて焼結させて光学素子を得る。 - 特許庁