void growthとは 意味・読み方・使い方

The process of forming the void-containing layer includes a process of providing temperature distribution such that a high-temperature part and a low-temperature part repeatedly continue on the surface of the substrate for growth and growing the group III nitride-based compound semiconductor on the substrate for growth by a vapor growth method.例文帳に追加

空洞含有層を形成する工程は、成長用基板の表面に高温部と低温部が繰り返し連続するような温度分布を設けて、気相成長法により成長用基板上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる工程を含む。 - 特許庁

Since it becomes difficult that the second catalyst metal 21 intrudes into the void 11 in the inter-layer of the first oxide 10, Grain growth or alloying of the first catalyst metal 12 and the second catalyst metal 21 can be suppressed to a higher degree.例文帳に追加

第２触媒金属21が第１酸化物10の層間の空隙11内に進入することが困難となるため、第１触媒金属12と第２触媒金属21とが粒成長あるいは合金化するのを高度に抑制できる。 - 特許庁

To provide a wiring structure which can suppress stress migration failure (conduction failure caused by the growth of a void in a via plug bottom) resulting from a thermal load to a wiring part.例文帳に追加

配線部に対する熱負荷が原因として発生する、ストレスマイグレーション不良（ビアプラグ底面におけるボイドの成長が原因となる導通不良）を抑制することができる配線構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method which comparatively simplifies or shortens a crystal growth process of a semiconductor than usual during manufacturing a void-less and good quality semiconductor crystal.例文帳に追加

ボイドのない良質な半導体結晶を製造する際の半導体の結晶成長工程を従来よりも簡素化させたり、短期化させたりすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element provided with a bulb-type recessed channel which can prevent growth and move of a void produced inside a ball pattern when a conductive film used as a gate electrode is formed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極として用いられる導電膜を形成する際、ボールパターンの内部に発生するボイドの成長及び移動を阻止し得るバルブ型埋め込みチャネルを備えた半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial silicon wafer in which a slip accompanying heating during epitaxial growth is not caused and a decrease in surface roughness of an epitaxial film due to a void defect on a wafer surface is eliminated.例文帳に追加

エピタキシャル成長時の加熱に伴うスリップが発生せず、ウェーハ表面のボイド欠陥に起因したエピタキシャル膜の表面粗さの低下も解消可能なエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a yield in a method of manufacturing a semiconductor element that includes a process of peeling a substrate for growth with a void-containing layer as a peel boundary surface.例文帳に追加

空洞含有層を剥離境界面として成長用基板を剥離する工程を含む半導体素子の製造方法において、歩留り向上を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SiC single crystal in which the mixing probability of a polycrystal in a single crystal and a void density can be reduced without the need for a special apparatus even when a crystal growth temperature is high.例文帳に追加

高い結晶成長温度であっても特別な装置を必要とせず単結晶中の多結晶の混入確率およびボイド密度を低減し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁