キャリア緩和の英語

第２金属は、シリコン層の多数キャリアに対する第１電極層２２と第３電極層６２、７０とのバンド不連続を緩和する仕事関数を有する材料である。例文帳に追加

The second metal is a material having a work function for relaxing band discontinuity of the first electrode layers 22 and third electrode layers 62 and 70 with respect to a majority carrier of the silicon layers. - 特許庁

正弦波３２の周波数が大きく変動しても、精度良いパルス幅ｔを得ることで、三角波キャリア比較法に比べて、パルス幅変調時の高調波歪による誤差を大幅に緩和できる。例文帳に追加

This can greatly ease the error caused by the distortion of harmonic waves at pulse width modulation, as compared with a triangular wave carrier comparison method, by determining a precise pulse width t even if the frequency of the sine wave 32 fluctuates largely. - 特許庁

チャネル領域に歪みＳｉを形成してキャリア移動度を増大するトランジスタ形成技術に関し、従来の緩和ＳｉＧｅ層を導入する方法ではない新たな構成を提案する。例文帳に追加

To provide new constitution which does not use a method of introducing a conventional relaxation SiGe layer, for a transistor forming technology in which carrier mobility is increased by forming strained Si in a channel region. - 特許庁

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、アンドープＩｎＡｌＡｓキャリア走行層１０３、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４、アンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０５、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０６、ｐ型濃度勾配ＩｎＧａＡｓ吸収層１０７、ｐ型ＩｎＰキャップ層１０８で構成されている。例文帳に追加

The semiconductor optical element comprises an n-type buffer layer 102, an undoped InAlAs carrier travel layer 103, an n-type InAlAs field relaxation layer 104, an undoped InAlAs multiplication layer 105, a p-type InAlAs field relaxation layer 106, a p-type concentration gradient InGaAs absorption layer 107, and a p-type InP cap layer 108 formed on an n-type InP substrate 101. - 特許庁

高濃度領域３４は、ボディコンタクト領域３６と共にキャリアの移動を容易に行なわせてボディ領域３２内に生じる抵抗分布を緩和し、素子に形成される寄生ＮＰＮトランジスタの作動を抑制すると共に高破壊耐量を確保する。例文帳に追加

The high concentration region 34 easily moves carriers together with a body contact region 36 to mitigate a resistance distribution generated in the body region 32, an operation of a parasitic NPN transistor formed in an element is restricted, and also a high breakdown strength is ensured. - 特許庁

懸垂式昇降搬送装置用台車において昇降制御を受け、被搬送用キャリアのフランジ部を把持、開放を行う一対のフィンガが互いに接近して前記フランジ部の把持完了時に生じる動力伝達機構に与えられる衝撃を緩和することである。例文帳に追加

To damp a shock applied to a power transmission mechanism caused when a pair of fingers holding and opening the flange part of a carrier to be carried are moved close to each other by receiving lifting control and the holding of the flange part is completed in a carriage for a suspended lifting and carrying device. - 特許庁

ソース層とドレイン層とが交互に形成された素子領域を有していながら、該素子領域の外周付近での電流（キャリア）の集中を緩和して、ＥＳＤ（静電気放電）等に起因するサージに対する耐性のさらなる強化を図ることのできる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which further reinforces durability against surge due to ESD (electrostatic discharge) or the like by mitigating the concentration of a current (carrier) near the outer periphery of an element region while having the element region formed of a source layer and a drain layer alternately. - 特許庁

アニロックスローラ８Ｙから現像ローラ９Ｙに現像剤が供給される直前に、現像ローラ９Ｙ表面が液体キャリアで濡らされているので、アニロックスローラ８Ｙの溝内の現像剤が現像ローラ９Ｙ表面に転写された後、アニロックスローラパターンは緩和しやすくなる。例文帳に追加

Since the surface of the developing roller 9Y is wetted with the liquid carrier immediately in front of the developer is supplied to the developing roller 9Y from the anilox roller 8Y, the pattern of the anilox roller 8Y is easily moderated, after the developer in the groove of the anilox roller 8Y has been transferred to the surface of the developing roller 9Y. - 特許庁