「"かただか"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

大魔法使いはだれにも会いたがらないし、いつも自分の流儀を通すお方だからな。例文帳に追加

for the Great Wizard does not like to see anyone, and he usually has his own way.  - L. Frank Baum『オズの魔法使い』

ただ借りた金を返していく、それを延長するというだけのことから、真にその企業が復活・再生するための出口として何を支援すればいいのか。例文帳に追加

What should be done to enable companies to truly achieve recovery, rather than merely repaying loans or having loans rescheduled?  - 金融庁

というのは，これこそ，かつて神に望みをかけた聖なる女たちが，自分の夫に服従することによって身を飾った仕方だからです。例文帳に追加

For this is how the holy women before, who hoped in God also adorned themselves, being in subjection to their own husbands:  - 電網聖書『ペトロの第一の手紙 3:5』

本発明の接合電界トランジスタは、選択再成長によりゲートのｐｎ接合を形成する際、ｐ＋型高濃度ドーピング再成長層１４の直下に、ｐ＋型高濃度ドーピング再成長層１４よりも低濃度にドーピングされた低濃度ドーピング再成長層１３を挿入する。例文帳に追加

A junction electric field transistor according to this invention, when the a pn junction of a gate is formed in a selection regrowth, a low-concentration doped regrowth layer 13 doped at lower concentration than a p+ type high-concentration doped regrowth layer 14 is inserted directly under the p+ type high-concentration doped regrowth layer 14. - 特許庁

ｐ^＋＋型半導体領域１４は、凹部１０の側部および底部にも形成され、ｐ^＋＋型高濃度基板７に達し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１３とによるツェナー接合を表面電極２３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を介してｐ^＋＋型高濃度基板７と導通させる。例文帳に追加

The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14. - 特許庁

あなたが愛するお方は、あなたの愛を独占することを願うお方です。あなたの心がただこのお方だけに向けられ、あなたの心のなかの王として着座されることを願われます。そのように扱われるにふさわしいお方だからです。例文帳に追加

Thy Beloved is such, by nature, that He will suffer no rival, but alone will possess thy heart, and as a king will sit upon His own throne.  - Thomas a Kempis『キリストにならいて』

答）年内に対応する生活あるいは雇用対策については、例えば年内にどこかの住宅に入りますという時に必要なお金、例えば入る時に敷金なんていうものは低利で融資をさせていただくとか、あるいはしばらく例えば社宅に住んでいただいて、その時には、社宅は基本的に非常に安いか、ただかということでありますけれども、一定の期間住んでいただいて、そこを何カ月後かに出る時に、精算する時に、その精算の時点での補助というような形で、今すぐ住むからお金が要るというものでないものと、それから今すぐ住むから必要なものと両方あるんだろうと思っております。例文帳に追加

A.As for life-assistance measures and employment-related measures to be implemented within this year, for example, we will immediately provide low-interest loans to some people - people who need to pay deposits to rent residences by the end of this year, for example - and provide subsidies to others - to people who have rented company-owned residences at low rates or for free, when they pay settlement money upon moving out after a certain period.  - 金融庁

年内に対応する生活あるいは雇用対策については、例えば年内にどこかの住宅に入りますという時に必要なお金、例えば入る時に敷金なんていうものは低利で融資をさせていただくとか、あるいはしばらく例えば社宅に住んでいただいて、その時には、社宅は基本的に非常に安いか、ただかということでありますけれども、一定の期間住んでいただいて、そこを何カ月後かに出る時に、精算する時に、その精算の時点での補助というような形で、今すぐ住むからお金が要るというものでないものと、それから今すぐ住むから必要なものと両方あるんだろうと思っております。例文帳に追加

for life-assistance measures and employment-related measures to be implemented within this year, for example, we will immediately provide low-interest loans to some people - people who need to pay deposits to rent residences by the end of this year, for example - and provide subsidies to others - to people who have rented company-owned residences at low rates or for free, when they pay settlement money upon moving out after a certain period.  - 金融庁

その結果、羅布麻の嗜好品としての付加価値を高めるため、羅布麻の葉を焙煎して羅布麻茶にしたものか、只乾燥したものを微粉末又は紅麻の葉をエキスにしたものを蜂蜜に混入攪拌して、羅布麻茶入蜂蜜が出来たので解決の手段とした。例文帳に追加

This honey with the rafuma tea is constituted by mixing and agitating the fine powder of the rafuma tea obtained by roasting the leaves of the rafuma or just dried, or black rafuma leaves made as an extract, with the honey. - 特許庁

第２高抵抗ドリフト層２３の表面層に配置された複数のＰ型ベース領域２４の各直下位置の第１高抵抗ドリフト層２２の表面層および第２高抵抗ドリフト層２３の底面層にＰ−型高抵抗埋め込み層２６が配置されている。例文帳に追加

P-type high resistance burying layers 26 are arranged on the surface layer of the first high resistance drift layer 22 and the base layer of the second high resistance drift layer 23, which are positioned just below a plurality of P type base area 24 arranged on the surface layer of the second high resistance drift layer 23. - 特許庁

面方位が（１００）のＮ^＋型低比抵抗Ｓｉ基板１０の面１０ａ上に、面方位がＳｉ基板１０とは異なる（１１１）のＮ^−型高比抵抗Ｓｉ基板２０の一方の面２０ｂを貼り合わせて、Ｓｉ貼合基板を構成する。例文帳に追加

A Si adhesive substrate is constituted by sticking one surface 20b of an N^--type high resistivity Si substrate 20 having face orientation (111) different from the Si substrate 10 on a surface 10a of an N^+-type low resistivity Si substrate 10 having face orientation (100). - 特許庁

ｐ^＋＋型高濃度基板７の主面上のｎ^＋型エピタキシャル層８の表面にｐ^＋＋型半導体領域１２、ｐ^＋＋型半導体領域１３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を形成し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２、１３とによる２つのツェナー接合を形成する。例文帳に追加

On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13. - 特許庁