「"イオン化エネルギー"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第一イオン化エネルギーが８〜１１ｅＶである原子Ｍに、炭素数１〜１０のアルコキシ基が結合したＭ−ＯＲで表される基を有するアルコキシ化合物と、銀粒子とを含有する焼結性導電ペースト。例文帳に追加

The sintering conductive paste contains an alkoxy compound having a group expressed by M-OR where alkoxy groups having 1-10 carbons are combined, and silver particles in an atom M having a first ionization energy of 8-11 eV. - 特許庁

セリウム、ジルコニウム、ビスマス、及びビスマスよりもイオン化エネルギーが高く且つ融点が１０００℃以上の金属元素を含む複合酸化物を有する排ガス浄化用触媒。例文帳に追加

The catalyst for cleaning an exhaust gas has a composite oxide containing a metal element whose ionization energy is higher than that of cerium, zirconium, and bismuth, and that of bismuth and whose melting point is 1,000°C or higher. - 特許庁

目的とするイオン化エネルギーの近傍で、初めてイオン化され得る試料のみを、選択的に検出することができ、Ｓ／Ｎ的にも優れたエレクトロン・モノクロメータ質量分析装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electron monochromator mass spectrometer which can detect selectively only a sample that can be ionized for the first time in the vicinity of a target ionization energy, and which is superior in view of S/N. - 特許庁

高エネルギーの電子生成物質が放出するイオン化エネルギーは低エネルギーの電子生成物質の有機物ガスイオン化のために消費され試料中の有機物をイオン化するエネルギーは殆ど残らない。例文帳に追加

The ionization energy emitted from the high-energy electron generating substance is consumed for ionizing the organic matter gas of the low-energy electron generating substance, and energy for ionizing the organic matter in the sample hardly remains. - 特許庁

基本骨格のイオン化エネルギーの値が７．０ｅＶ以上９．０ｅＶ以下で、かつ水溶性の化合物を少なくとも１種含有するインクジェット記録用シートである。例文帳に追加

This ink jet recording sheet has the value of ionization energy of a basic skeleton of 7.0 eV or more and 9.0 eV or less and, at the same time, includes at least one kind of water soluble compounds. - 特許庁

低エネルギー電子生成物質が放出するイオン化エネルギーは有機物イオン化に必要な強度はなく、試料中の有機物はイオン化されず、反転ピークの発生が抑制される。例文帳に追加

The ionization energy emitted from the low-energy electron generating substance does not have a strength required for ionizing the organic matter, the organic matter in the sample is not ionized, and the occurrence of the inverted peak is suppressed. - 特許庁

本発明は、半導体表面にフラーレン誘導体分子およびメタロセン分子のうち電子親和力が大きい、或いはイオン化エネルギーの小さいものを付着させることにより、分子から半導体への電荷移動を誘起させ、半導体のドーピングを行う。例文帳に追加

By having either fullerene derivative molecules or metallocene molecules, having larger electron affinity or smaller ionization energy adhered to the surface of a semiconductor, charge transfer from the molecule to the semiconductor is induced, and doping of the semiconductor is carried out. - 特許庁

式（３）において、Ｉ：光電子強度、ｈｖ：光子エネルギー、φ：仕事関数、Ｅ_０：吸着など物質表面に生じたクラスター状態のイオン化エネルギー、σ：同状態の標準偏差、ＣＧ/ＣＦ：同状態の相対的な状態密度である。例文帳に追加

In the formula (3), I is the intensity of a photoelectron, hv is photon energy, ϕ is a work function, E_0 is the ionizing energy of a cluster condition generated on the surface of a substance such as adsorption or the like, σ is the standard deviation of the same state and CG/CF is a relative state density in the same state. - 特許庁

本発明のフッ化物薄膜の形成方法は、金属ターゲットを用い、少なくともフッ素を含むガスで反応性スパッタを行うことにより、基板上に金属フッ化薄膜を形成する薄膜形成方法において、フッ素を含むガスのイオン化エネルギー以下で電子を該フッ素を含むガスに照射することにより該フッ素を含むガスを活性化して導入しスパッタを行うことを特徴とする。例文帳に追加

The fluoride thin film depositing method is characterized in that gas containing fluorine is activated and introduced to perform sputtering by irradiating electrons on the gas containing fluorine at the energy below the ionization energy of the gas containing fluorine in a thin film depositing method to deposit a metal fluoride thin film on a substrate by performing the reactive sputtering with the gas containing at least fluorine by using a metal target. - 特許庁

プラズマ加速装置は、一端部を開放する出口を有するチャンネルと、チャンネル内にガスを供給するガス供給部と、チャンネル内のガスにイオン化エネルギーを供給してプラズマビームを生成するプラズマ生成部、チャンネル内に所定の間隔を隔てて横方向に配置され、生成されたプラズマビームを電場によって出口に向かって加速する複数の格子からなるプラズマ加速部とを含む。例文帳に追加

The plasma accelerator comprises a channel having an exit releasing one end, a gas supplier which supplies gas into the channel, a plasma generator which supplies ionization energy to the gas in the channel to generate a plasma beam, and a plasma accelerator composed of a plurality of grids arranged in the lateral direction at set intervals in the channel to accelerate the generated plasma beam toward the exit with an electric field. - 特許庁

導電性の有無に係わらず物質表面の電荷移動力を正確に測定しうる電荷移動力検出装置及び方法を提供し、その測定により、物質の識別、局所的なイオン化エネルギー、電子親和力、仕事関数、界面の分極状態、界面の反応性等の物理的および化学的性質の検出を可能にする。例文帳に追加

To provide a charge moving force detection apparatus and method capable of accurately measuring the charge moving force of the surface of a substance, regardless of conductivity and non-conductivity and to detect the discrimination of the substance and physical and chemical properties such as local ionization energy, electron affinity, work function, interface polarizing state or interface reactivity by the measurement of the charge moving force. - 特許庁