「"タンタル膜"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

αタンタル膜の製造方法、αタンタル膜及びそれを用いた素子例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING α-TANTALUM FILM, α-TANTALUM FILM AND ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

酸化タンタル膜形成用組成物および酸化タンタル膜の製造方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING TANTALUM OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING TANTALUM OXIDE FILM - 特許庁

酸化タンタル膜形成用組成物および酸化タンタル膜の形成方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING TANTALUM OXIDE FILM AND METHOD FOR FORMING TANTALUM OXIDE FILM - 特許庁

タンタル膜の製造方法、タンタル膜及びそれを用いた素子例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING TANTALUM FILM, TANTALUM FILM AND ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

インクジェット方式酸化タンタル膜形成用組成物および酸化タンタル膜の形成方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING INK-JET METHOD TANTALUM OXIDE FILM AND METHOD OF FORMING TANTALUM OXIDE FILM - 特許庁

タンタル及び窒化タンタル膜を選択的に除去する。例文帳に追加

To selectively remove tantalum and a tantalum nitride film. - 特許庁

本発明によると、基板上に形成された窒化タンタル膜と、窒化タンタル膜上に形成されたタンタル膜と、タンタル膜上に形成されたＡｕ薄膜とを含む多層薄膜を含む素子に関する。例文帳に追加

The element includes a multilayer thin-film comprising a tantalum-nitride film formed on a substrate, a tantalum film formed on the tantalum-nitride film, and an Au thin-film formed on the tantalum film. - 特許庁

タンタル含有生成物および酸化タンタル膜の製造例文帳に追加

MANUFACTURE OF PRODUCT CONTAINING TANTALUM AND TANTALUM OXIDE FILM - 特許庁

酸化タンタル膜を用いたキャパシタ構造の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF CAPACITOR STRUCTURE EQUIPPED WITH TANTALUM OXIDE FILM - 特許庁

酸化タンタル膜、それを形成する方法および組成物例文帳に追加

TANTALUM OXIDE FILM, FORMING METHOD THEREOF AND COMPOSITION - 特許庁

酸化タンタル膜の形成方法及び電子部品の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING TANTALUM OXIDE FILM AND PRODUCTION OF ELECTRONIC PARTS - 特許庁

導電窒化タンタル膜を制御可能に形成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of controllably forming a conductive tantalum nitride film. - 特許庁

低比抵抗のαタンタル膜を、製造コストの増大を抑制しつつ、効率よく製造することが可能なαタンタル膜の製造方法及び該製造方法により製造されるタンタル膜及び該タンタル膜を用いてなる素子を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an α-tantalum film in which an α-tantalum film of low specific resistance can efficiently be produced while keeping a production cost, to provide a tantalum film produced by the method and to provide an element obtained by using the film. - 特許庁

さらにＣＶＤ法により非晶質の酸化タンタル膜５７を堆積し、この酸化タンタル膜５７を酸化性雰囲気で熱処理し、多結晶酸化タンタル膜を形成する。例文帳に追加

Furthermore, an amorphous tantalum oxide film 57 is deposited by CVD method, and the tantalum oxide film 57 is thermally processed in an oxidizing atmosphere to form a polycrystaline tantalum oxide film. - 特許庁

これにより非晶質の酸化タンタル膜を多結晶酸化タンタル膜１４に変化させ、同時に、多結晶酸化タンタル膜１４と半導体基板（ｐ型ウエル１１およびｎ型ウエル１２）との間にシリコン酸化膜１５を形成する。例文帳に追加

The amorphous tantalum oxide film 14 is turned to a polycrystalline tantalum oxide film 14, and a silicon oxide film 15 is formed between the polycrystalline tantalum oxide film 14 and the semiconductor substrate (P-type well 11 and an N-well 12). - 特許庁

半導体１上に５酸化タンタル膜２を形成したのち、非酸化性ガス雰囲気５中で熱処理を行って５酸化タンタル膜２を結晶化し、次いで、結晶化温度よりも低い温度において、酸化性雰囲気８中で５酸化タンタル膜６を酸化処理する。例文帳に追加

After a tantalum pentoxide film 2 is formed on a semiconductor 1, the tantalum pentoxide film 2 is crystallized through heat treatment in non- oxidizing gas atmosphere 5 and then a tantalum pentoxide film 6 is subjected to oxidation treatment in oxidizing atmosphere 8 at a temperature which is lower than a crystallization temperature. - 特許庁

タンタル又は窒化タンタル膜は、酸化性プラズマ化学物質を用いて選択的に取り除かれる。例文帳に追加

The tantalum or the tantalum nitride film is selectively removed, using an oxidative plasma chemical substance. - 特許庁

本発明は、タンタル及び窒化タンタル膜を選択的にドライ・エッチングするための方法を説明する。例文帳に追加

A method of selectively dry etch tantalum and a tantalum nitride film is provided. - 特許庁

この酸化タンタル膜４の上面を覆うように、酸化インジウム膜５ｂが形成されている。例文帳に追加

An indium oxide film 5b is formed so as to cover the upper surface of this tantalum film 4. - 特許庁

保護用のシリコン窒化膜１６と耐キャビテーション用のタンタル膜１７を形成してパターニングする。例文帳に追加

A protective silicon nitride film 16 and a cavitation resistant tantalum film 17 are formed and patterned. - 特許庁

その際、レジストパターン６０ｘ上に形成されたタンタル膜１３も除去する。例文帳に追加

On that occasion, the tantalum film 13 formed on the resist pattern 60x is also removed. - 特許庁

さらに多結晶酸化タンタル膜１４上にタングステン膜１６を堆積する。例文帳に追加

Furthermore, a tungsten film 16 is deposited on the tantalum oxide film 14. - 特許庁

そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。例文帳に追加

A gate electrode 11 composed of the silicon nitride tantalic film is formed on the threshold value adjustment film 7. - 特許庁

酸化タンタル膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。例文帳に追加

The tantalum oxide film 66 is used as the underlayer for crystallization of the ferroelectric material film (STN film) 57. - 特許庁

続いて、パターニングした酸化シリコン膜１６をタンタル膜１５上に形成する。例文帳に追加

Patterned silicon oxide films 16 are formed on the tantalum film 15. - 特許庁

ゲート電極９ａは、ゲート絶縁膜５上に直接形成された窒化タンタル膜６とこの窒化タンタル膜６上に形成されたハフニウム膜２６から形成される。例文帳に追加

The gate electrode 9a is constituted of a tantalum nitride film 6 formed directly on the gate insulating film 5 and a hafnium film 26 formed on the tantalum nitride film 6. - 特許庁

電極面を構成するタンタル膜への接合性を向上させ、タンタル膜上に追加の電極を設けなくても直接ボンディングが可能なワイヤボンディング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for wire bonding capable of directly bonding even without providing an additional electrode on a tantalum film by improving bondability to the film for constituting an electrode surface. - 特許庁

ビス（エチルシクロペンタジエニル）トリヒドロタンタルおよびその製造方法ならびにそれを用いた炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜の形成方法例文帳に追加

BIS(ETHYLCYCLOPENTADIENYL)TRIHYDROTANTALUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR FORMING TANTALUM CARBIDE FILM OR TANTALUM CARBONITRIDE FILM USING THE SAME - 特許庁

タンタル膜７は、ガリウム砒素基板６と炭化珪素膜８との間に配置されてため、炭化珪素膜８は、ガリウム砒素基板６に直接接することなく、タンタル膜７上に皮膜される。例文帳に追加

Since the tantalum film 7 is arranged between the gallium arsenide substrate 6 and the silicon carbide film 8, the silicon carbide film 8 is not contacted directly to the gallium arsenide substrate 6 and coated on the tantalum film 7. - 特許庁

タングステン膜１６および多結晶酸化タンタル膜１４をパターニングしてゲート電極１７および多結晶酸化タンタル膜１４とシリコン酸化膜１５とからなるゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The tungsten film 16 and the polycrystalline tantalum film 14 are patterned into a gate electrode 17 and a gate insulating film composed of the tantalum oxide film 14 and the silicon oxide film 15. - 特許庁

１００〜２００の比誘電率を有する酸化チタン膜と２０〜５０の比誘電率を有する酸化タンタル膜とを積層することで、酸化タンタル膜単層よりも高い比誘電率を得ることが可能となる。例文帳に追加

By laminating the titanium oxide films whose relative permittivities are 100-200 and the tantalum oxide films whose relative permittivities are 20-50, relative permittivity higher than that of a tantalum oxide film single layer can be obtained. - 特許庁

簡便な塗布法により、リーク電流の少ない高品位の酸化タンタル膜を容易に且つ効果的に形成するための組成物、および酸化タンタル膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for easily and effectively forming a high quality tantalum oxide film with small leak current by a simple coating method and to provide a method for forming a tantalum oxide film. - 特許庁

さらに、多結晶酸化タンタル膜５８にオゾン等酸化性雰囲気にて、５００℃、５分の熱処理を施し、多結晶酸化タンタル膜５８中の酸素欠陥を回復する。例文帳に追加

Further, the poly-crystal tantalum oxide film 58 is subjected to a heat treatment in an oxidative atmosphere such as ozone at 500°C for 5 min. to correct the deficiency of oxygen in the poly-crystal tantalum oxide film 58. - 特許庁

簡便な塗布法により、高湿度条件下でもリーク電流の少ない高品位の酸化タンタル膜を容易に且つ効果的に形成するための、貯蔵安定性組成物、酸化タンタル膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a storage stability composition for easily and effectively forming a high-grade tantalum oxide film with less leak current even under high-humidity conditions by a simple coating application method, and a method for forming the tantalum oxide film. - 特許庁

第１酸化タンタル膜２８ａ、第１酸化チタン膜２８ｂ、第２酸化タンタル膜２８ｃおよび第２酸化チタン膜２８ｄが下層から順に堆積された積層膜で容量絶縁膜２８を構成する。例文帳に追加

The capacitance insulating film 28 is constituted by using a lamination film wherein a first tantalum oxide film 28a, a first titanium oxide film 28b, a second tantalum oxide film 28c and a second titanium oxide film 28d are laminated in order from a lower layer. - 特許庁

さらにＣＶＤ法により非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これを非酸化性雰囲気、８００℃、３分の条件で熱処理して多結晶酸化タンタル膜５８を形成する。例文帳に追加

Further, an amorphous tantalum oxide film is deposited by a CVD method and is heat treated in a non-oxidative atmosphere at 800°C for 3 min. to form a poly-crystal tantalum oxide film 58. - 特許庁

簡便な塗布法により、リーク電流の少ない高品位の酸化タンタル膜を容易に且つ効果的に形成するための組成物、酸化タンタル膜の形成方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a composition for forming a high quality tantalum oxide film, having little leakage current using a simple coating method, and to provide a forming method for the tantalum oxide film. - 特許庁

５酸化タンタル膜の製造方法に関し、５酸化タンタル膜の膜質向上のための処理工程に伴う酸化膜容量換算膜厚ＥＯＴの増加を抑制するとともに、プラズマダメージの発生を防止する。例文帳に追加

To restrain increase of EOT(Equivalent Oxide Thickness) involved in treatment process for improving film quality of a tantalum pentoxide film and prevent generation of plasma damage. - 特許庁

高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値電圧係数ＶＣＲが−１５０乃至＋１５０ｐｐｍ／Ｖであり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％としてスパッタリングにより成膜されたものである。例文帳に追加

The high sound-quality resistance film consists of a laminate film 2 of a tantalum nitride film 2a and a tantalum film 2b, wherein VCR (voltage coefficient of resistance) is in the range of -150 to +150 ppm/V in the total laminate film. - 特許庁

半導体基板（Ｓｉ基板１）上に複数の下部電極３を形成する第１の工程と、これら下部電極３のそれぞれに個別にアモルファス状態の酸化タンタル膜５を形成する第２の工程と、この酸化タンタル膜５を熱処理によって結晶化させる第３の工程と、この結晶化された酸化タンタル膜上に上部電極１２を形成する第４の工程とを有する。例文帳に追加

A method has a first process that forms a plurality of lower electrodes 3 on a semiconductor substrate (Si substrate 1), a second process that independently forms a tantalum oxide film 5 with an amorphous state in each of the lower electrodes 3, a third process that crystallizes the tantalum oxide film 5 by heat treatment, and a fourth process that forms an upper electrode 12 on the crystallized tantalum oxide film. - 特許庁

金属膜２０として、例えば、クロム膜、ニッケル膜、タングステン膜、タンタル膜、アルミニウム膜等が適用できる。例文帳に追加

As for the metal film 20, for example, a chromium film, nickel film, tungsten film, tantalum film and aluminum film can be used. - 特許庁

水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。例文帳に追加

The plasma-excited species of hydrogen reduce the oxidized state of tantalum, thereby yielding a substantially conductive tantalum nitride film on the substrate. - 特許庁

非線形素子１０ｘの製造工程では、まず、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成する。例文帳に追加

In the process for fabricating a nonlinear element 10x, a lower electrode 13x is formed of a tantalum film containing tungsten and nitrogen. - 特許庁

ｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1のゲート電極９ａは、アモルファス化した窒化タンタル膜６ａとタングステン膜８より形成される。例文帳に追加

Gate electrode 9a of the n-type MIS transistor Q_1 is formed of a tantalum nitride film 6a rendered amorphous and a tungsten film 8. - 特許庁

その際、レジストパターン６０から成膜雰囲気中に放出された窒素は、タンタル膜１３にドープされる。例文帳に追加

In this case, nitrogen discharged from the resist pattern 60 into a film formation atmosphere is doped in the tantalum film 13. - 特許庁