「"Flash memory controller"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The number of flash memories 14, 14, ... connected to the flash memory controller 12 can be selected according to a necessary storage capacity.例文帳に追加

必要な記憶容量に応じて、フラッシュメモリコントローラ１２に接続されるフラッシュメモリモジュール１４、１４、…の個数を選択できる。 - 特許庁

FLASH MEMORY CONTROLLER, MEMORY CONTROL CIRCUIT, FLASH MEMORY SYSTEM, AND METHOD FOR CONTROLLING DATA EXCHANGE OPERATION BETWEEN HOST COMPUTER AND FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリコントローラ、メモリ制御回路、フラッシュメモリシステム、及びホストコンピュータとフラッシュメモリとの間でのデータ交換動作を制御するための方法 - 特許庁

The flash memory system includes flash memory cells and a flash memory controller 132 provided with means for partitioning the flash memory cells into high and low memory locations.例文帳に追加

フラッシュメモリセルをハイメモリロケーションおよびロウメモリロケーションに区分するための手段が設けられたフラッシュメモリセル及びフラッシュメモリコントローラ１３２を含む。 - 特許庁

One or more flash memory modules 14, 14, ... are connected to a flash memory controller 12 for communicating with a host system through a serial interface 16 having only three signal lines.例文帳に追加

ホストシステムと通信するフラッシュメモリコントローラ１２に、１個以上のフラッシュメモリモジュール１４、１４、…が、たった３本の信号線をもつシリアルインタフェース１６を介して接続される。 - 特許庁

To provide a flash memory controller and a flash memory inspection device for continuously evaluating and inspecting flash memories whose block and page structures are different.例文帳に追加

ブロック、ページの構造が異なるフラッシュメモリを連続的に評価検査することを可能にしたフラッシュメモリ制御装置およびフラッシュメモリ検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When deciding that the corresponding block is defective, the flash memory controller reads the boot program stored in the next block (steps S106, S103), and decides whether or not the corresponding block is defective again.例文帳に追加

また、不良ブロックと判定した場合は、次のブロックに記憶されたブートプログラムを読み出して（ステップＳ１０６，Ｓ１０３）、不良ブロックの判定を再度行う。 - 特許庁

To use a control board in a long life cycle without deteriorating functions or spec by enabling an NAND type flash memory controller to correspond to various NAND type flash memories.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラを種々のＮＡＮＤ型フラッシュメモリに対応可能とし、機能やスペックを落とさずに制御基板を長いライフサイクルで使えるようにする。 - 特許庁

The flash memory system includes a flash memory array 130 configured to provide a set of individual flash macros and a flash memory controller 132 for accessing the flash macros.例文帳に追加

フラッシュメモリシステムは、個々のフラッシュマクロの組及びフラッシュマクロにアクセスするためのフラッシュメモリコントローラ１３２を備えるように構成されたフラッシュメモリ列１３０を含む。 - 特許庁

The flash memory controller includes a write-while-reading unit 144, 146 for writing to one of the flash macros while simultaneously reading from another of the flash macros.例文帳に追加

フラッシュメモリコントローラは、フラッシュマクロの一つへ、同時にフラッシュマクロの他の一つから読出している間に、書込むための読出し間書込みユニット１４４，１４６を含む。 - 特許庁

The flash memory controller also includes programmable wait state registers 138, and a password register 140 providing separate passwords for different portions of the flash memory array.例文帳に追加

フラッシュメモリコントローラは、また、プログラム可能な待機状態レジスタ１３８及びフラッシュメモリ列の異なる部分のための別々のパスワードを提供するパスワードレジスタ１４０を含む。 - 特許庁

When a flash memory controller receives access to the storage region of the boot program from a CPU (a step S101), the flash memory controller outputs the read data to the CPU only when deciding that the corresponding block is not defective, from decision based on an ECC in data read from the corresponding page (steps S105, S106) and decision based on block information (step S109).例文帳に追加

フラッシュメモリコントローラは、ＣＰＵからブートプログラムの記憶領域へのアクセスを受けると（ステップＳ１０１）、対応するページから読み出したデータ中のＥＣＣに基づく判定（ステップＳ１０５，Ｓ１０６）と、ブロックインフォメーションに基づく判定（ステップＳ１０９）により、対応するブロックが不良でないと判定した場合のみ、読み出したデータをＣＰＵに出力する。 - 特許庁

To accelerate flash memory access in an entire system by carrying out write and erase processing to a plurality of flash memories by a flash memory controller in small circuit scale.例文帳に追加

複数のフラッシュメモリに対して、回路規模の小さいフラッシュメモリコントローラにより、ライト及びイレーズ処理を実行可能とし、フラッシュメモリアクセスをシステム全体で高速化することを可能とする。 - 特許庁

Then, the NAND-Flash memory controller 10 creates an error correction code in the determined data size and performs control to write the created error correction code to the NAND-Flash memory 20.例文帳に追加

そして、ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈメモリコントローラ１０は、決定されたデータサイズの誤り訂正符号を生成し、生成された誤り訂正符号をＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈメモリ２０に書き込むように制御する。 - 特許庁

A NAND-Flash memory controller 10 measures a time required for deleting data stored in a NAND-Flash memory 20 and determines the data size of an error correction code according to the measured time.例文帳に追加

ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈメモリコントローラ１０は、ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈメモリ２０に記憶されたデータの消去に要した時間を計測し、計測された時間に応じて、誤り訂正符号のデータサイズを決定する。 - 特許庁

A NAND flash memory controller CN decides an address of a memory block having data to be written for each NAND flash memory based on a error flag stored in NAND flash memories N-1 to N-n (n: natural number).例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリコントローラＣＮは、ＮＡＮＤフラッシュメモリＮ−１〜Ｎ−ｎ（ｎは自然数）が記憶するエラーフラグに基づき、書き込み対象のデータがあるメモリブロックのアドレスを各々のＮＡＮＤフラッシュメモリ毎に決定する。 - 特許庁

To provide a flash memory controller, a flash memory system with the memory controller and a control method for a flash memory, allowing efficient discrimination of corresponding relationship between a logical page and a physical page, or corresponding relationship between a logical sector area and a physical sector area.例文帳に追加

論理ページと物理ページとの対応関係又は論理セクタ領域と物理セクタ領域との対応関係を効率的に判別することができるフラッシュメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁

In starting the NAND flash memory controller 12, an NAND ID 20 is read from the NAND type flash memory 13, and individual specifications necessary for memory access are set, and configuration data 21 are read, and a speed (access time) when memory access is set.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラ１２の起動においては、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３からＮＡＮＤ ＩＤ２０を読み込んで、メモリアクセスに必要な個別仕様を設定すると共に、コンフィグデータ２１を読み込んで、メモリアクセス時におけるスピード（アクセスタイム）を設定する。 - 特許庁