「"excitation plasma"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA CVD APPARATUS例文帳に追加

表面波励起プラズマＣＶＤ装置 - 特許庁

NITRIDING METHOD AND DEVICE USING ELECTRON BEAM EXCITATION PLASMA例文帳に追加

電子ビーム励起プラズマを用いた窒化処理方法及び装置 - 特許庁

METHOD OF GENERATING SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA AND PLASMA GENERATING APPARATUS例文帳に追加

表面波励起プラズマの生成方法およびプラズマ発生装置 - 特許庁

The surface wave excitation plasma CVD apparatus 303 forms the silicon nitride film.例文帳に追加

そして、表面波励起プラズマＣＶＤ装置３０３によって窒化シリコン膜が形成される。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which does not generate mode jump of a surface wave excitation plasma.例文帳に追加

表面波励起プラズマのモードジャンプを生じさせないプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

PLASMA SOURCE, SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA CVD DEVICE EQUIPPED THEREWITH AND DEPOSITING METHOD例文帳に追加

プラズマソース、これを備える表面波励起プラズマＣＶＤ装置および成膜方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE OF GENERATING GROUND WAVE EXCITATION PLASMA AT CONDUCTOR PROXIMITY AREA例文帳に追加

導電体近接領域で表面波励起プラズマを発生する方法と装置 - 特許庁

High frequency power for use in surface wave excitation plasma treatment is set low by performing radical film formation using argon gas.例文帳に追加

また、アルゴンガスを用いたラジカル成膜を行うことで、表面波励起プラズマ処理に使用する高周波電力を低電力とする。 - 特許庁

When performing the sterilization, the gas in the treatment chamber 1 is circulated between the treatment chamber 1 and the ASWP (atmospheric-pressure surface wave excitation plasma) unit 2 via a pipe D4.例文帳に追加

滅菌処理時には、配管D4を介して処理室１内のガスが処理室１とＡＳＷＰユニット２との間で循環される。 - 特許庁

An atmospheric-pressure surface wave excitation plasma unit 2 is connected to the upper part of the side of a treatment chamber 1 storing a sterilization object.例文帳に追加

滅菌対象物が収容される処理室１の側面上方には大気圧表面波励起プラズマユニット２が接続されている。 - 特許庁

To provide a surface wave excitation plasma CVD device wherein the periphery of a workpiece substrate is a proper film formation region.例文帳に追加

被処理基板周辺を適正な成膜可能領域とする表面波励起プラズマＣＶＤ装置を提供すること。 - 特許庁

In the surface wave excitation plasma CVD device 100, a material gas comprising silicon element is introduced into a chamber 1 by at least one of an upper surface side introduction tube and a side surface side introduction tube 7, and a process gas which makes material gas cause chemical reaction by activation by surface wave excitation plasma P is introduced into the chamber 1 by a process gas introduction tube 5.例文帳に追加

表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、シリコン元素を含む材料ガスを上面側導入管および側面側導入管７の少なくとも一方によりチャンバー１内に導入し、表面波励起プラズマＰにより活性化して材料ガスに化学反応を起こさせるプロセスガスをプロセスガス導入管５によりチャンバー１内に導入する。 - 特許庁

The plasma TEOS oxide film 3 is formed by a two-frequency excitation plasma CVD device using a high-frequency power supply and a low-frequency power supply such that a film density thereof decreases toward an upper part.例文帳に追加

プラズマＴＥＯＳ酸化膜３は、高周波電源および低周波電源を用いる２周波励起プラズマＣＶＤ装置により、膜密度が上部に行くほど小さくなるように形成される。 - 特許庁

To provide a surface wave excitation plasma CVD device in which, even if a concentration distribution of material gas is non-uniform, a thin film of a uniform film thickness and film quality can be formed.例文帳に追加

材料ガスの濃度分布が不均一であっても、均一な膜厚、膜質の薄膜を形成することができる表面波励起プラズマＣＶＤ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a high frequency magnetic field excitation plasma arc cutting machine for a large work piece, which uniformly distributes plasma in the whole work piece.例文帳に追加

プラズマが加工物全体に均一に分布するようにした大形加工物用の新規な改良形高周波磁界励磁プラズマ加工機を提供する。 - 特許庁

The silicon substrate carried to a chamber 302 is carried to a surface wave excitation plasma CVD apparatus 303 with the aid of a carrying apparatus stored in a carrying chamber 305.例文帳に追加

チャンバー３０２に搬送されたシリコン基板は搬送室３０５に格納された搬送装置によって表面波励起プラズマＣＶＤ装置３０３に搬送される。 - 特許庁

The surface wave excitation plasma CVD device 100 comprises a chamber 1, dielectric blocks 4a to 4d, an exhaust pipe 5, a substrate stage 6, a material gas introducing system 7, a discharge gas introducing system 8 and a plasma source 10.例文帳に追加

表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、チャンバー１、誘電体ブロック４ａ〜４ｄ、排気管５、基板ステージ６、材料ガス導入系７、放電ガス導入系８およびプラズマソース１０を備える。 - 特許庁

To provide a metallic surface nitriding method which accelerates formation of a nitrogen diffused layer and which thereby facilitates formation of a surface hardened layer reaching the depth, in metal nitridation using electron beam excitation plasma and its device.例文帳に追加

電子ビーム励起プラズマを用いた金属窒化処理において、窒素拡散層の生成をさらに加速し深いところまで達する表面硬化層を容易に形成するようにした金属材料の表面窒化処理方法とそれを実施する装置を提供する。 - 特許庁

The nitriding treatment device uses an electron beam excitation plasma device 1 including: an electron beam gun 10 generating an energy-controlled electron beam; and a treatment tank 2 making the introduced gaseous nitrogen into nitrogen plasma by the electron beam emitted from the electron beam gun 10.例文帳に追加

窒化処理装置は、エネルギー制御された電子ビームを生成する電子ビームガン１０と、導入された窒素ガスが電子ビームガン１０から照射された電子ビームにより窒素プラズマ化される処理槽２とを有する電子ビーム励起プラズマ装置１を用いる。 - 特許庁

The control of the film quality (modulus of crystallization and modulus of failure) of microcrystalline silicon is made easy by eliminating a restriction on the introduction of material gas by performing radical film formation using argon gas in forming the film of microcrystalline silicon for an optical absorption layer (an i layer) of a solar battery by using surface wave excitation plasma.例文帳に追加

表面波励起プラズマによる太陽電池の光吸収層（ｉ層）用の微結晶シリコンの成膜において、アルゴンガスを用いたラジカル成膜を行うことで、材料ガスの導入の制約を無くし、微結晶シリコンの膜質（結晶率、欠陥率）の制御を容易とする。 - 特許庁

A diamond like carbon(DLC) covered layer 16 including silicon is formed on a slide surface 14 with a cam for opening and closing driving an intake/exhaust valves, or a side surface side sliding with a guide hole disposed on a cylinder head, by using an electron beam excitation plasma CVD device.例文帳に追加

給排気弁を開閉駆動するためのカムとの摺動面１４またはシリンダーヘッドに設けた案内孔と摺動する側面部に、電子ビーム励起プラズマＣＶＤ装置を使用してケイ素含有ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）被覆層１６を形成する。 - 特許庁

To provide acceleration electrode structure, which prevents adhering of an insulating substance to an acceleration electrode when processing a high temperature insulation substance, and stabilizes acceleration of an electron beam for a long time, in electron beam excitation plasma generating equipment, which has the acceleration electrode installed in a process room.例文帳に追加

プロセス室内に加速電極を設置した電子ビーム励起プラズマ発生装置において、高温絶縁性物質の処理を行うときに加速電極に絶縁性物質が付着することを防ぎ電子ビームの加速を長時間安定化する加速電極構造を提供する。 - 特許庁