「"interface layer"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The interface layer is formed by dipping the n-type charge transfer layer in a solution in which the interface layer is resolved.例文帳に追加

界面層は界面層を溶解した溶液中にｎ型の電荷輸送層を浸積させることによって形成している。 - 特許庁

INTERFACE LAYER GROWTH FOR HIGH-K GATE DIELECTRIC AT HIGH TEMPERATURE例文帳に追加

高温度における高ｋゲート誘電体用の界面層成長 - 特許庁

The interface layer, especially, is preferably formed relative to the upper layer, so that the thickness ratio of the interface layer to the upper layer represented by (thickness of the interface layer)/(thickness of the upper layer) is ≥0.01.例文帳に追加

特に、上部層に対して界面層は、（界面層の厚み）／（上部層の厚み）で表される界面層と上部層との厚みの比が0.01以上を満たすように形成されていることが好ましい。 - 特許庁

A preferable thickness of the interface layer is to be from 10 to 100 nm.例文帳に追加

前記界面層の好ましい厚さは、１０〜１００ｎｍである。 - 特許庁

The thickness of the interface layer 16 is changed in a range of 0.01-10.0 μm.例文帳に追加

界面層の厚さは、０．０１〜１０．０μｍの範囲で変化する。 - 特許庁

The amount of power is great enough to melt an interface layer of ice at an interface, where the thickness of the interface layer ranges from 1 μm to 1 mm.例文帳に追加

パワーの大きさは、界面での氷の界面層を融解するのに十分であり、通常、界面層の厚みは１μｍ〜１ｍｍの範囲である。 - 特許庁

The active material membrane is made of a lithium oxide, and has an interface layer formed on the current collector and an upper layer formed on the interface layer.例文帳に追加

活物質膜は、リチウム金属酸化物からなり、集電体上に形成される界面層とこの界面層上に形成される上部層とを備える。 - 特許庁

To provide a variable resistance random access memory element equipped with an n+ interface layer.例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING INTERFACE LAYER FOR DEPOSITION OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM例文帳に追加

高誘電率膜の堆積のための界面層を制御するための方法 - 特許庁

The first gate insulated film 8 is a silicon oxide film as a underlying interface layer.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜８は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。 - 特許庁

The fixing member includes: a substrate; an elastic layer disposed on the substrate; an interface layer disposed on the elastic layer, the interface layer containing a plurality of diamond-containing particles dispersed in a polymer matrix; and a surface layer disposed on the interface layer.例文帳に追加

基材と、前記基材の上に配置された弾性層と、前記弾性層の上に配置された、ポリマーマトリックス内に分散された複数のダイヤモンド含有粒子を含む界面層と、前記界面層の上に配置された表面層と、を含む定着部材。 - 特許庁

The rate of this interface layer 9 is preferably 5 to 95% in terms of the ratio of the length of the interface layer to the length of the internal electrode.例文帳に追加

この界面層９の発生率は、内部電極３の長さに対する界面層の長さの比で５％以上かつ９５％以下となるようにすることが好ましい。 - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING VESSEL FOR MOLTEN METAL, USE AND INTERFACE LAYER OF VESSEL例文帳に追加

溶融金属のための容器、該容器の使用及び界面層を決定するための方法 - 特許庁

The interface layer 15 is composed of at least one of Al, Ga, and In.例文帳に追加

この界面層１５は、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎの少なくとも一種以上からなる。 - 特許庁

CONTAINER FOR MOLTEN METAL, USE OF CONTAINER, AND METHOD OF DETERMINING INTERFACE LAYER例文帳に追加

溶融金属のための容器、該容器の使用及び界面層を決定するための方法 - 特許庁

The surface of the interface layer provided on the opposite side of the casting mold is formed into a textured surface.例文帳に追加

界面層２０を形成するため鋳型表面１８上に溶液が堆積される。 - 特許庁

The high-k gate insulating layer formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and the high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a relative dielectric constant higher than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

The high-k gate insulation film formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and a high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a high relative permittivity than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

In addition, an interface layer is provided between the semiconductor layer 13 and an intrinsic layer 14.例文帳に追加

さらに、Ｐ型半導体層１３と真性層１４との間に、界面層を設ける。 - 特許庁

The assembly also includes the interface layer 16 positioned between the first and second workpieces.例文帳に追加

アセンブリは、第１および第２のワークピースの間に位置付けられた界面層１６も含む。 - 特許庁

The method for forming an interface layer on a substrate surface, for which the hydrogen passivation is carried out, is provided.例文帳に追加

水素パッシベーションした表面上に界面層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

The multilayer dielectric film comprises a silicate interface layer 12 having permittivity higher than that of a silicon nitride film, and a high dielectric film 14 formed on the silicate interface layer.例文帳に追加

本発明よる多層構造の誘電体膜は、シリコン窒化膜より高誘電率を有するシリケート界面層１２及びシリケート界面層の上に形成された高誘電体膜１４を含む。 - 特許庁

The thickness of an interface layer 2A of a gate insulating film 52a in the first MIS transistor is thicker than that of an interface layer 2b of a gate insulating film 52b in the second MIS transistor.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜５２ａの界面層２Ａの厚さは、第２のＭＩＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜５２ｂの界面層２ｂの厚さよりも厚い。 - 特許庁

The optical information recording medium which has a substrate, a recording layer, a protective layer containing sulfur, an interface layer adjacent to the protective layer, and a reflection layer adjacent to the interface layer and consisting essentially of Ag, and which is characterized in that the interface layer consists essentially of Nb and/or Mo, is used.例文帳に追加

基板、記録層、硫黄を含有する保護層、前記保護層に接する界面層、及び前記界面層に接するＡｇを主成分とする反射層を有し、前記界面層がＮｂ及び／又はＭｏを主成分とすることを特徴とする光学的情報記録媒体を用いる。 - 特許庁

The reaction of the reflection layer and the protective layer is effectively suppressed by providing the interface layer.例文帳に追加

上記界面層を設けることにより、反射層と保護層との反応を有効に抑制する。 - 特許庁

The nitrogen-containing layer is formed from the high dielectric constant film 112 to the interface layer 110.例文帳に追加

窒素含有層は高誘電率膜１１２から界面層１１０に渡って形成されている。 - 特許庁

A SIM command is received from a radio interface layer (RIL) to access resources of the SIM.例文帳に追加

ＳＩＭコマンドが、ＳＩＭの資源にアクセスするために無線インターフェース層（ＲＩＬ）から受け取られる。 - 特許庁

To provide a fixing member including an interface layer, and a method for forming the fixing member.例文帳に追加

界面層を含む定着部材、および定着部材を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

In a casting process using a texture interface layer 20 for separating the surface of the casting mold 10 from the surface of the composite article 12 manufactured using the casting mold 10, a solution is deposited on the surface 18 of the casting mold 10 in order to form the interface layer 20.例文帳に追加

本発明は、鋳型１０を用いて製造される複合物品１２の表面から該鋳型の表面１８を隔離させるためテクスチャー界面層２０を使用する鋳造プロセスに関わる。 - 特許庁

An interface layer 106 is formed in an insulation sealing material 102 side adhesion face of rear face protection material 105.例文帳に追加

裏面保護材１０５の絶縁性封止材１０２側接着面に界面層１０６を形成する。 - 特許庁

It has been demonstrated experimentally that generally the case in which interface layer is generated occurs more frequently.例文帳に追加

むしろ、一般にこの界面層が生じる場合の方が多いことが実験的に明らかになった。 - 特許庁

Then, when the thickness of the negative electrode layer 14 is set to Tn, the thickness of the interface layer will be Tb, and the relation 0.005<Tb/Tn<0.5 is satisfied.例文帳に追加

そして、負極層の厚さをＴｎ、界面層の厚さをＴｂとした場合、０．００５＜Ｔｂ／Ｔｎ＜０．５を満たす。 - 特許庁

This electrolytic copper foil 1 with a carrier foil includes, e.g. a carrier foil 2, a junction interface layer 4 provided on one side of the carrier foil 2, and an electrolytic copper foil layer 3 provided on the junction interface layer 4, and is characterized in that the junction interface layer 4 comprises a metal oxide ML and an organic agent layer OL.例文帳に追加

キャリア箔２の片面上に、接合界面層４を備え、その接合界面層４上に電解銅箔層３を設けたキャリア箔付電解銅箔１において、当該接合界面層４は金属酸化物ＭＬと有機剤層ＯＬとからなることを特徴とするキャリア箔付電解銅箔１等を用いることによる。 - 特許庁

A new MOSFET provided with the metal gate electrode, a gate dielectric and an interface layer is disclosed.例文帳に追加

金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。 - 特許庁

First, the interface layer is formed on the substrate surface for which hydrogen passivation has been carried out, and after, a high-k film is formed by depositing one or more high-k dielectric films on the interface layer.例文帳に追加

また、最初に、水素パッシベート基板の表面上に界面層を形成し、その後、１つ以上のｈｉｇｈ−ｋ誘電体膜を堆積することによって、ｈｉｇｈ−ｋ膜を形成する方法が提供される。 - 特許庁

Furthermore, the capture metal layer reduces a thickness of a silicon oxide interface layer under the high-k gate dielectric remotely.例文帳に追加

さらに、該捕捉金属層は、高ｋゲート誘電体の下の酸化ケイ素界面層の厚さを遠隔から低減する。 - 特許庁

In the gate insulation film 120, an interface layer 110 and a high dielectric constant film 112 are stacked.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２０は、界面層１１０と高誘電率膜１１２とを積層した構成を有している。 - 特許庁

Each of the wiring patterns 7 includes an interface layer 2, a first seed layer 3, a second seed layer 4 and a wiring layer 6.例文帳に追加

各配線パターン７は、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６を含む。 - 特許庁

The battery comprises an interface layer 16 mainly composed of Si between the negative electrode layer 14 and the solid electrolyte layer 15.例文帳に追加

この電池は、負極層14と固体電解質層15との間に、Siを主成分とする界面層16を備える。 - 特許庁

The protocol conversion layer converts down data Q from the interface layer to the respective formats of the wired communication layer and the radio communication layer and converts up data P from the wired communication layer and the radio communication layer to the common format for the interface layer.例文帳に追加

プロトコル変換層は、インタフェイス層からの下りデータＱを有線通信層、無線通信層用の各様式に変換し、有線通信層、無線通信層からの上りデータＰをインタフェイス層用の共通様式に変換する。 - 特許庁

The thickness T1 of the interface layer 15 and the thickness T2 of the high-k layer 16 satisfy a relation of T1/(T1+T2)≤0.3.例文帳に追加

界面層１５の厚さＴ１及びhigh-k層１６の厚さＴ２は、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．３の関係を満たす。 - 特許庁

In the nitrogen-containing layer, concentration of nitrogen is the highest on the interface between the high dielectric constant film 112 and the interface layer 110.例文帳に追加

窒素含有層において、窒素の濃度は高誘電率膜１１２と界面層１１０の界面が最も高い。 - 特許庁

The interface layer 16 contains a material whose melting temperature is lower than the solidus temperature of the first and second workpieces.例文帳に追加

界面層１６は、第１および第２のワークピースの固相線温度よりも低い溶解温度を有する材料を含む。 - 特許庁

To form a layer of a high-κ dielectric material on an H termination silicon without forming a low-κ interface layer.例文帳に追加

低κ界面層を形成することなく、Ｈ終端シリコン上に高κ誘電材料の層を形成すること。 - 特許庁

The reflective element contains an interface layer 65 comprising a thermoset material, such as an epoxy resin, and the interface layer 65 is formed between the substrate 55 and the reflective layer 75 to improve the smoothness of the substrate.例文帳に追加

反射性素子は熱硬化性材料を含むインターフェース層６５を含み、熱硬化性材料、例えばエポキシレジンを含むインターフェース層を含み、このインターフェース層６５を基板５５と反射層７５との間に形成して基板の平滑さを向上させる。 - 特許庁