「"magnetron sputtering method"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MAGNETRON SPUTTERING METHOD AND DEVICE例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング方法と装置 - 特許庁

MAGNETRON SPUTTERING METHOD AND ITS APPARATUS例文帳に追加

マグネトロンスパッタ方法及び装置 - 特許庁

MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリング方法 - 特許庁

MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM, AND MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置及びそのスパッタリング方法 - 特許庁

MAGNETRON SPUTTERING METHOD AND MAGNETRON SPUTTERING DEVICE例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング方法とマグネトロンスパッタリング装置 - 特許庁

MAGNETRON SPUTTERING METHOD AND PRODUCTION OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法および磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁

TARGET FOR MAGNETRON SPUTTERING, AND MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング用ターゲット及びマグネトロンスパッタリング方法 - 特許庁

LARGE ELECTRIC POWER PULSED MAGNETRON SPUTTERING METHOD AND LARGE ELECTRIC POWER ELECTRIC ENERGY SOURCE例文帳に追加

大電力パルス化マグネトロンスパッタリング方法および大電力電気エネルギー源 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETOOPTIC DISK BY INDUCTIVELY COUPLED RF PLASMA SUPPORTED MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ法における光磁気ディスクの製造方法 - 特許庁

To provide a magnet set which can easily change the configuration of a cathode magnet in a magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法において、カソードマグネットの構成の変更を容易にする。 - 特許庁

To provide a method for reducing the permeability of a target material by the magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法のターゲット材の透磁率の低減方法の提供。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system, and to provide a magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置及びそのマグネトロンスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLUORIDE OPTICAL THIN FILM CORRESPONDING TO HIGH PERFORMANCE ULTRAVIOLET WAVELENGTH AREA ON QUARTZ SUBSTRATE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能紫外波長領域対応フッ化物光学薄膜の石英基板への成膜方法 - 特許庁

To obtain a fluoride thin film having stoichiometeric composition and free from fluorine defect by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

化学量論組成でフッ素欠損のないフッ化物薄膜をマグネトロンスパッタリング法により得ることである。 - 特許庁

FILM FORMED BY OPTICAL THIN FILM FOR HIGH PERFORMANCE VACUUM ULTRAVIOLET WAVELENGTH RANGE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能真空紫外波長域用光学薄膜の成膜 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering method capable of efficiently and uniformly performing the sputtering film deposition on a semiconductor wafer by using a strip-like target.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法において短冊形ターゲットを使用して半導体ウエハにスパッタ成膜を効率的かつ均一に行えるようにする。 - 特許庁

The film or composite film is produced by an arc ion plating method or a magnetron sputtering method using a solid target material with a sintered structure containing B.例文帳に追加

Ｂを含む、焼結構造の固体ターゲット材を用いたアークイオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法で製造する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus of high use efficiency of a target and a magnetron sputtering method.例文帳に追加

ターゲットの使用効率の高いマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を実現する。 - 特許庁

The Cd_3TeO_6 thin film is preferably formed by an RF magnetron sputtering method or an analogous sputtering method.例文帳に追加

この酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により形成することが好ましい。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus, and a magnetron sputtering method by which the distribution of film thickness can easily be controlled by using a blocking body.例文帳に追加

遮蔽体を利用して容易に膜厚分布の制御が可能なマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus, capable of increasing the amount and size of clusters produced by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

生成するクラスター量を増大しかつ大きなクラスターを生成することのできるマグネトロンスパッタ法による方法と装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering method by which the change of discharge voltage by the movement of a magnet is small and to provide a device suitable for the execution of the method.例文帳に追加

マグネットの移動による放電電圧の変化が少ないマグネトロンスパッタ方法とその方法の実施に適した装置を提供すること。 - 特許庁

Then, indium tin oxide (ITO) is film-formed in high electric power density by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

その上で酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）はマグネトロンスパッタリング法にて高電力密度で成膜した。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target material with which magnetic permeability used in a magnetron sputtering method is reduced.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法に用いる透磁率の低減したスパッタリングターゲット材の製造方法の提供。 - 特許庁

To improve the film quality in a magnetron sputtering method in which film formation is executed under the pressure lower than that capable of starting discharge.例文帳に追加

放電開始可能圧力より低い圧力で成膜するマグネトロンスパッタ方法において、膜質の向上を図る。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering method with the use of a rectangular target, which has enhanced sputtering treatment efficiency and production efficiency.例文帳に追加

短冊形ターゲットを用いるマグネトロンスパッタ法においてスパッタ処理効率ないし生産効率の向上を実現する。 - 特許庁

A high dielectric thin film capacitor is manufactured in such a way that, after an Al metallic electrode 2 is formed on a glass substrate 1 by the DC magnetron sputtering method, an SrTiO3 film 3 is formed on the electrode 2 as a high dielectric thin film by the RF magnetron sputtering method and another Al metallic electrode 2 is formed on the thin film 3.例文帳に追加

ガラス基体１上にＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｌの金属電極２を形成後、前記電極２上にＲＦマグネトロンスパッタ法により高誘電体薄膜としてＳｒＴｉＯ_3３を形成し、再び前記高誘電体薄膜３上にＡｌの金属電極２を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

This method for forming the optical thin film having many optical layers with a magnetron sputtering method on the surface of a substrate 8 comprises, introducing inert gas and reactive gas into a sputter chamber 1, and sequentially forming the optical layer on the substrate 8, under a condition of a discharge pressure of 1.3×10-1 Pa or less, with a reactive magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により基板８面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、スパッタ槽１内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０^-1Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により基板８面上に順次光学層を形成させる。 - 特許庁

The high-dielectric thin-film capacitor is manufactured by forming an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on a glass substrate by an RF magnetron sputtering method, then forming SrTiO 3 on the electrode 2 by the RF magnetron sputtering method and forming again an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on the high-dielectric thin- film.例文帳に追加

ガラス基体上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成後、前記電極上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｒＴｉＯ3を形成し、再び前記高誘電体薄膜上にＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

Moreover, this is the manufacturing method of the substrate with the transparent film which is equipped with a process of forming the first thin film layer composed of zinc oxide on the substrate by a magnetron sputtering method, and a process of forming the second thin film layer composed of indium oxide containing tin on the first thin film layer sequentially by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

また、基板上に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第１の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。 - 特許庁

To obtain a magnetron sputtering apparatus and a magnetron sputtering method for improving the use efficiency of a hollow target of a cylindrical shape, etc.例文帳に追加

円筒状等の中空状ターゲットの利用効率の向上を図ることができるマグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 sputters a target 8 by ions in plasma using a magnetron sputtering method, to form an ITO film originated from the target 8 on a glass substrate 5 attached to a rotating carrousel 4.例文帳に追加

スパッタリング装置１は、マグネトロンスパッタリング法を用いてターゲット８をプラズマ中のイオンによりスパッタリングし、回転するカルーセル４に取り付けられたガラス基板５にターゲット８によるＩＴＯ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide thin film by which a film having high biaxial orientation can be formed when producing the oxide thin film by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A chromium thin film 2 being the seed layer and a tantalum thin film 3 being a sub-carrier layer are formed by using an ion beam sputtering method and the tantalum thin film 4 being a principal carrier layer is formed by using a magnetron sputtering method.例文帳に追加

イオンビームスパッタ法を用いてシード層であるクロム薄膜２と、副キャリア層であるタンタル薄膜３を形成し、マグネトロンスパッタ法を用いて主キャリア層であるタンタル薄膜４を形成する。 - 特許庁

A film formation of a carbon layer is conducted by a magnetron sputtering method using mixed gas of argon and carbon dioxide at an arbitrary ratio to enable to form a transparent carbon layer having transparency, a low refractive index and moreover conductivity.例文帳に追加

カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。 - 特許庁

These can be obtained by the RF magnetron sputtering method in which titanium oxide having a diameter of 100 mm is used as a target, and boron (B) chips each having a 5 mm square are uniformly arranged on the target.例文帳に追加

これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 - 特許庁

An Mo/Si multilayered film (a surface side multilayered film) 102 is film-deposited on the surface of the deep layer side multilayered film 101 by a low voltage discharge rotary magnet cathode sputtering method which is a kind of a magnetron sputtering method.例文帳に追加

深層側多層膜１０１の表面には、マグネトロンスパッタ法の１種である低圧放電ロータリーマグネットカソードスパッタ法により、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜（表層側多層膜）１０２が成膜されている。 - 特許庁

The sliding mechanism is manufactured by the non-balancing type magnetron sputtering method, and a sliding material consisting of hard carbon with the hydrogen content of 20-25 at% is used.例文帳に追加

非平衡型マグネトロンスパッタリング法により製造され、水素含有量２０〜２５ａｔ％である硬質炭素からなる摺動材料を用いる。 - 特許庁

To provide an Mg metal on which an Ni treatment layer improving wear resistance is film-deposited with high adhesion by using a magnetron sputtering method, and to provide a production method thereof.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法を用いて、耐摩耗性等の向上を実現するＮｉ表面処理層を高密着に成膜したＭｇ系金属およびその製造法を提供する事。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering method using a magnetic substance having thickness suitable for mass production as a target, good in productive efficiency, low in the cost and excellent in cost effectiveness.例文帳に追加

量産に適した厚みをもつ磁性体をターゲットとして用い、生産効率がよく、低コストで経済性に優れたマグネトロンスパッタ方法を提供する。 - 特許庁

An Ag film is formed by a magnetron sputtering method wherein the discharge voltage is kept at 200-350V and the magnetic field intensity on an Ag-target surface is kept at 700-1,200 oersted during Ag-film formation.例文帳に追加

【解決手段】 Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。 - 特許庁

The transparent conductive thin film layer is produced by using high power impulse magnetron sputtering method.例文帳に追加

透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製されたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

The first porous electrode is manufactured by a magnetron sputtering method at low temperature in a vacuum vessel in which an inert gas and an oxygen gas in its rate of 10 to 90% expressed in terms of patial pressure exist and which has 0.5 to 6.0 Pa total pressure.例文帳に追加

第１の多孔質電極は、不活性ガスの他に酸素ガスが分圧換算で１０％以上、９０％以下の割合で存在し、全圧が０．５Ｐａ以上、６．０Ｐａ以下である真空槽中でマグネトロンスパッタリングによって低温下で形成される。 - 特許庁

By making electrically float at least a part of a cylindrical body structuring a cluster generation chamber of a cluster generation device by a magnetron sputtering method, a whole or a part of its inner wall surface is made to be charged as the same polarity with the cluster having the desired polarity.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法によるクラスター生成装置のクラスター生成室を構成する筒状体の少なくとも一部を電気的に浮かせることにより、その内壁面の全部または一部を、得ようとする極性を有するクラスターと同じ極性に帯電させる。 - 特許庁

An intermediate layer 2 with a metal layer 4 as a lower layer and a mixed layer 5 of metal and carbon as an upper layer is laminated on a surface of a substrate 1, and a diamond-like carbon film (a DLC film) 3 is deposited on the intermediate layer 2 by the unbalanced magnetron sputtering method.例文帳に追加

アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により、基材１の表面に、金属層４を下層とし、金属と炭素との混合層５を上層とする中間層２を積層し、中間層２の上にダイヤモンドライクカーボンの皮膜（ＤＬＣ皮膜）３を形成する。 - 特許庁