「"plasma‐enhanced chemical"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To reduce the heating of substrates during plasma enhanced chemical vapor deposition.例文帳に追加

本発明は、プラズマ化学気相堆積時の基板の加熱を低減する目的に基づいている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell by utilizing an induction coupled plasma enhanced chemical vapor deposition.例文帳に追加

誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

GAS DISTRIBUTION PLATE ASSEMBLY FOR LARGE AREA PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

大面積プラズマ化学気相堆積法のためのガス分配プレートアセンブリ - 特許庁

Cat-PECVD (CATALYTIC PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) METHOD, FILM FORMED USING THE SAME, AND THIN FILM DEVICE EQUIPPED WITH THE FILM例文帳に追加

Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス - 特許庁

A method for depositing a film includes arranging a substrate in a plasma enhanced chemical vapor deposition chamber.例文帳に追加

プラズマ化学気相成長チャンバ内に基板を配置する段階を備える成膜方法を開示する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL UTILIZING INDUCTION COUPLED PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 - 特許庁

The microcrystalline semiconductor layer forming the first semiconductor layer is formed by a plasma-enhanced chemical vapor deposition method.例文帳に追加

第１の半導体層を構成する微結晶半導体層はプラズマ励起化学気相成長法に形成される。 - 特許庁

In other aspects, HD plasma enhanced chemical vapor deposition is used, to deposit the M oxide layer on the substrate.例文帳に追加

他の局面では、基板上にＭ酸化物層を堆積するために、ＨＤプラズマ化学気相成長法が用いられる。 - 特許庁

To provide a method for depositing inorganic SiO_2 film at a low temperature using plasma-enhanced chemical vapor deposition method.例文帳に追加

プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて低い温度で無機ＳｉＯ_2膜を堆積する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for the deposition of a silicon dioxide film of high quality onto a substrate using plasma enhanced chemical vapor deposition and TEOS.例文帳に追加

プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a silicon dioxide film of high quality on a substrate by using a plasma enhanced chemical vapor phase growth and TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate).例文帳に追加

プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。 - 特許庁

The plurality of silicon nanocrystal embedded SiOx film layers are deposited using a high density plasma-enhanced chemical vapor deposition (HD PECVD) process.例文帳に追加

多層のシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、ＨＤＰＥＣＶＤプロセスにより堆積する。 - 特許庁

An MgO added alumina film 9 is deposited by means of a plasma enhanced chemical vapor deposition method using aluminum alkoxide, organic magnesium compound and oxygen as raw materials.例文帳に追加

アルミニウムアルコキシド、マグネシウム有機物、及び、酸素を原料としたプラズマ化学気相堆積法によって、ＭｇＯ添加アルミナ膜９を堆積する。 - 特許庁

In the process related to a plasma-enhanced chemical vapor-phase deposition (PECVD) for depositing a nitrogen-doped silicon carbide (Si-C-N) material, a nitrogen gas (N_2) aids chemical precursors for silicon and carbon.例文帳に追加

炭素窒化物シリコン（Ｓｉ−Ｃ−Ｎ）材料を蒸着するための処理はプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）に関し、そこではシリコン及び炭素用の化学前駆物質が窒素ガス（Ｎ２）によって補助される。 - 特許庁

The method includes the process in which, after forming a fluid polymerized film into a gap by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, an in-situ treatment to convert the film to a dielectric material is performed.例文帳に追加

間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。 - 特許庁

The hard material is produced by using a plasma-enhanced chemical vapor deposition method by pulse discharge, and subjecting the oxide of at least one of elements selected from B, Ti, W, and Si to hydrogen reduction, then to nitriding, carbonizing or carbonitriding.例文帳に追加

硬質物質は、パルス放電によるプラズマ化学気相成長法を用いて、Ｂ、Ｔｉ、ＷおよびＳｉから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を水素還元し、窒化、炭化または炭窒化させることにより製造される。 - 特許庁

To provide a method which forms a conformal dielectric film having Si-N bonds on a semiconductor substrate by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).例文帳に追加

プラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により、半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new cyclic siloxane compound useful for an Si-containing film-forming material, especially for a material for a low dielectric constant insulating film suitable for a PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment.例文帳に追加

Ｓｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した低誘電率絶縁膜用材料として有用な、新規な環状シロキサン化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a new Si-containing film-forming material, especially the Si-containing film-forming material containing an alkylsilane compound, suitable for a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) device.例文帳に追加

新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。 - 特許庁

A doped semiconductor layer 40 is deposited, by using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) to form a self-aligned junction at the edge of a self-aligned insulating region, thereby executing highl-accuracy gate/lead matching.例文帳に追加

ドープ半導体層４０をプラズマエンハンスト化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）を用いて付着し、自己整合絶縁領域のエッジで自己整合接合を生成することにより高精度なゲート／リード整合を行う。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon carbonitride-containing film from a compound as a source material suitable for a PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) device, and to provide a gas barrier film and a semiconductor device using the obtained film.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ装置に適した化合物を原料として炭窒化ケイ素含有膜を形成する方法を提供し、また得られた膜を用いたガスバリア膜及び半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a member in which the plasma resistance is improved so that a resin member does not receive damage by PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), and to provide a gas barrier member etc., using the member.例文帳に追加

樹脂部材がＰＥＣＶＤによってダメージを受けないよう、耐プラズマ性を向上させた部材を提供し、またそれを用いたガスバリア部材等を提供する。 - 特許庁

The method is preferably carried out by using plasma enhanced atomic layer deposition, plasma enhanced chemical vapor deposition, and plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition.例文帳に追加

この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。 - 特許庁

To provide a shadow frame which is particularly useful in plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) applications used to make active matrix liquid crystal displays (AMLCDs) and solar cells.例文帳に追加

活性マトリックス型液晶ディスプレイ（AMLCD）および太陽電池の作成に使用される、プラズマ強化型化学気相堆積（PECVD）用途において特に有用なシャドウフレームを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a linear carbon material and a functional device, by which low temperature PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) can be carried out and inexpensive manufacture using a glass substrate or the like can be carried out.例文帳に追加

低温でのＰＥＣＶＤを可能にして、ガラス基板等を使用して低価格で実施可能な線状炭素材料、及び機能デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multi-layered thin film structure having different physical properties on a base material using a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process.例文帳に追加

プラズマ化学気相成長(Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ)工程で基材上に相異なる物性の多層薄膜構造を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The alignment layer is a single layer of an amorphous fluorocarbon film, and formed by using hydrocarbon gas, hydrogen gas, fluorocarbon hydrogen gas, or a mixture of them and performing oblique vapor-deposition on the substrates by a plasma enhanced chemical vapor-deposition or sputtering vapor-deposition.例文帳に追加

配向膜はアモルファスフッ化炭素膜の単一層で、炭化水素ガス、水素ガス、フッ化炭化水素ガス、或いはこれらの混合体を用い、プラズマエンハンスト化学蒸着法又はスパッタ蒸着法により、基板に斜め蒸着することによって作成する。 - 特許庁

To provide a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process for depositing n-type and p-type zinc oxide-based transparent conducting oxides (TCOs), which are excellent in optical and electrical properties, on glass or temperature-sensitive materials such as plastics and a polymers at a low temperature.例文帳に追加

ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a nitride film by using a plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) suitable for a plastic LCD substrate such that a nitride film of high quality having good stability and excellent dielectric characteristics can be formed on a LCD substrate at a low temperature (less than 225°C).例文帳に追加

良好な安定性および優秀な誘電特性を持つ高品質の窒化膜を低温（２２５℃未満の温度）でＬＣＤ基板上に成膜することができ、プラスチックＬＣＤ基板に適した、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いた窒化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The main feature of the manufacturing method for the insulating film of this invention is that it comprises a stage of making a thin film out of the mixture between the double organic siloxane precursor compound and a thin-film physical property improvement agent using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method.例文帳に追加

本発明の絶縁膜の製造方法は、二重有機シロキサン前駆体化合物と薄膜物性改良剤との混合物をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法によって薄膜化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an improving method in field cleaning of deposition by-products in a low-temperature plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) chamber where the thermal budgets of a process require the minimization of the temperature rise of a susceptor and in the hardware in the chamber.例文帳に追加

プロセスの熱割当量がサセプタの温度上昇の最小化を必要とする低温プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）チャンバ及び該チャンバ内のハードウェア内の堆積副生物の現場クリーニングにおける改善方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel Si-containing film-forming material, particularly a material for a low dielectric constant insulating film which contains a cyclic siloxane compound and is suitable for a PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) apparatus, and an Si-containing film using the same, and a semiconductor device containing the film.例文帳に追加

新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

This manufacturing method of this conical structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition includes processes of: arranging a silicon substrate in a plasma generation region; introducing a mixture gas of methane gas and hydrogen gas in the plasma generation region; generating plasma by microwave power lower than 400 W; and applying a bias voltage of -120 to -50 V to the silicon substrate.例文帳に追加

プラズマ発生領域内にシリコン基板を配置する工程と、プラズマ発生領域内にメタンガス及び水素ガスの混合ガスを導入する工程と、４００Ｗ未満のマイクロ波電力によりプラズマを発生させる工程と、シリコン基板に—１２０Ｖを超え—５０Ｖ未満のバイアス電圧を印加する工程と、を含むプラズマ化学気相成長法による円錐状構造物の製造方法。 - 特許庁

The method for forming electrical isolation includes a step of forming multiple wiring lines 16 on the surface of the substrate, and that of a primary layer 48 composed of amorphous carbon by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method so that air may be filled and air gap may be arranged between adjoining wiring lines under the primary layer 48 on the wiring lines 16.例文帳に追加

複数の配線ライン１６を基板表面の上に形成すること、および前記配線ライン１６の上に、第１層４８の下であって隣りあう配線間には、空気が満たされ空隙を設けるように、非晶質炭素である第１層４８をプラズマ助長化学気相（ＰＥＣＶＤ）により形成すること、を含む。 - 特許庁

A method of manufacturing the magnetic recording medium includes steps of: forming a magnetic recording layer on a substrate; forming a protection overcoat layer on the magnetic recording layer; exposing the surface of the protection overcoat layer in an ambient atmosphere including perfluorocycloalkane and oxygen; and polymerizing the perfluorocycloalkane using a plasma enhanced chemical vapor deposition to deposit a layer including perfluoropolyether on the protection overcoat layer.例文帳に追加

基板上に磁気記録層を形成すること、該磁気記録層上に保護オーバーコート層を形成すること、該保護オーバーコート層の表面をパーフルオロシクロアルカン及び酸素を含む雰囲気に暴露すること、及び該パーフルオロシクロアルカンをプラズマ強化化学気相成長法を用いて重合して、該保護オーバーコート層上にパーフルオロポリエーテル含有層を堆積すること、を含む磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The deposition method contains a step where plural layers in which each layer is thinner than the final thickness of the film to be deposited are deposited by PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) in a reactor to deposit a dielectric film; and a step where the above reactor is subjected to cleaning between deposition for one layer and deposition for the next layer.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明は、反応器中でＰＥＣＶＤ（プラズマ促進化学蒸着）により、複数の層で、その各層がデポジットすべきフィルムの最終的厚さよりも薄い厚さを有する複数の層をデポジットすることにより誘電体フィルムを形成するステップ、及び、前記反応器を、一つの層のデポジションと次の層のデポジションの間でクリーニングするステップ、を含む、デポジション法を提供する。 - 特許庁