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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "specific-resistance"に関連した英語例文

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"specific-resistance"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 903



例文

The specific resistance ρ_1 and the specific resistance ρ_2 satisfy the following relationship: ρ_2<ρ_1.例文帳に追加

ここで、ρ_2<ρ_1である。 - 特許庁

The specific resistance ρ_1 and the specific resistance ρ_2 satisfy the following relationship: ρ_2>ρ_1.例文帳に追加

ここで、ρ_2>ρ_1である。 - 特許庁

SPECIFIC RESISTANCE DETECTOR AND SPECIFIC RESISTANCE DETECTING DEVICE例文帳に追加

比抵抗検出器及び比抵抗検出装置 - 特許庁

ELECTRODE CABLE FOR MEASURING SPECIFIC RESISTANCE例文帳に追加

比抵抗測定用の電極ケーブル - 特許庁

例文

MEASURING METHOD OF SPECIFIC RESISTANCE AGAINST FILTRATION例文帳に追加

濾過比抵抗の測定方法 - 特許庁


例文

The specific resistance of the second liquid is made higher than that of the first liquid, and the specific resistance of the liquid developer is increased.例文帳に追加

第2液を第1液の比抵抗より高抵抗として、液体現像剤の比抵抗を上げている。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 has specific resistance ρ_1.例文帳に追加

半導体基板10は、比抵抗ρ_1をもっている。 - 特許庁

METHOD OF INCREASING SPECIFIC RESISTANCE OF TIN-DOPE INDIUM OXIDE FILM例文帳に追加

スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 - 特許庁

The semiconductor layer 20 has specific resistance ρ_2.例文帳に追加

この半導体層20は、比抵抗ρ_2をもっている。 - 特許庁

例文

ELECTRIC CONDUCTIVITY AND/OR SPECIFIC RESISTANCE SENSOR例文帳に追加

導電率及び/又は比抵抗センサー - 特許庁

例文

CONTROL SYSTEM FOR MACHINING WATER SPECIFIC RESISTANCE例文帳に追加

加工水比抵抗値コントロ—ルシステム - 特許庁

A lower-part n- layer 12 of high specific resistance, intermediate n-layer 13 of low specific resistance, and upper-part n- layer 14 of high specific resistance are formed on an n+ cathode layer 11 of low specific resistance.例文帳に追加

低比抵抗のn^+ カソード層11の上に、高比抵抗の下部n^- 層12、低比抵抗の中間n層13、高比抵抗の上部n^- 層14が形成されている。 - 特許庁

To provide a copper thin film having small specific resistance.例文帳に追加

比抵抗の小さい銅薄膜を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING SPECIFIC RESISTANCE VALUE OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体ウェーハの比抵抗値測定方法 - 特許庁

MEASURING METHOD AND DEVICE FOR SOIL PROPERTY CORE SPECIFIC RESISTANCE例文帳に追加

土質コア比抵抗測定方法及び測定装置 - 特許庁

The first specific resistance of the first region 17a of the first gallium nitride-based semiconductor layer 17 is smaller than the second specific resistance of the second region 17b.例文帳に追加

第1の窒化ガリウム系半導体層17の第1の領域17aの第1の比抵抗は第2の領域17bの第2の比抵抗より小さい。 - 特許庁

The specific resistance ρ29 of the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is lower than the specific resistance ρ27 of the first p-type group III nitride semiconductor layer 27.例文帳に追加

第2p型III族窒化物半導体層29の比抵抗ρ29は第1p型III族窒化物半導体層27の比抵抗ρ27より低い。 - 特許庁

Then, based on the obtained specific resistance, each film deposition condition is controlled so as to make a film having the objective specific resistance.例文帳に追加

そして、求められた比抵抗に基づいて、目標とする比抵抗の被膜となるように各成膜条件を制御する。 - 特許庁

To provide a method of measuring the specific resistance value of a semiconductor wafer, capable of measuring the specific resistance value with high accuracy.例文帳に追加

比抵抗値を高い精度で測定可能な半導体ウェーハの比抵抗値測定方法を提供する。 - 特許庁

As a result of measuring a surface specific resistance of the surface molded with the composition, the specific resistance is 106 Ω with sufficient antistatic properties.例文帳に追加

導電性組成物を成型した面の表面固有抵抗を測定した結果、10^6Ωであり、十分な帯電防止性を有していた。 - 特許庁

When the specific resistance value at 150°C is defined as IR(150°C) and the specific resistance value at 50°C as IR(50°C), IR (150°C)/IR(50°C)≥0.05 is satisfied.例文帳に追加

150℃での比抵抗値をIR(150℃)、50℃での比抵抗値をIR(50℃)としたときにIR(150℃)/IR(50℃)≧0.05である。 - 特許庁

The electric specific resistance of the core material 40 is above 5×10-6 (Ω.cm) and the electric specific resistance of the metallic coating 42 is below the half of that of the core material 40.例文帳に追加

芯材40の電気的比抵抗は5×10^^-6(Ω・cm)以上,金属被覆42の電気的比抵抗は芯材40の1/2以下である。 - 特許庁

It is preferable that the specific resistance value of the neutral zone 13b of the green compact 13 is three or more times the specific resistance value of the surface part 13a thereof.例文帳に追加

圧粉体13のニュートラルゾーン13bの比抵抗値がその表面部13aの比抵抗値の3倍以上であることが好ましい。 - 特許庁

The resistor material has the specific resistance in a first direction and the extemely different specific resistance in an orthogonal direction.例文帳に追加

前記の抵抗材料は第1の方向における比抵抗、および直交する方向における非常に異なる比抵抗を有する。 - 特許庁

To reduce the dispersion in the specific resistance value and/or carrier mobility in a plane parallel to the crystal main plane of a GaAs crystal having high specific resistance.例文帳に追加

比抵抗の高いGaAs結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗値および/またはキャリア移動度のばらつきを低減する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING TITANIUM OXIDE TARGET HAVING HIGH DENSITY AND LOW SPECIFIC RESISTANCE例文帳に追加

高密度および低比抵抗を有する酸化チタンターゲットの製造方法 - 特許庁

MANAGEMENT SYSTEM OF FLUIDIZATION TREATMENT SOIL BY ELECTRIC SPECIFIC RESISTANCE SENSOR例文帳に追加

電気比抵抗センサーによる流動化処理土の管理システム - 特許庁

Dilute hydrofluoric acid from the dilute hydrofluoric acid nozzle 4 has a relatively low specific resistance.例文帳に追加

希フッ酸ノズル4からの希フッ酸は、その比抵抗が比較的低い。 - 特許庁

ELECTROMAGNETIC MATERIAL HAVING HIGH MAGNETIC FLUX DENSITY AND HIGH SPECIFIC RESISTANCE AND EXCELLENT IN MACHINABILITY AND COLD FORGEABILITY例文帳に追加

被削性、冷鍛性に優れた高磁束密度、高固有抵抗電磁材料 - 特許庁

Further, the aqueous solvent having specific resistance of ≥4 MQ.m is more preferable.例文帳に追加

さらに、水性溶媒は比抵抗が4MΩ・m以上のものが好ましい。 - 特許庁

(C) ≥1×10^13 Ω×m volume specific resistance.例文帳に追加

(C)体積固有抵抗値が1×10^13Ω・m以上。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SOFT MAGNETIC MATERIAL HAVING HIGH STRENGTH AND HIGH SPECIFIC RESISTANCE例文帳に追加

高強度および高比抵抗を有する複合軟磁性材の製造方法 - 特許庁

The specific resistance of the contact part 14a is greater than that of the electrode 13.例文帳に追加

接触部14aは、電極13よりも比抵抗が大きい。 - 特許庁

STABILIZING LIQUID SLIME CONTROL SYSTEM USING ELECTRIC SPECIFIC RESISTANCE SENSOR例文帳に追加

電気比抵抗センサーを使用する安定液のスライム管理システム - 特許庁

The resistor material having the specific resistance of axis dependence is provided.例文帳に追加

軸依存性である比抵抗を有する抵抗材料が提供される。 - 特許庁

The wire has a specific resistance value of 1.42 μΩm or lower.例文帳に追加

該導線は、1.42μΩm又はそれより低い比抵抗値を備える。 - 特許庁

The semi-conductor thin film is less changed in specific resistance, and has high mobility.例文帳に追加

この半導体薄膜は、比抵抗の変化が少なく、また、移動度が高い。 - 特許庁

The specific resistance of the working liquid 34 is set at 10^3-10^5 Ωcm.例文帳に追加

加工液34の比抵抗は10^3〜10^5Ω・cmに設定する。 - 特許庁

HIGH SPECIFIC RESISTANCE AND LOW LOSS COMPOSITE SOFT MAGNETIC MATERIAL, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

高比抵抗低損失複合軟磁性材とその製造方法 - 特許庁

To provide a tungsten nitride thin film which is low in specific resistance and little in variation.例文帳に追加

低比抵抗でバラツキの小さい窒化タングステン薄膜を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING AND VISUALIZING LIQUEFACTION PHENOMENON USING SPECIFIC RESISTANCE例文帳に追加

比抵抗を用いた液状化現象の計測・可視化方法とその装置 - 特許庁

The PTC material layer 11 shows a specific resistance of 0.1 Ω-cm or smaller.例文帳に追加

PTC材料層11は0.1Ω-cm以下の比抵抗を示す。 - 特許庁

In this laminated wiring board 1, a low-resistance silicon substrate 2 having predetermined specific resistance and a high-resistance silicon substrate 4 having high specific resistance relative to the predetermined specific resistance are laminated by interposing an insulating layer 3.例文帳に追加

積層配線基板1においては、所定の比抵抗を有する低抵抗シリコン基板2と、その所定の比抵抗よりも高い比抵抗を有する高抵抗シリコン基板4とが、絶縁層3を挟んで積層されている。 - 特許庁

The soft ferrite core is constituted, when the core is divided into many parts having nearly same weights and shapes and the specific resistance values of the divided parts are measured, the volume fraction of the parts having specific resistance values smaller than that of the means specific resistance value of the divided parts becomes20 vol.%.例文帳に追加

ソフトフェライトコアをほぼ均等の重量、形状に多分割し、各部分の比抵抗値を測定した場合に、比抵抗の値が平均値未満となる部分の体積分率を 20vol%以下とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal to manufacture a p-type silicon single crystal by the Czochralski method and from which a wafer having high specific resistance, favorable in the uniformity of the specific resistance within a surface and small in the fluctuation of the specific resistance can be obtained.例文帳に追加

比抵抗が高く、比抵抗の面内均一性が良く、比抵抗のバラツキが小さいウエハを取得可能なp型シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a specific resistance detector capable of easily detecting dirt of a detection piece of a detector for detecting specific resistance, and to provide a specific resistance detecting device for automatically detecting the dirt.例文帳に追加

比抵抗を検出する検出器の検出子の汚れを簡単に検出できるようにした比抵抗検出器及びこの汚れを自動的に検出する比抵抗検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a GaAs crystal substrate which has a high specific resistance such a specific resistance of10^8 to10^8 Ω cm and reduces dispersion of a specific resistance value and/or a carrier mobility within a plane parallel to a main crystal surface.例文帳に追加

比抵抗が1×10^8Ω・cm〜8×10^8Ω・cmのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および/またはキャリア移動度のばらつきが低減されたGaAs結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a tip jig for a device for measuring specific resistance whose rod inserting into the unhardened ground improving body is not a rod designed solely for measuring specific resistance but just a rod used for the ground improving device to be applied and thus is easily exchagable even if an electrode part of the device for measuring specific resistance is broken.例文帳に追加

未硬化地盤改良体中に差し込むロッドが比抵抗測定装置の専用ロッドでなく、地盤改良装置などに使用するロッドがそのまま転用でき、比抵抗測定用の電極部が破損した場合でも簡単に交換できる比抵抗測定装置用先端治具を提供する。 - 特許庁

When the measurement of specific resistance is completed and a plurality of specific resistance values along each horizontal course of traverse 1 are obtained, a finite element model is prepared, and reverse analysis by a limited least square method is done to form a two-dimensional specific resistance cross section distribution drawing along each horizontal course of traverse 1.例文帳に追加

比抵抗の測定が終了し、各水平測線1に沿った複数個の比抵抗値が得られると、有限要素モデルを作成し、制限付き最小二乗法による逆解析を行い、各水平測線1に沿った二次元比抵抗断面分布図を作成する。 - 特許庁

例文

The solid-state electrolytic layer made of manganese dioxide is doped with metallic ions, reducing specific resistance.例文帳に追加

前記二酸化マンガンによる固体電解層に、金属イオンをドープして、比抵抗を下げる。 - 特許庁

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