「"specific-resistance"」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technique which can check a specific resistance value by using the optimum threshold value according to the kind of chemical liquid and make suitable the completion of rinsing in a substrate cleaning apparatus of one-bath system.例文帳に追加

ワンバス方式の基板洗浄装置において、薬液の種類に応じた最適な閾値を使用して比抵抗値のチェックを行い、リンス処理の終了動作を適正化できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of reducing the specific resistance of an ITO film formed by a sputtering method, and enhancing the heat resistance and the acid resistance of the ITO film.例文帳に追加

スパッタリング法で形成されたＩＴＯ膜の比抵抗を低減し、さらにＩＴＯ膜の耐熱性や耐酸性を向上しうる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferrite material improved in DC superimposing characteristics, temperature characteristics of initial magnetic permeability, specific resistance and sintered compact strength, in particular flexural strength (bending strength).例文帳に追加

直流重畳特性の向上、初透磁率の温度特性の向上、比抵抗の向上が図れるとともに、焼成体強度、特に抗折強度（曲げ強さ）の向上が図れるフェライト材料を提供する。 - 特許庁

The transparent electrically conductive film formed by this transparent electrically conductive film forming method has ≤230 μΩ.cm specific resistance and ≤0.35 GPa film compressive stress.例文帳に追加

この透明導電膜形成方法により形成された透明導電膜は、比抵抗が２３０μΩ・ｃｍ以下、且つ膜圧縮応力０．３５ＧＰａ以下である。 - 特許庁

Then, when the layer 12 is formed by an epitaxial growth, a flow rate of the impurity (phosphine) to be introduced in a chamber is controlled to control a specific resistance of the layer 12.例文帳に追加

このとき、ｎ^−型エピタキシャル層１２をエピタキシャル成長により形成する際に、チャンバーに導入する不純物（ホスフィン）の流量を制御することによって、このｎ^−型エピタキシャル層１２の比抵抗を制御する。 - 特許庁

By setting the surface specific resistance of a cleaning layer provided on one surface on a non-magnetic support at 3×10^3 to 1×10^8 Ω/cm^2, electrostatic damage to or malfunction of the MR head is prevented.例文帳に追加

非磁性支持体上の一方の面に設けられたクリーニング層の表面固有抵抗を３×１０^3 〜１×１０^8 Ω／cm^2 に設定することにより、ＭＲヘッドの静電破壊や動作不良を防止する。 - 特許庁

The sputtering target for optical media includes 45-90 mol% of TiO_2 and the remainder ZnO, and has a specific resistance of 0.001-1 Ωcm.例文帳に追加

４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなり、比抵抗が０．００１Ωｃｍ〜１Ωｃｍである光メディア用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The optical disk protective film is characterized in that the surface specific resistance value of at least one surface is ≤10^11 Ω/square at 25°C and 65RH% and the surface hardness of the surface is ≥3 H in pencil hardness.例文帳に追加

少なくとも片面の表面比抵抗値が２５℃、６５ＲＨ％で１０^11Ω／□以下であり、しかも該表面の表面硬度が鉛筆硬度で３Ｈ以上であることを特徴とする光ディスク保護フィルム。 - 特許庁

Even after the iron powder for the powder magnetic core has been compacted and has been heated and annealed at the temperature of 600°C or higher, the compact can maintain a high specific resistance value.例文帳に追加

この圧粉磁心用鉄粉を圧粉成形後に６００℃以上の温度で加熱焼鈍処理した後も、圧粉体は高い比抵抗値を維持することができる。 - 特許庁

A nitride tungsten thin film can be started to grow immediately after cleaning at a low temperature and such a barrier film of the lamination structure has a high barrier performance and a small specific resistance.例文帳に追加

低温でクリーニング後直ちに窒化タングステン薄膜の成長が開始でき、またこの積層構造のバリア膜はバリア性が高く比抵抗が低い。 - 特許庁

To provide a copper thin film forming method which can form a dense copper thin film with a surface having a specular gloss and with a satisfactory specific resistance, by using Cu (hfac)(AOTMS) and Cu (hfac)(VOTMS) which are new materials for forming a copper thin film with a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

化学蒸着方法による銅薄膜形成における新たな原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）（ＡＯＴＭＳ）、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＯＴＭＳ）を用いて、緻密で、表面が鏡面光沢を有し、かつ比抵抗が良好な銅薄膜を形成できる銅薄膜形成方法を提案する。 - 特許庁

To provide a Mn-Ni-Zn type ferrite having squareness ratio remarkably increased without lowering the specific resistance and deteriorating other magnetic characteristics when Fe_2O_3 component is controlled to <50 mol% and Fe^2+ content is decreased.例文帳に追加

Fe_2Ｏ_3成分を50mol％未満としてFe^2+含有量を減少させた際に、比抵抗の低下並びにその他磁気特性の劣化をまねくことなしに角形比の大幅な上昇を実現した、Mn−Ni−Zn系フェライトを提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal medium for MLC, TN, or STN displays that are preferred to have a very high specific resistance and low threshold voltage.例文帳に追加

非常に高い比抵抗及び低いしきい電圧を有するのが好ましいＭＬＣ、ＴＮ又はＳＴＮディスプレイ用の液晶媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy thin film which has an electrode potential equal to that of an ITO (indium-tin-oxide) film, has no diffusion of silicon, has low specific resistance, and has excellent heat resistance.例文帳に追加

ＩＴＯ膜と同程度の電極電位を有し、シリコンが拡散することなく、比抵抗が低く、耐熱性に優れたアルミニウム合金薄膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the silver fine powder is mixed with an organic medium to form a silver paint, the silver paint is applied onto a substrate to form a paint film, and the paint film is baked in the atmosphere at 120°C, the silver fine powder shows properties of being converted into an electroconductive film having a specific resistance of 25 μΩcm or less.例文帳に追加

この銀微粉は、有機媒体と混合して銀塗料とし、これを塗布した塗膜を大気中１２０℃で焼成したときに比抵抗２５μΩ・ｃｍ以下の導電膜となる性質を備える。 - 特許庁

To provide a ferroelectrics capacitor of less degradation which is caused by aging and repeated polarization and inversion or a dielectrics capacitor of high dielectric constant, and to provide a semiconductor device comprising a reliable wiring with no increase in specific resistance.例文帳に追加

経年劣化および分極反転の繰り返しによる劣化の少ない強誘電体キャパシタまたは高誘電率を有する誘電体キャパシタを提供する。 - 特許庁

It is desirable that the oxide sintered compact desirably has a specific resistance value of ≤10 Ω cm, further, has a thermal expansion coefficient of ≤7×10^-6/K, and also, has a thermal conductivity of ≥10×10^-4 cal/mm×K×sec.例文帳に追加

酸化物焼結体は、比抵抗値が１０Ω・ｃｍ以下であることが望ましく、また熱膨張係数が、７×１０^-6／Ｋ以下、かつ熱伝導率が１０×１０^-4ｃａｌ／ｍｍ・Ｋ・ｓｅｃ以上とすることが望ましい。 - 特許庁

Since capacitors C1 and C2 reach the high specific resistance portion of the substrate 21, a substantially isolated state is achieved, which can hence prevent the flowing of a current from the electrode 43 to a ground potential GND.例文帳に追加

容量Ｃ１、Ｃ２の先が高比抵抗基板２１であるのでほぼ絶縁状態となり、拡張電極４３から接地電位ＧＮＤへの流出を防止できる。 - 特許庁

The heater film 11 is a printed and baked film consisting of an antioxidant heating material of main component, a heat resisting metal oxide of sub- component, and glass of binder, and its specific resistance is regulated to 23-2,286×10-6 Ωm.例文帳に追加

ヒータ膜１１は、主成分の耐酸化性発熱材料と副成分の耐熱性金属酸化物と結合材のガラスとからなる印刷焼成膜であり、比抵抗が２３〜２２８６×１０^-6Ωmに調整されている。 - 特許庁

This carbon fiber spun yarn woven fabric structure for the high molecular electrolyte fuel cell electrode has a thickness is 0.15-0.60 mm, weight of 50-150 g/m^2, a specific resistance of 0.20 Ωcm or less, and a surface pile number of 15/mm^2 or less.例文帳に追加

厚さが０．１５〜０．６０ｍｍ、目付が５０〜１５０ｇ／ｍ^2、比抵抗値が０．２０Ωｃｍ以下、表面ケバ数が１５ヶ／ｍｍ^2以下である高分子電解質型燃料電池電極材用炭素繊維紡績糸織物構造体。 - 特許庁

The coated film on the support is superior with a low specific resistance below 100 μΩ.cm, especially in the range of 10 to 70 μΩ.cm and with a good adhesion.例文帳に追加

支持体上の被膜は、１００μオーム・ｃｍより小さい、殊に１０〜７０μオーム・ｃｍの範囲内の低い抵抗率および良好な接着により優れている。 - 特許庁

At this time, as the functional particles, conductive particles which are obtained by coating sliver nanoparticles with a polymer material and the entire volume specific resistance value is about 104W/cm^3and particle diameter is adjusted to about 1 μm are used.例文帳に追加

ここで、機能性微粒子は、銀ナノ粒子を高分子材料でコートし、体積固有抵抗値が１０４Ｗ／ｃｍ^3程度で、粒子径が１μｍ程度に調整された導電性微粒子を使用した。 - 特許庁

An intermediate transfer belt 19 is made multi-layered, and a specific resistance of a top layer, namely, a high-resistance layer 193 is made higher than that of a lower layer, namely, a support layer 191.例文帳に追加

中間転写ベルト１９を複層化し、かつ最上部層すなわち高抵抗層１９３の比抵抗を下層部すなわち支持体層１９１の比抵抗よりも大きくする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device realizing low driving voltage by adding a highly polar compound to a liquid crystal composition so as to compensate increase in viscosity and to suppress lowering of a specific resistance value.例文帳に追加

液晶組成物に高極性化合物を添加し、粘度の増大の補償と比抵抗値の低下を抑制し、低駆動電圧を実現する液晶表示装置の提供。 - 特許庁

To provide a silver compound paste possible to be easily applied even if no resin is contained, and capable of forming a conductive film having a low specific resistance even if it is heat-treated under a condition having the same level as one for polymer type conductive paste.例文帳に追加

樹脂を含まなくても容易に塗布でき、かつポリマータイプの導電性ペーストと同程度の条件で加熱処理しても、比抵抗が低い導電膜を形成できる銀化合物ペーストを提供する。 - 特許庁

The electrical specific resistance sensor 16 is mounted on the bottom or backside of the bucket, to which the liquefied stabilized soil does not adhere, or in an appropriate location of the rotor blade.例文帳に追加

電気比抵抗センサー１６は、流動化処理土が付着しないバケットの底部若しくは裏面又は回転翼の適宜の箇所に取り付けられる。 - 特許庁

To provide a transparent conductive substrate in which an FTO film having a specific resistance of equivalent level to an ITO film as a transparent conductor is arranged on an insulating transparent member.例文帳に追加

絶縁性の透明部材上に、透明導電体として比抵抗がＩＴＯ膜と同等レベルにあるＦＴＯ膜を配してなる透明導電性基板を提供する。 - 特許庁

It is preferable that the silicon carbide sintered compact contains Fe in an amount of ≤10 ppm, and has physical properties that the electrical specific resistance at room temperature is ≤0.1 Ω.cm and the density is ≥2.5 g/cm^3.例文帳に追加

炭化珪素焼結体はFe含有量が10ppm 以下、室温での電気比抵抗が0.1 Ωcm以下、密度が2.5g/cm^3以上の物性を有していることが好ましい。 - 特許庁

To provide a huge magnetic resistor with Sr2FeMoO6 as main components which can be easily used by increasing a practical specific resistance, and which can be manufactured in a simple manufacturing process.例文帳に追加

Ｓｒ_2 ＦｅＭｏＯ_6 を主成分とする巨大磁気抵抗体において、実効的な比抵抗を増大させ、利用し易くするとともに、簡単な製造プロセスで製造できるようにする。 - 特許庁

By this setup, the thin film magnetic head having a saturation magnetic flux density of 1.6 T or above, a specific resistance of 40 μΩ cm or above, and a small loss in a high-frequency signal region can be obtained.例文帳に追加

これにより飽和磁束密度を１．６Ｔ以上、比抵抗４０μΩ・ｃｍ以上にでき、高周波信号領域における損失の小さい薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 - 特許庁

The (c) component can be 1-25 pts.mass based on 100 pts.mass of the (a) component from the point of specific resistance, preferably 3-20 pts.mass, more preferably 3.5-18 pts.mass.例文帳に追加

また、（ａ）成分１００質量部あたり、比抵抗の点から、（ｃ）成分は１〜２５質量部とすることができ、３〜２０質量部であることが好ましく、より好ましくは、３．５〜１８質量部である。 - 特許庁

To expand a nematic phase range, to improve switching properties at low temperatures and stability to UV light and to obtain a high specific resistance value and a low threshold voltage by adding a plural number of polar compounds with different structures having positive dielectric anisotropy.例文帳に追加

正誘電異方性の極性化合物の混合物に基づき広ネマチック相範囲、低温切り替え性、UV安定性、高比抵抗、低しきい電圧の液晶媒体を提供する。 - 特許庁

To obtain a thin film magnetic head which can reduce time constant and enable writing with a higher frequency by reducing specific resistance of a thin film coil and making an insulating resin layer between the thin film coils and between layers thereof smaller.例文帳に追加

薄膜コイルの比抵抗を小さくするとともに、薄膜コイルの間および層間の絶縁樹脂層を小さくすることによって、時定数を小さくできて、より大きな周波数での書き込みが可能となる薄膜磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

To provide a Mn-Co-Zn based ferrite in which the remarkable decrease of squareness ratio is attained without causing the decrease of specific resistance and the deterioration of magnetic characteristics by adding CoO having positive magnetic anisotropic energy.例文帳に追加

正の磁気異方性エネルギーを持つCoOの添加により、比抵抗の低下並びにその他磁気特性の劣化をまねくことなしに角形比の大幅な低下を実現した、Mn−Co−Zn系フェライトを提供する。 - 特許庁

A pulse transformer is composed without using a coil bobbin by using the pulse transformer in which a primary coil and a secondary coil are directly wound to a bar-like core made of ferrite of which specific resistance is 104 Ω.m or more.例文帳に追加

比抵抗値が１０^４Ω・ｍ以上のフェライトからなる棒状のコアに一次巻線および二次巻線を直接巻回したパルストランスを用いることによって、コイルボビンを用いることなくパルストランス構成する。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal composition, or the like, satisfying two or more characteristics in the characteristics of a wide temperature range of a nematic phase, a small viscosity, a proper optical anisotropy, a large negative dielectric anisotropy, a large specific resistance, and the like.例文帳に追加

ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物などを提供する。 - 特許庁

This ceramic heater contains silicon nitride and tungsten carbide, has the specific resistance of 390 to 1,300 μΩcm, and has an heating resistor of which the deflective strength is 800 MPa or more.例文帳に追加

本発明のセラミックヒータは、窒化珪素と炭化タングステとを含有し、比抵抗が３９０〜１３００μΩ・ｃｍであり、且つ抗折強度が８００ＭＰａ以上である発熱抵抗体を有する。 - 特許庁

Further, a substrate is used which has a specific resistance value obtained from ρ_Si=20/(2πε_Siε_0), where ε_0 is a dielectric constant under a vacuum, ε_Si is a specific dielectric constant of silicon, and (f) is a signal frequency.例文帳に追加

また真空中の誘電率をε_0、シリコンの比誘電率をε_Si、信号周波数をｆとした場合、シリコン基板としてρ_Si＝２０／（２πｆε_Siε_0）で求まる比抵抗値を有する基板を用いる。 - 特許庁

A high-melting point metal deposited with the auxiliary reducing gas compensates for the shortage portion of a high-melting point metal, consisting of a nitride deposited with the auxiliary reducing gas and the low- specific resistance nitride thin film 24 can be grown.例文帳に追加

補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、低比抵抗の窒化物薄膜２４を成長させることができる。 - 特許庁

When the surface specific resistance is smaller than 10^10 Ω/cm^2, an electric charge held by dust can instantly be absorbed by the resin to be discharged into air.例文帳に追加

樹脂の表面固有抵抗が１０^１０Ω／ｃｍ^２未満であれば、塵埃が保有している電荷を当該樹脂にて即座に吸収して、空気中に放電させることができる。 - 特許庁

A specific resistance of the anti-reflection coating 1 is ≤1.0×10^-2 Ω cm, and a reflectance is ≤50% in the visible ray area of an N-containing Al film 2a face.例文帳に追加

そして、反射防止膜１の比抵抗値が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下であり、Ａｌ系Ｎ含有膜２ａ面の可視光領域における反射率を５０％以下とする。 - 特許庁

Thus by setting each threshold value according to the kind of chemical liquid used immediately before rinsing, a specific resistance value can be checked using the optimum threshold value during rinsing in each step.例文帳に追加

このため、リンス処理の直前に使用される薬液の種類に応じて各閾値を設定すれば、各工程のリンス処理において最適な閾値を使用して比抵抗値をチェックできる。 - 特許庁

To provide a circuit board, a passive component, an electronic device and a method for manufacturing the circuit board, which together have a low specific resistance and a low dielectric loss in a high frequency region.例文帳に追加

高周波領域において低比抵抗及び低誘電体損失を共に有する回路基板、受動部品、電子装置、及び回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A specific resistance of 2.0×10^-2 Ωcm or less can be stably achieved regardless of density value, even at a high density range where the relative density is more than 90%.例文帳に追加

相対密度が９０％を超えるような高密度範囲でも、密度の値に関わりなく安定して２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の比抵抗が得られる。 - 特許庁

To obtain a conductive coating film having specific resistance close to that of metal silver by firing at a relatively low temperature, and further, to improve adhesion of the conductive coating film to a base material.例文帳に追加

比較的低温の焼成で金属銀に近い比抵抗を有する導電性塗膜が得られるとともに、この導電性塗膜の基材への密着性を向上する。 - 特許庁