「"specific-resistance"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The second nitride semiconductor contains Ga and its specific resistance is 10^4Ωcm or more.例文帳に追加

第二の窒化物半導体が、Ｇａを含み、比抵抗が１０^４Ω・ｃｍ以上である。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOSITE SOFT MAGNETIC SINTERED MATERIAL HAVING HIGH DENSITY, HIGH STRENGTH, HIGH SPECIFIC RESISTANCE, AND HIGH MAGNETIC FLUX DENSITY例文帳に追加

高密度、高強度、高比抵抗および高磁束密度を有する複合軟磁性焼結材の製造方法 - 特許庁

The specific resistance is 9.0×10^-4 Ωcm or less, and preferably 6.0×10^-4 Ωcm or less.例文帳に追加

比抵抗が９．０×１０^-4Ωｃｍ以下、好ましくは６．０×１０^-4Ωｃｍ以下であるとよい。 - 特許庁

To provide a ferrite that can be fired at a low temperature and give a high specific resistance.例文帳に追加

低温焼成が可能であると共に、高い比抵抗を得ることが可能なフェライトを提供する。 - 特許庁

A plurality of electrodes 14 for measuring specific resistance are provided in a facing face 10 and a boring hole 12.例文帳に追加

切羽面１０およびボーリング孔１２に比抵抗測定用電極１４が複数設置される。 - 特許庁

METHOD FOR EFFICIENTLY MEASURING SPECIFIC RESISTANCE BY MULTIPOINT SIMULTANEOUS CURRENT FLOWING SYSTEM USING QUASI NOISE SIGNAL AS FLOWING CURRENT WAVEFORM例文帳に追加

擬似ノイズ信号を通電波形とした多点同時通電方式による効率的比抵抗計測法 - 特許庁

The second nitride semiconductor contains Ga and has a specific resistance of ≥10^4 Ωcm.例文帳に追加

第二の窒化物半導体が、Ｇａを含み、比抵抗が１０^４Ω・ｃｍ以上である。 - 特許庁

To provide a composite soft magnetic material which has high strength and high specific resistance.例文帳に追加

本発明により、高強度かつ高比抵抗の複合軟磁性材を提供できる。 - 特許庁

It is especially desirable that the magnetic powder has a volume specific resistance value of 1 Ωcm or less.例文帳に追加

特に、体積固有抵抗値が１Ω・ｃｍ以下の磁性粉が好ましい。 - 特許庁

To provide an aluminum conductor having very high specific resistance and breakdown voltage.例文帳に追加

比抵抗および耐破壊電圧が非常に大きいアルミニウム導体を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING HIGH-STRENGTH, HIGH-SPECIFIC-RESISTANCE COMPOSITE SOFT MAGNETIC MATERIAL, AND ELECTROMAGNETIC CIRCUIT COMPONENT例文帳に追加

高強度高比抵抗複合軟磁性材の製造方法及び電磁気回路部品 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING DISTRIBUTION OF SPECIFIC RESISTANCE VALUE OF COMPOSITE SINTERED COMPACT, AND METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE RESISTOR例文帳に追加

複合焼結体の比抵抗値分布の制御方法、及び複合抵抗体の製造方法 - 特許庁

For this reason, an aging change of a contact specific resistance R_c is small in the field effect transistor 1.例文帳に追加

このため、電界効果トランジスタ１では接触抵抗率Ｒ_ｃの経時変化が小さい。 - 特許庁

The specific resistance of a portion of the substrate 21 under the electrode 43 is made high.例文帳に追加

拡張電極４３下部の基板２１を前記高比抵抗の状態とする。 - 特許庁

The specific resistance detector has a main detector 1 and a sub detector 2 both for measuring a resistance value of a solution.例文帳に追加

比抵抗検出器は、溶液の抵抗値を測定する主検出器１と副検出器２とを有する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SINTERED COMPOSITE SOFT MAGNETIC MATERIAL SUPERIOR IN SPECIFIC RESISTANCE AND MECHANICAL STRENGTH例文帳に追加

比抵抗および機械的強度に優れた焼結複合軟磁性材の製造方法 - 特許庁

COMPOSITE SOFT MAGNETIC IRON POWDER FOR PRODUCING COMPOSITE SOFT MAGNETIC MATERIAL WITH HIGH SPECIFIC RESISTANCE AND LOW CORE LOSS例文帳に追加

高比抵抗を有しかつ低鉄損を有する複合軟磁性材を製造するための複合軟磁性鉄粉末 - 特許庁

To provide an inorganic film with good quality, having a specific resistance that is suitable for driving a transistor.例文帳に追加

トランジスタ駆動に適した比抵抗をもつ良質な無機膜を提供する。 - 特許庁

To prevent yellowish discoloration of optical members due to ultraviolet rays and lowering of specific resistance of a liquid crystal.例文帳に追加

紫外線による光学部材の黄色変化および液晶の比抵抗の低下を防止する。 - 特許庁

Moreover, the higher the highest carbonization temperature becomes, the lower a specific resistance value in a penetration direction becomes.例文帳に追加

また、最高炭素化温度が高くなるにつれて貫通方向の比抵抗値は低くなっている。 - 特許庁

The through part 12 consists of conductive rubber material of less than 1×108 (Ωcm) volume specific resistance.例文帳に追加

貫通部１２は、体積固有抵抗が１×１０^8 （Ωcm）未満の導電性ゴム材ｇ２からなる。 - 特許庁

It is preferable that a surface specific resistance value at the surface of the circumferential wall 13 is in a range of 101 to 109 Ω.例文帳に追加

前記周壁１３表面の表面固有抵抗値は１０^1〜１０^9Ωであるのが好ましい。 - 特許庁

Specific resistance of the conductive ceramic is desirably set at 1-40 Ωcm.例文帳に追加

当該導電性セラミックの比抵抗は１〜４Ωｃｍであることが好ましい。 - 特許庁

The resistor layer 14 formed by diffusing a part of the auxiliary electrode 6b has specific resistance changing its value along a thickness direction.例文帳に追加

抵抗層１４は，補助電極６ｂの構成物質の一部を拡散させて形成される。 - 特許庁

A semiconductor substrate 21 whose specific resistance is 100-5,000 Ω.cm is prepared.例文帳に追加

半導体基板２１として、比抵抗が１００〜５０００Ω・ｃｍのものを準備する。 - 特許庁

METHOD OF IMPROVING MOUNTING POSITION OF SPECIFIC RESISTANCE MEASUREMENT SENSOR IN ULTRAPURE WATER MAKING APPARATUS例文帳に追加

超純水製造装置における比抵抗測定センサー取付位置の改良方法 - 特許庁

FILL DAM CONTROL SYSTEM BY SPECIFIC RESISTANCE TOMOGRAPHY METHOD AND ITS CONTROL METHOD例文帳に追加

比抵抗トモグラフィ法によるフィルダム管理システムおよびその管理方法 - 特許庁

A material with a specific resistance of 100 to 5,000 Ω×cm is prepared as semiconductor substrate 21.例文帳に追加

半導体基板２１として、比抵抗が１００〜５０００ル・ｃｍのものを準備する。 - 特許庁

The measurement head section 2 has an electrode part 3 for measuring specific resistance and a cable connected to it.例文帳に追加

測定ヘッド部２は比抵抗測定用の電極部３とこれに接続されるケーブルを有している。 - 特許庁

Further, the specific resistance of the substrate is ≤1×10^-1 Ωcm.例文帳に追加

また、前記基板の比抵抗が１×１０^-1Ωｃｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The specific resistance of this fuel cell separator is within a range of 3-10 mΩcm.例文帳に追加

燃料電池セパレータは、固有抵抗が固有抵抗が３〜１０ｍΩｃｍの範囲にある。 - 特許庁

To provide a barrier layer of relatively low specific resistance and a method for depositing this barrier layer at a low temperature.例文帳に追加

比抵抗の低いバリア層およびそのバリア層を低温で成膜する方法の提供。 - 特許庁

The percolation biological battery has a specific resistance value R of 10E6-10 Ω.例文帳に追加

パーコレーション生体電池の比抵抗値Ｒが１０Ｅ６−１０Ωの間の適当な抵抗値を有する。 - 特許庁

To provide a thermoelectric material that is reduced in the fluctuation of specific resistance (ρ) and is high in yield.例文帳に追加

比抵抗（ρ）のばらつきが小さく、歩留まりが高い熱電材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of easily manufacturing a conductive film consisting of carbon nanotubes of low specific resistance with high production efficiency, and to provide the conductive film consisting of the carbon nanotubes having such low specific resistance.例文帳に追加

低比抵抗のカーボンナノチューブからなる導電膜を容易にかつ高い生産効率で製造することができる導電膜の製造方法およびそのような低比抵抗のカーボンナノチューブからなる導電膜を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR SPECIFYING SPECIFIC RESISTANCE OF OXIDE FILM, METHOD FOR DESIGNING OXYGEN DEFECT STRUCTURE OF THE OXIDE FILM AND PROGRAM FOR SIMULATING SPECIFIC RESISTANCE OF THE OXIDE FILM例文帳に追加

酸化膜の比抵抗を特定する方法、酸化膜の酸素欠陥構造を設計する方法、酸化膜の比抵抗のシミュレーションを行うためのプログラム。 - 特許庁

A specific resistance control means 20 is provided for adjusting a communicating degree between both spaces partitioned by a damping member 14 from the outside and allowing control of specific resistance in movement of a viscous liquid L between the spaces.例文帳に追加

前記減衰部材(14)で仕切られた両空間の間の連通度を外部から調整し、粘性液(L)の空間間移動時の抵抗率を制御可能とする抵抗率制御手段(20)を備える。 - 特許庁

The resistor 3 comprises a plurality of resistor layers 3a and 3b of different specific resistance formed in layer on a substrate 2 wherein the resistor layer 3a of higher specific resistance is formed on the upper layer side.例文帳に追加

抵抗体３が、基板２上に積層された比抵抗の異なる複数の抵抗層３ａ，３ｂからなり、かつ、各抵抗層３ａ，３ｂのうち比抵抗の大きな抵抗層３ａが上層側に形成されてなること。 - 特許庁

To provide a Mn-Co-Zn type ferrite having specific resistance increased by decreasing Fe^2+ content and coercive force remarkably decreased without deteriorating the specific resistance.例文帳に追加

Fe^2+含有量を減らして比抵抗を高める一方、この比抵抗を低下することなしに、保磁力を大幅に低下したMn−Co−Zn系フェライトを提供する。 - 特許庁

In the intermediate n-layer 13 of low specific resistance, p-regions 15 are formed at specified intervals, protruding slightly into the upper-part n- layer 14 of high specific resistance.例文帳に追加

その低比抵抗の中間ｎ層１３内にはｐ領域１５が所定の間隔をもって形成され、高比抵抗の上部ｎ^- 層１４内に少し突き出ている。 - 特許庁

A first epitaxial layer 23 with a high specific resistance of 100-5,000 Ω.cm is formed on a semiconductor substrate 21 of this semiconductor device, and a second epitaxial layer 24 with a normal specific resistance is formed on the layer 23.例文帳に追加

半導体基板２１上に比抵抗が１００〜５０００Ω・ｃｍもの高比抵抗の第１のエピタキシャル層２３を形成し、その上に通常の比抵抗を持つ第２のエピタキシャル層２４を形成する。 - 特許庁

The multiple container 9 is of triple structure, and it is composed of an aluminum container 9a small in specific resistance, an iron container 9b being a magnetic substance, and a copper container 9c smaller in specific resistance.例文帳に追加

多重容器９は、三重構造であり、抵抗率の小さいアルミ製容器９ａと、磁性体である鉄製容器９ｂと、さらに抵抗率の小さい銅製容器９ｃとから成る。 - 特許庁

To provide a method for producing an n-type SiC single crystal having small specific resistance despite low nitrogen (N) content, the SiC single crystal which can be prepared thereby and has small specific resistance, and the use thereof.例文帳に追加

窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。 - 特許庁

The specific resistance of the plurality of electrodes 1 is gradually increased from a lower electrode side 7 to a phase change film side 3, so that the heater electrode layer 1-6 of a region 2 contacting the phase change film 3 can obtain the maximum specific resistance.例文帳に追加

複数のヒータ電極層１の比抵抗を下部電極側７から相変化膜側３へと徐々に高くし、相変化膜３と接触する領域２のヒータ電極層１−６の比抵抗を最大とする。 - 特許庁

To provide a specific resistance adjusting method of ultrapure water capable of simply adjusting and stabilizing the specific resistance of ultrapure water greatly varying in a flow rate to a desired value, and an ultrapure water treatment apparatus.例文帳に追加

流量が大きく変動する超純水の比抵抗値を、所望の値に簡便に調整し安定させることができる超純水の比抵抗調整方法、及び超純水処理装置を提供する。 - 特許庁