「ⁿ-p」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

option instead of 例文帳に追加

\\-N " オプションの代わりに " \\-P - JM

"C-a backspace" 0 "C-a h" "C-a p" "C-a C-p (prev)" Switch to the previous window (opposite of C-a n). 例文帳に追加

"C-a backspace"0"C-a h""C-a p""C-a C-p (prev)"前のウィンドウに切り替える (C-a n の反対)。 - JM

the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加

p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet

a p-n junction has marked rectifying characteristics 例文帳に追加

p-n接合は整流特性の特徴がある - 日本語WordNet

of electronics, a laser that uses a specific p-n junction of a semiconductor 例文帳に追加

半導体のp-n接合の特性を利用したレーザー - EDR日英対訳辞書

in a semiconducting crystal, a junction between a p-type region and an n-type region 例文帳に追加

半導体の単結晶中のP型とN型との接合 - EDR日英対訳辞書

In the expression, n and m are each an integer, N=2^p and p is an integer.例文帳に追加

（ここで、ｎ、ｍは整数、Ｎ＝２^ｐ、ｐは整数である） - 特許庁

(m and n denote integers, N=2P and p denotes an integer).例文帳に追加

（ここで、ｎ、ｍは整数、Ｎ＝２^p、ｐは整数である） - 特許庁

To thin a p-i-n diode without its property deteriorated.例文帳に追加

p-i-nダイオードをその特性の劣化なしに薄くする。 - 特許庁

P_n=A_D×EXP(-k_n×n) (1).例文帳に追加

Ｐ_ｎ＝Ａ_Ｄ×ＥＸＰ（−ｋ_ｎ×ｎ） （１） - 特許庁

The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加

アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁

(x) N,N'-Ditolyl-p-phenylenediamine, N-tolyl-N'-xylyl-p-phenylenediamine, or N,N'-dixylyl-p-phenylenediamine 例文帳に追加

十　Ｎ・Ｎ′—ジトリル—パラ—フェニレンジアミン、Ｎ—トリル—Ｎ′—キシリル—パラ—フェニレンジアミン又はＮ・Ｎ′—ジキシリル—パラ—フェニレンジアミン - 日本法令外国語訳データベースシステム

(vii) N,N'- Ditolyl-p-phenylenediamine, N-tolyl-N'-xylyl-p-phenylenediamine, or N,N'-dixylyl-p-phenylenediamine 例文帳に追加

七　Ｎ・Ｎ′—ジトリル—パラ—フェニレンジアミン、Ｎ—トリル—Ｎ′—キシリル—パラ—フェニレンジアミン又はＮ・Ｎ′—ジキシリル—パラ—フェニレンジアミン - 日本法令外国語訳データベースシステム

Each pixel P_n, m includes at least one first sub-pixel P_n, m (1) and a second sub-pixel P_n, m (2), which respectively includes sub-pixel electrodes.例文帳に追加

各画素Ｐ_n,mは、副画素電極をそれぞれ有する第１の副画素Ｐ_n,m（１）および第２の副画素Ｐ_n,m（２）を少なくとも含む。 - 特許庁

That is, (1) 5<f_3/f<100, (2) n_d(n)-n_d(p)<0.2 and (3) ν(p)-ν(n)>35.例文帳に追加

（１） ５＜ｆ_3／ｆ＜１００ （２） ｎ_d（ｎ）−ｎ_d（ｐ）＜０．２ （３） ν（ｐ）−ν（ｎ）＞３５ - 特許庁

Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加

P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁

The maximum P/N ratio or the minimum P/N ratio is selected and a noise signal at the input of the gate can be simulated.例文帳に追加

最大のP/N比又は最小のP/N比を選択して、ゲートの入力におけるノイズ信号をシミュレートすることができる。 - 特許庁

The valleys 56a-56d are shaped with their bottoms Y_P, Y_R, Y_N, Y_D and their centers X_P, X_R, X_N, X_D shifted from each other, respectively.例文帳に追加

各谷５６ａ〜５６ｄは、その底Ｙ_P，Ｙ_R，Ｙ_N，Ｙ_Dと中央Ｘ_P，Ｘ_R，Ｘ_N，Ｘ_Dとがずらされた形状である。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

The P-I-N photo diode 7 and the transparent electrode 9 both demarcate a sub pixel 5.例文帳に追加

P-I-Nフォトダイオード及び透明電極が共に副画素５を画定する。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

N-type diffusion areas 53 are formed on the P-well area 21.例文帳に追加

P-型ウェル領域21の上層にはN型拡散領域53が設けられている。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

The formula 1 is represented by S1=(M/L)×(N-P)+P.例文帳に追加

Ｓ１＝（Ｍ／Ｌ）×（Ｎ−Ｐ）＋Ｐ…式１ - 特許庁

C / P = Yd · C / Yd · ( 1 / P ) and Yd = I N=1 · (1 – H) accordingly,例文帳に追加

Ｃ／Ｐ＝Ｙｄ　・　Ｃ／Ｙｄ　・（１／Ｐ）及びＹｄ＝Ｉ－Ｎ＝Ｉ・（１－Ｈ）より、 - 厚生労働省

Here, M, N, P, Q are positive integers, and N≤M.例文帳に追加

ここで、Ｍ，Ｎ，Ｐ、Ｑは正の整数であり、Ｎ≦Ｍである。 - 特許庁

Further, the concave lens 18a and convex lens 18b satisfy 0.03<|N_n-N_p|<0.18 and |ν_n-ν_p|<20, where N_n and N_p, and ν_n and ν_p are their refractive indexes and Abbe numbers respectively.例文帳に追加

また、凹レンズ１８ａおよび凸レンズ１８ｂは、これらの屈折率、アッベ数をそれぞれＮ_ｎ 、Ｎ_ｐ 、ν_ｎ 、ν_ｐ として、０．０３＜｜Ｎ_ｎ −Ｎ_ｐ ｜＜０．１８、｜ν_ｎ −ν_ｐ ｜＜２０を満足する。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

A storage unit 12 stores N pieces of speech data D[1] to D[N] for indicating speech collected at different positions P[1] to P[N] in a space R.例文帳に追加

記憶装置１２は、空間Ｒ内の相異なる位置Ｐ[1]〜Ｐ[N]にて収音された音声を示すＮ個の音声データＤ[1]〜Ｄ[N]を記憶する。 - 特許庁

M×N sets of the pixel sections P_m, n are two-dimensionally laid out in M-rows and N-columns and each pixel sections P_m, n is located on the m-th row and the n-th column.例文帳に追加

Ｍ×Ｎ個の画素部Ｐ_ｍ，ｎはＭ行Ｎ列に２次元配列されており、各画素部Ｐ_ｍ，ｎは第ｍ行第ｎ列に位置する。 - 特許庁

For example, N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(4'-methoxybiphenyl-4-yl)benzidine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(hydroxybiphenyl-4-yl)benzidine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce an acrylic acid ester compound.例文帳に追加

例えば、N,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４´-メトキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してN,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４-ヒドロキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてアクリル酸エステル化合物とする。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともｐ＋ｎ−ｐｎ＋構造と、ｎ−層とｐ層との間にｎ−層よりも高濃度のｎ層と有するIGBTにおいて、ｎ−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

An N electrode NT is formed on a part where the N-type gallium nitride layer N is exposed, and a P electrode PT is formed on the P-type gallium nitride layer P.例文帳に追加

そしてこのｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出した部位にｎ電極ＮＴを、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ上にｐ電極ＰＴを形成する。 - 特許庁

The solid state imaging device 1 is provided with M×N sets of pixel sections P_m, n, K×N sets of voltage holding sections H_k, n and N sets of signal processing sections S_n.例文帳に追加

固体撮像装置１は、Ｍ×Ｎ個の画素部Ｐ_ｍ，ｎ、Ｋ×Ｎ個の電圧保持部Ｈ_ｋ，ｎおよびＮ個の信号処理部Ｓ_ｎを備える。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

Each superconducting wire rod layer is formed by winding around a thin-film wire rod 120 at a winding radius of R_(n)(m) and a winding pitch of P_(n)(m).例文帳に追加

各超電導線材層は、薄膜線材120を巻き付け半径R_(n)(m)、巻き付けピッチP_(n)(m)で巻回することで形成されている。 - 特許庁

The expression (1) is P=(A-B)*|A-B|^(n-1)/(|A-B|^n+|C-D|^n), and the expression (2) is P=(C-D)*|C-D|^(n-1)/(|A-B|^n+|C-D|^n).例文帳に追加

Ｐ＝（Ａ−Ｂ）＊｜Ａ−Ｂ｜＾（ｎ−１）／（｜Ａ−Ｂ｜＾ｎ＋｜Ｃ−Ｄ｜＾ｎ）・・・（１）Ｐ＝（Ｃ−Ｄ）＊｜Ｃ−Ｄ｜＾（ｎ−１）／（｜Ａ−Ｂ｜＾ｎ＋｜Ｃ−Ｄ｜＾ｎ）・・・（２） - 特許庁

The fluorescent material is characterized in that a relation between the refractive index n_P of the fluorescent material and the refractive index n_B of the binder is n_P/n_B < 1.5.例文帳に追加

蛍光材料の屈折率ｎ_Ｐとバインダの屈折率ｎ_Ｂとの関係が、ｎ_Ｐ／ｎ_Ｂ ＜ １．５であることを特徴とする。 - 特許庁

Defaults to 1:2:3:4:5:6:7:8:9:o:l:n:p (volume names can be multicharacter).例文帳に追加

デフォルト値は 1:2:3:4:5:6:7:8:9:o:l:n:p である(ボリューム名では複数個の文字が使える)。 - XFree86

The ^N (or ^P) is repeated once for each line that the event differs from the current line.例文帳に追加

^N (または ^P)は、イベントが現在の行より1行ずれているごとに1回ずつ繰り返される。 - XFree86

Some theory insists that phonemes except for/s, z/ (/k, g/,/t, d/,/n/,/h, b/,/p/,/m/ and/r/) were palatalized. 例文帳に追加

音素/s,z/以外の/k,g/、/t,d/、/n/、/h,b/、/p/、/m/ならびに/r/においては口蓋化があったとする説もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス