「かっせいかしょうへき」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。例文帳に追加

To provide a barrier layer used for metallization of a semiconductor device element and passivation of a dielectric material. - 特許庁

活性層１５は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。例文帳に追加

The active layer 15 has a multiple quantum well structure comprising a plurality of pairs of well layers and barrier layers, with film thickness of each well layer being 4-20 nm. - 特許庁

そして、活性層２３の障壁層２３ｂが、ＡｌとＩｎとを含む窒化物半導体から構成されている。例文帳に追加

The barrier layer 23b of the active layer 23 is formed of a nitride semiconductor containing Al and In. - 特許庁

本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。例文帳に追加

To provide a barrier layer used for metallization of a semiconductor device component and deactivation of a dielectric material. - 特許庁

本方法は、前記トンネル接合素子の前駆層上に前記トンネル障壁層を形成することと、酸化プロセスおよび窒化プロセスからなる群から選択される処理によって、前記トンネル障壁層を非導電性材料に変換することと、前記トンネル障壁層に紫外光を照射することを含み、該紫外光は、前記トンネル障壁層内にある反応物質に入射し、前記紫外光は、前記反応物質を活性化することにより、前記反応物質が、前記トンネル障壁層の材料に反応し、該材料を前記非導電性材料に変換する。例文帳に追加

Since the ultraviolet rays activate a reactive substance contained in the barrier layer when the rays are made incident to the substance, the substance reacts to the material of the barrier layer and transforms the material into the nonconductive material. - 特許庁

光触媒活性化自浄性被覆を堆積する前に、基体上にナトリウムイオン拡散障壁層を堆積し、光触媒活性化自浄性被覆のナトリウムイオン被毒を防ぐ。例文帳に追加

Before stacking the photocatalyst activated self-cleaning coating, a sodium ion diffusion barrier layer is stacked on the substrate to prevent sodium ion poisoning of the photocatalyst activated self-cleaning coating. - 特許庁

半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体である窒化ガリウム系化合物半導体から形成され、バッファ層７１と、ｎ型障壁層７２と、活性層７３と、ｐ型障壁層７４と、ｐ型コンタクト層７５とを有し、これらの層は炭化珪素基板上に順に積層されている。例文帳に追加

The semiconductor layer is formed of a gallium nitride based compound semiconductor as a group-III nitride semiconductor, and has a buffer layer 71; an n-type barrier layer 72, an active layer 73; a p-type barrier layer 74; and a p-type contact layer 75, which are sequentially stacked on the silicon nitride substrate. - 特許庁

一回燃料噴射の均質燃焼から排気浄化触媒活性化のための成層ストイキ燃焼へ切り換えるときの、安定度を確保する。例文帳に追加

To provide a control device for a direct injection type spark ignition engine capable of securing the stability when changing-over is made from a homogeneous combustion of one run fuel injection into a stratified stoichiometric combustion for activating an exhaust gas purifying catalyst. - 特許庁

これにより被めっき物表面が触媒活性を示さない場合であってもエネルギ障壁が低下し、前記被めっき物表面が活性化してめっき反応を開始し、被めっき物表面にＣｕやＮｉ等の金属皮膜を析出させることができる。例文帳に追加

In this way, even in the case the surface of the object to be plated does not exhibit catalytic activity, the surface of the object to be plated is activated to start plating reaction, thus a metallic film of Cu, Ni or the like can be precipitated over the surface of the object to be plated. - 特許庁

これによれば、触媒に吸着した反応分子を光励起して反応性を高めると同時に触媒作用により反応の活性化障壁を下げることで、反応をスムーズに進行させることができる。例文帳に追加

In this method, the reacting molecules adsorbed on the catalyst are photoexcited to increase their reactivity, and at the same time the activation barrier for the reaction is lowered by a catalytic action, thereby the reaction proceeds smoothly. - 特許庁

活性層１９は量子井戸構造２３を有しており、量子井戸構造２３は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．２＜Ｘ＜１）からなる井戸層２５ａと窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２５ｂとを含む。例文帳に追加

An active layer 19 has a quantum well structure 23, and the quantum well structure 23 includes a well layer 25a comprising In_XGa_1-XN(0.2<X<1) and a barrier layer 25b comprising a nitride gallium based semiconductor. - 特許庁

ベース層１０３とコレクタ層１０２との間に逆バイアス電圧が印加される消光時には、傾斜組成層１０４によって、活性層１０５とベース層１０３との間の界面障壁が低下する。例文帳に追加

A boundary barrier between the layers 103 and 105 is reduced by the layer 104 during extinction when a reverse bias voltage is applied between the layers 102 and 103. - 特許庁

別の実施形態において、発光素子は、不純物で均一にドーピングされるか、又は、活性領域と実質的に直角な方向に段階的に変化する濃度を有する不純物でドーピングされた少なくとも１つの障壁層を有するIII族窒化物半導体活性領域を含む。例文帳に追加

In another embodiment, this light-emitting element contains a group III nitride semiconductor active region, having at least one barrier layer doped uniformly with an impurity or doped with the impurity, in a state where the concentration of the impurity changes in stepwise manner in a direction substantially perpendicular to the active region. - 特許庁

１原子で他の分子と相互作用が可能な白金原子や、複数の白金原子からなる白金クラスターを有する薄膜を含有する触媒を用いて、共有結合を有する分子の解離吸着反応の特定の段階の活性化障壁を低下させることにより、当該反応を促進させる。例文帳に追加

The reaction is promoted by lowering the activation barrier of a specific step in the dissociative adsorption reaction of a molecule having a covalent bond with the use of a catalyst containing a platinum atom which can interact with another molecule by one atom or a film having a platinum cluster composed of a plurality of platinum atoms. - 特許庁

これによれば、反応分子に光を照射して励起状態とすることにより反応分子の反応性を高め、かつ、この励起状態の反応分子に触媒を作用させることにより反応の活性化障壁を下げることができる。例文帳に追加

By this constitution, the reactivity of the reactive molecules is enhanced by irradiating the reaction molecules with light to bring them to an excited state and the activation of reaction can be prevented from lowering by allowing the catalyst to act on the reaction molecules brought to the excited state. - 特許庁

含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる障壁層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層を備えた積層構造体において、活性層が、含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバリア層とＩＩＩ族窒化物半導体からなる井戸層とから構成される量子井戸構造を有する。例文帳に追加

In a laminated structure provided with an active layer, composed of a III-V compound semiconductor on the barrier layer composed of the boron- containing III-V compound semiconductor, the active layer has a quantum well structure constituted of the barrier layer composed of the boron-containing III-V compound semiconductor, and a well layer composed of a III nitride semiconductor. - 特許庁

化学蒸着反応器内で、活性化窒素原子、特に誘電体障壁放電により発生させた活性化窒素原子およびIII族金属の有機金属化合物１種以上を、従来のＭＯＣＶＤ法におけるよりも低温の７００℃〜１，０００℃に加熱した基板上に化学蒸着させる製造方法である。例文帳に追加

This method for producing a III group metal nitride thin film comprises carrying out chemical vapor deposition of activated nitrogen atom, especially activated nitrogen atom generated by dielectric barrier discharge and one or more kinds of organometallic compounds of III group metals on a substrate heated to 700°C to 1,000 which is a temperature lower than that in conventional MOCVS method. - 特許庁

本願発明の好適な実施例においては、内面（４）と、ガラス製エンベロープ（１２）の該内面に隣接して配置された蛍光体層（１４）と、該エンベロープの内部に密封された水銀蒸気及び不活性気体から成る放電維持充填気体（２２）と、水銀障壁層（１６）とを備えた光透過性のガラス製エンベロープを有する水銀蒸気放電蛍光灯（１０）が提供される。例文帳に追加

The mercury vapor discharge fluorescent lamp with a translucent glass envelope is provided with an inner face (4), a phosphor layer (14) arranged adjacent to the inner face of the glass envelope (12), a discharge- sustaining filler gas (22) consisting of mercury vapor and an inert gas sealed in the inside of the envelope and a mercury barrier layer (16). - 特許庁

本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。例文帳に追加

The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1. - 特許庁